首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   10篇
  免费   2篇
  国内免费   8篇
工业技术   20篇
  2022年   1篇
  2019年   1篇
  2017年   1篇
  2013年   2篇
  2012年   1篇
  2011年   1篇
  2007年   1篇
  2006年   1篇
  2005年   8篇
  2004年   1篇
  2003年   1篇
  1996年   1篇
排序方式: 共有20条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
本文叙述了聚酰亚胺型耐高温浸清漆CJ-250的合成原理,主要性能以及在特种电机中的应用情况。  相似文献   
2.
文章描述了氧等离子干法剥离光刻胶中MOS器件的性能退化问题,并且制备了不同天线比AR(Antenna Ratio),相同器件结构的NMOS器件来检测器件的退化.实验结果发现栅漏电流密度Jg和阈值电压Vt漂移会随着Al的天线面积的增加而非线性地增加,尤其表现在阈值电压漂移上.运用增加电流应力时间的测试来模拟器件在等离子反应腔中所受的实际应力,发现了与天线比增加时阈值电压变化趋势相同,表明在氧等离子气氛中器件受到了负电应力的影响.最后,基于此次实验的结果,在器件的设计,工艺参数的制定方面提出了一些减小干法剥离光刻胶工艺带来器件性能退化的建议.  相似文献   
3.
研究了高质量超薄氮化硅/氮氧化硅(N/O)叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性,制备了栅介质等效厚度小于2nm的N/O复合叠层栅介质,该栅介质具有很强的抗硼穿通能力和低的漏电流.实验表明这种N/O复合栅介质与优化溅射W/TiN金属栅相结合的技术具有良好的发展前景.  相似文献   
4.
分别采用具有硅化物和不具有硅化物的SOI工艺制成了部分耗尽SOI体接触nMOS晶体管.在体接触浮空和接地的条件下测量了器件的关态击穿特性.通过使用二维工艺器件模拟,并测量漏体结的击穿特性,详细讨论和分析了所制成器件击穿特性的差异和击穿机制.在此基础上,提出了一个提高PD-SOI体接触nMOS击穿特性的方法.  相似文献   
5.
在气田开采中,为了抑制天然气水合物的生成,通常向气井和采气管线注入甲醇并在集气站内分离,产生了含油含醇污水。由于甲醇属毒性物质,含醇污水直接排放会影响环境,因而需要进行无公害化处置。文章介绍了榆林气田南区含油含醇污水预处理处理流程及实际生产存在问题,并通过研究含油含醇污水的组成性质,对预处理药剂的加注量进行优化,使得处理后污水的各项指标达到最佳,减少甲醇回收装置的堵塞及腐蚀,确保生产单元平稳运行。  相似文献   
6.
介绍在等离子工艺中的等离子充电损伤,并且利用相应的反应离子刻蚀(RIE)Al的工艺试验来研究在nMOSFET器件中的性能退化。通过分析天线比(AR)从100:1到10000:1的nMOSFET器件的栅隧穿漏电流,阈值Vt漂移,亚阈值特性来研究由Al刻蚀工艺导致的损伤。试验结果表明在阈值Vt漂移中没有发现与天线尺寸相关的损伤,而在栅隧穿漏电流和低源漏电场下亚阈值特性中发现了不同天线比的nMOS器件有相应的等离子充电损伤。在现有的理解上对在RIEAl中nMOS器件等离子充电损伤进行了讨论,并且基于这次试验结果对减小等离子损伤提出了一些建议。  相似文献   
7.
吴峻峰  钟兴华  李多力  韩郑生  海潮和   《电子器件》2005,28(4):778-781,784
在用体接触结构设计的SOI电路中,浮体效应被压制了,但是体串联电阻的存在仍旧在远离体接触的体区产生局部浮体效应。对于数字电路来说,浮体效应会影响他们的速度。本文采用体接触结构设计了数字D触发器,并制造了这种电路,展示了电路的性能。实际器件的输出特性表明了浮体效应的存在。SPICE模拟表明体串联电阻对体接触SOI数字D触发器速度特性有明显的影响。  相似文献   
8.
大气等离子体喷涂技术是一种常用的涂层制备工艺。作为所制备涂层的结构基元, 单片层的形貌特征及堆叠行为决定了涂层的微结构, 对涂层性能产生显著影响。本文较为系统地综述了与熔滴自身理化状态相关的主体因素、与沉积涂层的衬底相关的客体因素以及环境因素等对单片层形成过程的影响, 着重分析了粉体尺寸、衬底预热过程等产生的多种不同影响及其之间的关联性, 并通过对所述文献涉及实验方法各自特点的比较, 提出未来的实验和模拟研究或都将向着与真实生产条件更加接近的方向发展。  相似文献   
9.
制造了栅长0.1μm,栅氧厚度5.6nm,栅槽180nm的SOI槽栅pMOSFET.给出了器件的转移特性和输出特性.在Vds=-1.5V时,其饱和漏电流为380μA,关态泄漏电流为1.9nA;在Vds=-0.1V下的亚阈值斜率为115mV/dec,DIBL因子为70.7mV/V.实验结果表明,0.1μm SOI槽栅pMOSFET比同尺寸体硅槽栅pMOSFET拥有更好的电流驱动能力和亚阈值特性.  相似文献   
10.
汽车成为人类生活必不可少的交通设备,但发动机积碳会造成性能下降及结构损坏,处理发动机积碳显得尤为重要。通过研究发现,积碳是由于燃油中含有胶质等杂质附着在燃烧室表面经过高温烧结后形成,其形成速度取决于燃油品质、驾驶员驾驶习惯等。针对目前市场上良莠不齐的积碳处理方法,现提出一种新型积碳处理方法,并通过实车试验与传统处理积碳的方法进行对比,发现该方法的效果最好。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号