晶粒尺寸分布对纳米晶硅薄膜喇曼散射谱的影响

用热丝助化学汽相反应法沉积了nc－Si：H薄膜，测量了它的喇曼散射谱，由透射电子显微镜直接测量了晶粒的大小和分布．应用声子强限制模型和球形粒子假设，并考虑到纳米晶粒的分布对样品的喇曼散射谱进行了拟合．结果表明，在考虑到纳米粒子的尺寸分布后，采用指数权重函数比采用高斯型权重函数更接近于实验测量的喇曼谱．     

LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射

在4.66eV的激光激发下,在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2. 32,2.10和1.90eV的6个PL峰,建立了可见光发射的能隙态模型,讨论了发光机制.     

LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射

在4.66eV的激光激发下,在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2.32,2.10和1.90eV的6个PL峰,建立了可见光发射的能隙态模型,讨论了发光机制     

等离子体-热丝CVD技术制备多晶硅薄膜

采用热丝化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积相结合的技术制备了多晶硅薄膜,通过Raman散射、XRD、吸收谱等手段研究了薄膜结构和光学性质.结果表明,与单纯的热丝和等离子体技术相比,等离子体-热丝CVD技术在一定条件下有助于薄膜的晶化和提高薄膜均匀性.Auger谱研究表明等离子体的引入大大降低了硅化物在高温热丝表面的形成.     

Si~+注入SiO_2薄膜的三个PL峰及其受RTA的影响

将高剂量(1×1017/cm2)Si+注入热氧化SiO2薄膜,在～5.0eV(265nm)激光的激发下,观测到2.97eV、2.32eV和1.73eV的三个光致发光(PL)峰,经快速热退火(RTA)处理后,其PL谱峰形发生变化.本文对PL峰的产生与变化机制进行了初步探讨     

等离子体引入热丝CVD对沉积过程的影响

将等离子体引入热丝化学气相沉积(HWCVD)过程,并采用该技术制备了多晶硅和微晶硅薄膜,通过Raman散射、红外吸收谱等手段研究了薄膜结构性质,讨论了等离子体引入热丝CVD对沉积过程的影响.结果表明,与单纯的HWCVD技术相比,等离子体的加入在一定条件下有助于薄膜晶化、增加薄膜致密度、提高薄膜均匀性并阻止硅化物在高温热丝表面的形成.     

等离子体-热丝CVD技术制备多晶硅薄膜

采用热丝化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积相结合的技术制备了多晶硅薄膜,通过Raman散射、XRD、吸收谱等手段研究了薄膜结构和光学性质.结果表明,与单纯的热丝和等离子体技术相比,等离子体-热丝CVD技术在一定条件下有助于薄膜的晶化和提高薄膜均匀性.Auger谱研究表明等离子体的引入大大降低了硅化物在高温热丝表面的形成.