低温硅双极晶体管基区优化设计

常规双极晶体管在７７Ｋ下电流增益和频率性能都严重退化。本文首先分析了低温双极晶体管基区Ｇｕｍｍｅｌ数，基区方块电阻，渡越时间和穿通电压等参数与温度及基区掺杂的关系，然后讨论了低温双极器件基区的优化设计问题。     

硅微电子兼容技术的发展

硅微电子兼容技术是微电子技术与其它相关技术相互结合的产物,是微电子学科领域的重要发展方向之一,并使其在性能和应用领域等方面得到进一步的提高和扩展.本文主要介绍GaAs/Si、SiGe/Si、LB/Si、低温微电子、真空微电子和超导/半导兼容技术的新进展和发展趋.     

高空核爆炸碎片云运动数值模拟

根据核爆炸粒子运动的基本壳层理论和粒子与大气相互作用的机理,建立了碎片云在地磁场和大气作用下运动规律的模拟方法。碎片云与大气的作用在方程中包括了电荷交换截面项和碰撞电离截面项,这两项体现了碎片云运动过程中受到大气的阻滞作用。碎片云在地磁场作用下的磁流体力学方程采用拉格朗日差分方法求解,利用该方法计算模拟了典型高空爆炸场景下碎片云的运动扩展情况,给出了爆后早期碎片云在不同方向的扩展尺度、运动速度、压强和温度等参量,与文献结果基本相符。     

不同粒子在硅中能量沉积的计算及比较

在粒子与物理相互作用的理论基础上,编写了计算中子非电离能量损失（NIEL）和电离能量损失（IEL）以及电子和γNIEL的Monte Carlo计算程序,利用编写的程序以及TRIM95和SANDYL程序计算了1MeV中子、20MeV以下电子和γ在硅中IEL和NIEL的大小和分布。对计算结果进行了分析和比较。     

基于弹性背散射率的低能电子IMFP计算

采用蒙特卡罗程序对Fe、Cu、Ag和Au表面的电子弹性背散射过程进行了研究.模拟程序中电子的弹性散射截面使用在Dirac-Hatree-Fock交换势下求解得到的Mott散射截面.计算了固体表面弹性背散射率随非弹性散射平均自由程(IMFP)的变化规律,利用弹性背散射率实验数据得到能量为100-2000 eV的电子IMF...     

新型锗硅应变层异质结构双极器件研究进展

新型锗硅材料和器件的发展开创了硅异质结构和能带工程器件的新时代.现代先进的外延技术使应变层锗硅材料的应用成为可能.本文详细评述了新型锗硅应变层异质结构双极器件的研究现状及发展,着重讨论了锗硅应变层的性质和以锗硅应变层作基区的异质结双极器件的性能及其应用前景.     

多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究

本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性。研究表明,受载流子冻析效应的影响,基区电阻在低温下随温度下降接近于指数上升,使晶体管的频率性能变环;而由于浅能级杂质的陷阱效应,低温下基区和发射区渡越时间变长,截止频率下降。这些因素在低温器件设计中应予重视。     

超临界系统裂变增值蒙卡模拟及其时间特性分析

开发蒙卡程序对超临界系统中的中子输运过程进行模拟,计算给出了系统增值系数和中子平均去除时间,与MCNP程序的计算结果符合较好。利用程序的时间驿站功能,计算给出了超临界系统的增值时间常数。分析了特定条件下超临界系统的增值时间常数和增值系数的关系。结果表明,对于超临界系统,其系统增值时间常数除了和增值系数有关以外,主要还受到平均裂变时间的影响。     

基于随机游走方法模拟计算脏弹袭击后的放射性剂量分布

为研究脏弹爆炸在下风方向造成的放射性辐射危害，基于随机游走方法建立了脏弹恐怖袭击后放射性烟团在大气中扩散的计算模型。结合烟云源项模型和剂量模型，计算研究了小风条件下¹³⁷Cs脏弹爆炸时，不同大气稳定度扩散等级时放射性烟团对下风方向公众的辐照剂量。结果表明，在其他条件相同的情况下，稳定度扩散等级对下风方向的辐照水平和分布有明显影响。大气越不稳定，放射性烟云横向扩散范围越广，同时剂量随下风方向距离降低得越快，超公众辐照限值的放射性污染面积也越小。稳定度扩散等级为F时，超公众剂量限值的污染区域面积和下风方向1 km处的辐射剂量分别是等级为A时的4倍和10倍。