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本文详细讨论了离子束混合下,Ce/Si〈100〉双层膜体系界面反应的动力学过程以及硅化物的形成规律.样品经150KeV Ar离子注入,辐照温度从LNT到300℃,剂量从5×X10~(14)到8.1×10~(16)Ar/cm~2.界面反应形成的硅化物为CeSi_2,其结构为体心正交结构.硅化物是分层生长的,厚度与注入剂量的平方根成线性关系,这说明界面反应是扩散控制的.与近贵金属/硅体系和难熔金属/硅体系相比较可以看出,稀土金属Ce/Si体系的相变过程与难熔金属/硅体系的相似;而混合的动力学行为与近贵金属/硅体系的相似.本文还讨论了化学驱动力和辐射增强扩散对混合的贡献. 相似文献
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一、引言离子束与固体的相互作用可分为以下几种过程:注入、辐照损伤、溅射和原子混合。离子束混合是指具有能量的离子注入到两种元素的界面区附近,诱导两种元素的相互交混。从七十年代末开始兴起以来,离子束混合的理论与实验研究日益受到重视。从应用的角度讲,它已成为制备过饱和固溶体、亚稳及非晶态合金薄膜及金属硅化物的最新技 相似文献
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