纳米SiO2基质中Eu3+的发光特性

采用溶胶凝胶法(sol-gel)制备了Eu3+掺杂SiO2基质发光材料,分别用荧光(PL)光谱、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)等分析手段对样品进行了表征,研究了退火温度以及掺杂浓度对发射光谱的影响,并对其发光机制进行了分析.薄膜样品在258 nm光激发下,在620 nm,667 nm处出现了比较少见的双峰红光发射,而620 nm处的光发射最强,说明Eu3+离子处在对称性较低的配位环境中.退火处理温度对样品的发射光谱影响很大,经900 ℃退火处理的样品发射强度最强.随着掺杂浓度的变化,改变了Eu3+ -O2-间的距离,在相同紫外光激发下O2-外层的电子迁移到Eu3+ 4f轨道上的能量变化,使得谱线位置出现了移动.     

HMI显示屏的以太网硬件电路设计

针对城市地铁通信网络发展需求，设计了基于i.MX6Q平台网络系统人机交互显示屏的硬件电路。本文重点阐述了百兆以太网硬件电路总体架构、百兆以太网硬件电路设计和以太网一致性测试。测试结果表明，硬件电路完全符合以太网一致性测试的指标，且设计的以太网硬件电路具有良好的可靠性和较高的实际应用价值。