基于软开关技术的氩弧焊逆变焊机

作为新型逆变弧焊电源核心技术的软开关技术,它较好解决了具有关断拖尾特性的IGBT开关转换,同时大大减少了变换器的环路损耗。电源的主要开关功率器件进行的是零开关,减少了功率器件的电压、电流应力。     

静态随机存储器单粒子翻转效应的二维数值模拟

采用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转(SEU)现象进行了计算。对MOSFET漏区模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。通过输入不同粒子的线性能量传输LET值,得到了某一结构器件的收集电荷与LET值的关系曲线,并给出临界电荷7 73×10-14C。     

中电协中国继电保护及自动化行业年会在河南许昌召开

2004年5月22-23日由中电协中国继电保护及自动化设备分会主办的中电协中国继电保护及自动化行业年会在河南省许昌市隆重召开。来自全国各地的电力用户、国内外电力制造企业和元器件供应企业代表共350人参加了会议，其中会员单位代表118人。年会的主题是：“电力、寻求、共赢”。     

质子在砷化镓材料中产生位移损伤的Geant4模拟

本文使用Geant4模拟了1、5、10、20、50、100、500、1000 MeV能量的质子入射GaAs的位移损伤情况。随入射质子能量的增大，产生的初级离位原子（PKA）数目增加、种类增多；PKA能谱分布总体上呈递减趋势，PKA在低能量区间所占份额降低，在高能量区间所占份额升高。研究结果表明，辐射缺陷浓度在质子入射方向上遵循布拉格规律。     

硅材料和二极管的单粒子位移损伤的多尺度模拟研究

基于二体碰撞近似理论（BCA），应用分子动力学（MD）和动力学蒙特卡罗（KMC）方法相结合的多尺度模拟方法，研究了单粒子位移损伤（SPDD）缺陷及电流的演化过程。研究结果表明，SPDD事件中引起的缺陷在106 s内分为3个阶段：阶段Ⅰ(1×10-11 s≤t<2×10-3 s)以点缺陷成团为主；阶段Ⅱ(2×10-3 s ≤t<2×102 s)中以缺陷团内部的间隙原子和空位复合反应为主；阶段Ⅲ(t≥2×102 s)中以小缺陷团发射间隙原子和空位为主。提出一种计算粒子在硅二极管中引起的SPDD电流的方法，推导了多种缺陷存在时引起的二极管反向电流增加的计算公式。基于KMC模拟的位移损伤缺陷演化结果，计算了光电二极管的SPDD电流密度及归一化退火因子。结果表明，KMC模拟计算的退火因子与文献实验测量结果相一致，建立的多尺度模拟方法可预估硅器件的SPDD电流。     

空气动力控制伺服系统位置控制精度研究

空气动力控制伺服系统作为姿态控制系统的执行结构,其控制精度对飞行器的姿态稳定性具有重要意义。以某飞行器空气舵摆角位置伺服系统为研究对象,建立了伺服系统的动力学模型,基于Simulink平台搭建系统的仿真模型,通过仿真和相关地面试验,探讨传动间隙对系统静态特性的影响。结合工程经验,优化完善系统角位移传感器安装方案,解决系统角位移测量曲线相位滞后问题。优化后系统空气舵摆角控制精度1.5%,满足姿控系统使用要求,具有较高的工程应用意义和参考价值。     

基于AMESim的组合式油压机冲盂系统仿真研究

以某型组合式油压机冲盂系统为研究对象,介绍了组合式油压机液压冲盂系统的组成和工作原理,利用AMESim软件分别建立冲盂回路中二通方向插装阀、二通压力插装阀、二通比例流量插装阀模型,并利用插装阀的样本实测曲线校正和优化仿真模型.在此基础上,建立油压机冲盂回路工作模型,完成冲盂工序油压机系统特性仿真分析,为油压机系统方案设计和驱动缸压力柔性控制提供参考.     

Internet拥塞控制分析

随着互联网业务量的剧增和新业务的层出不穷，单一的TCP协议已经不能胜任所有的拥塞控制任务。因此。论述了Internet拥塞控制研究方面最新的研究进展，分析了网络拥塞的原因，讨论了网络拥塞控制的方法。最后，得出了只有采用多种策略，并从多个角度实施拥塞控制，才能更好地保证互联网的正常运行。     

单粒子效应辐射模拟实验研究进展

应用质子直线加速器进行了静态随机存取存储器(SRAM)的单粒子效应模拟实验研究.采用金箔散射法降低质子束流,研制了弱流质子束测量系统,测量散射后的质子束流,实验测得SRAM质子单粒子翻转截面为10-14 cm2/bit量级.利用重离子加速器和锎源进行了SRAM的单粒子效应实验.研究其单粒子翻转截面与重离子线性能量传输(LET)值的关系,得到了单粒子翻转阈值和饱和截面.实验表明252Cf源单粒子翻转截面与串列加速器的重离子单粒子翻转截面一致,说明对于SRAM,可以用252Cf源替代重离子加速器测量单粒子翻转饱和截面.与中国原子能研究院、东北微电子研究所合作开展了国内首次重离子微束单粒子效应实验.建立了大规模集成电路重离子微束单粒子效应实验方法,找到了国产SRAM的单粒子翻转敏感区.应用14MeV强流中子发生器进行了SRAM单粒子效应实验,测得了64K位至4M位SRAM器件14MeV中子单粒子翻转截面.用α源进行SRAM单粒子效应辐照实验,模拟封装材料中的232Th和238U杂质发射出的α粒子导致的单粒子翻转.测量α粒子射入SRAM导致的单粒子翻转错误数,计算单粒子翻转截面和失效率,比较三种器件的抗单粒子翻转能力,为器件的选型提供依据.并开展了路由器的α粒子辐照实验,复演了路由器在自然环境中的出错情况,为路由器的设计改进提供了依据.     

基于决策树的藏语拉萨话三音子模型

对藏语拉萨话中单音子及三音子分布情况进行了统计,分析了在藏语大词表连续词表连续语音识别中建立上下文相关声学模型的必要性.选择音素为建模单元,根据藏语特点,建立以音节为单位的发音字典.讨论了利用决策树建立三音子模型的几个关键问题和基本算法,结合国际音标分类和经验知识,确定了38个藏语拉萨话音子类别集及相应的决策树问题集.建立了共20个发音人8 170句的训练语料,在HTK平台上建立和训练得到了基于决策树的藏语拉萨话三音子模型,并分析了不同隐马尔可夫模型状态数及高斯混合度下的识别结果,确定了一套藏语大词表连续语音识别的完整方案.