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1.
本文首次使用分辨电子能量损失谱(HREELS)和紫外光电子能谱(UPS)研究新腐蚀的多孔硅样品(PS)的电子结构.实验结果发现,从HREELS谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值移到2.9eV左右,与文献报道的光激发谱(PLE)的结果相近.UPS结果发现多孔硅费米能级到价带顶的距离不同于单晶硅,结合HREELS和UPS结果可以初步得出多孔硅与硅界面的能带排列.
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2.
采用超短脉冲近红外光(1.06μm)激发,首先在多孔硅表面观察到了较强的可见区荧光产生.荧光强度与激发光强度的三次方关系表明,有效的荧光产生起源于三阶非线性光学效应的增强.对多孔度低的样品观察不到这种荧光发射.通过与多孔硅的紫外光(355 nm)激发谱的比较,我们把这种有效的多光子激发过程归结为来源于多孔硅的量子约束效应.
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3.
本文研究了多孔硅的电致发光现象。在多孔硅上淀积了半透明金膜后,当正向偏压加到15V、电流密度100mA/cm~2时,观察到了稳定的电致可见光发射现象。伏安曲线的测量表明它有明显的类似二极管的整流特性。
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