MOCVD外延生长GaN材料的技术进展

第三代半导体材料GaN由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景,目前制备GaN的方法主要有分子束(MBE)、氯化物气相外延(HVPE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)。其中HVPE技术制备GaN的速度最快,适合制备衬底材料;MBE技术制备GaN的速度最慢;而MOCVD制备速度适中。因而MOCVD在外延生长GaN材料方面得到广泛应用。介绍了MOCVD法外延生长GaN材料的基本理论、发展概况、利用MOCVD法外延生长GaN材料的技术进展。认为应结合相关技术发展大面积、高质量GaN衬底的制备技术,不断完善缓冲层技术,改进和发展横向外延技术,加快我国具有国际先进水平的MOCVD设备的研发速度,逐步打破进口设备的垄断。     

碳微集团束的产生及其在CR-39中径迹的AFM观测

在HI－13串行加速器上实现了对碳微集团的加速，得到了MeV级的碳微集团束，对产生的碳的微集团束进行了测量并用它对CR＝－39塑料核径迹探测器进行了辐照，利用先进的原子力显微镜对C1和C2在CR－39中的径迹进行了观测。     

^7Li和^12C离子致DNA损伤的研究

脱氧核糖核酸(DNA)是生物体中一类重要的大分子。它是遗传信息的载体，也是辐射生物学效应的最重要的靶分子。电离辐射可引起DNA多种类型的损伤，其中双链断裂(DSB)是辐射所致生物效应中最重要的原初损伤。此实验旨在用原子力显微镜(AFM)研究重离子辐射诱发的DNA双链断裂。     

AFM在团簇物理研究中的应用

在HI-13串列加速器上首次实现了对碳微集团的加速，得到了MeV级的碳微集团束C2-C4。为了比较，也加速了C1。对产生的碳的微集团束进行了测量，并用它们对CR-39塑料核径迹探测器进行了辐照。利用原子力显微镜对C-C4在CR-39中的径迹进行了观测。得到了C1的径迹深度和孔径随能量的变化以及在同一能量下，C1-C4的径迹深度的差别等十分有意义的信息。     

离子致DNA损伤的实验研究

脱氧核糖核酸(DNA)是辐射生物学效应最重要的靶分子,研究其电离辐射损伤具有重要意义。DNA双链断裂被认为是最重要的原初损伤。此实验用原子力显微镜研究重离子致DNA双链断裂。 首先设计了~(241)Am放射源辐照装置,用它产生的能量为5.48 MeV的α粒子(在水中的LET约为90 keV/μm),对大肠杆菌的超螺旋状ρ GEM-T质粒DNA进行了辐照。辐照剂量为1、4、8和12 Gy。     

缓冲层对外延生长GaN薄膜性能的影响

用分子束气相外延生长(MBE)法,通过改变缓冲层AIN的生长时间沉积GaN薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱仪(Raman Spectroscropy),测试GaN薄膜的应力、平整度、粗糙度、晶体质量.研究了不同生长时间的缓冲层对GaN薄膜性能的影响,结果发现:生长30...     

α粒子辐照致DNA双链断裂的AFM观测

在放射生物学中，脱氧核糖核酸(DNA)是电离辐射引致细胞杀伤或转化的主要靶分子，研究它的电离辐射损伤具有深远的意义。以此为目的，选用LET为90keV／μm的a粒子，以不同的剂量对纯化的质粒DNA进行辐照，并用原子力显微镜(AFM)对其所诱发的DNA双链断裂进行了定性观测．同时，用凝胶电泳技术对DNA的形态进行了分析。     

α辐射致DNA双链断裂的AFM观测

利用先进的原子力显微镜(AFM)技术及凝胶电泳技术，对5．48MeV的α粒子辐照后的水中pGEMT1质粒DNA进行分析，通过AFM观测，得到了清晰的DNA分子及α辐射致其双链断裂的直观图，并采用凝胶电泳对辐照前后DNA的损伤机理进行了研究，结果表明DNA链的断裂数目随着粒子照射剂量的增加而增加，并通过测量DNA片段所占比例关系．可获得DNA的片段分布.     

玉米双胚苗及其随机多态性DNA分析

利用中国原子能科学研究院HI-13串列加速器产生的12C重离子辐照玉米自交系478干种子,在经20 Gy剂量辐射的M1代中产生了一株双胚苗.应用随机多态性DNA(RAPD)分析技术,观测到双胚苗的大、小苗之间及其与亲本自交系478在RAPD指纹上存在着差异,从分子水平上初步证实了双胚苗为自交系478的变异类型.     

薄膜中轻元素的ERD分析

经过氢化处理的SiC.SiN和SiO等薄膜,作为新的光电子及保护层材料,它们中的H.C.N和Si的比份是影响其性质的主要因素。要弄清如离子注入、退火等各种处理过程中这些元素的输运机制,需要精确测定其成分及杂质的深度分布。离子束分析技术是解决此问题最有效的办法。由于卢瑟福背散射(RBS)不能测量H,人们通常用RBS测其它元素,再用α束弹性反冲法测H。两次存在截面