0.15μm Y型栅高In沟道GaAs PHEMT低噪声器件设计

设计了一种GaAs PHEMT低噪声器件。通过电子束直写手段实现了0.15μm Y型栅,对栅型优化以减小器件栅电阻和栅寄生电容。采用高In含量的沟道设计以改善沟道电子输运特性,采用InGaAs/GaAs复合帽层以改善欧姆接触特性,并通过低噪声工艺流程制作了4×50μm GaAs PHEMT器件。测试结果表明,器件fT达到80GHz,在10GHz处最小噪声系数小于0.4dB,相关增益大于10dB。对于0.15μm栅长GaAs PHEMT器件来说,这是很好的结果。     

采用复合帽层改善GaAs HEMT/PHEMT的欧姆接触特性

GaAs HEMT/PHEMT的欧姆特性对器件的性能和可靠性至关重要,通常为了得到最好的欧姆接触特性,帽层(CAP层)的掺杂浓度大约在5E+18cm-3的水平,已经达到了GaAs掺杂的极限。为了进一步改善GaAs HEMT/PHEMT欧姆特性,本文的研究工作是在砷化镓帽层上生长一层10nm厚、具有更小禁带宽度的InGaAs薄层,基于这种新的外延结构,在欧姆制作工艺不变的情况下,制作的欧姆接触具有更低的欧姆接触电阻率和更好的一致性。     

烧结生产节能潜力解析

由于烧结过程中热量沿料层厚度方向分布的不合理,导致烧结矿成品率低,返矿量高,导致设备磨损,能耗大。烧结生产有巨大的节能潜力,节能措施就是开发新的工艺技术,最大限度地改变或减小焙烧过程的非均匀性,提高烧结生产的成品率,如进行热量补偿与保温的复合焙烧技术、改变燃料的配加工艺等。     

不同蛋白酶注射对羊肉品质的影响

向羊肉注射肉重5%不同浓度的木瓜蛋白酶、中性蛋白酶、胰蛋白酶,在低温条件下腌制,能够显著提高羊肉嫩度(P<0.05),蛋白酶的浓度越大,腌制时间越长,羊肉的剪切力越低.在腌制过程中,木瓜蛋白酶对羊肉L*,a*值没有显著影响,中性蛋白酶对羊肉的L*,a*值有显著影响(P<0.05),胰蛋白酶对羊肉的a*值有显著影响(P<0.05).注射蛋白酶腌制的羊肉,氨基酸含量与对照相比都有一定程度的提高.     

一种紧凑的GaN高电子迁移率晶体管大信号模型拓扑

GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其复杂的器件特性使其大信号建模变得十分困难,尽管EEHEMT、Angelov等模型结构曾经成功应用于GaAs HEMT/MESFET的大信号模型,但当它们被用于GaN HEMT建模时却不再准确和完备.面向GaN HEMT器件的大信号模型,本文提出了一种紧凑的模型拓扑,此模型拓扑综合了GaN HEMT器件的直流电压-电流（I-V）特性、非线性电容、寄生参数、栅延迟漏延迟与电流崩塌、自热效应以及噪声等特性.经验证此模型拓扑在仿真中具有很好的收敛性,适用于GaN HEMT器件的大信号模型的建立,满足GaN基微波电路设计对器件模型的需求.     

冷冻-超声波提取β-胡萝卜素的条件优化

β-胡萝卜素是人体内维生素A的重要来源,对人体具有重要的生理功能。本实验研究了不同溶剂的提取效果,提出了冷冻-微波解冻的方法来达到破碎细胞壁和降低原料中水分的目的。经研究可使胡萝卜中水分降低45％,本实验并探讨了超声波辅助萃取的最佳工艺,确定了最佳工艺参数为：超声波提取温度为40％,采用料液比为（g／mL）1：6,超声波处理时间为20min,超声波处理次数3次,β-胡萝卜素提取率可达85％以上。     

硫化铵表面处理对GaAs HEMT/PHEMT器件性能的改善

利用硫化铵溶液对GaAs HEMT/PHEMT器件进行表面硫化处理,并利用硫酸锌溶液进行固化;相对于传统的氨水表面处理,经过此处理的器件获得了更高的直流脉冲比,并保持相当高的击穿电压。分析表明,这样的改善来源于表面硫化处理对砷化镓表面态能级的抬高。     

一款Ku 波段GaAs PHEMT 低噪声放大器

面向微波毫米波低噪声放大电路对高性能低噪声放大器件的需求,进行0. 15 μm 栅长GaAs PHEMT低噪声器件制备工艺的开发,在制备工艺中采用了欧姆特性优异的复合帽层欧姆接触、低寄生电容的介质空洞栅结构以及高击穿电压的双槽结构。在此基础上实现了一款性能优异的Ku 波段低噪声放大电路,电路在Ku 频段全频带(14 ~18 GHz)内实现了优良的性能,其噪声系数小于1. 3 dB,增益大于17 dB。电路采用5 V 电源供电,功耗为250 mW,芯片面积为2 mm×1. 6 mm;这款性能优异的Ku 频段低噪声放大器特别适用于高信噪比要求的卫星通信等应用。