半导体量子点最低导带态的量子限制效应

采用最新计算方法和半导体体材料传统量子计算结果,系统研究了14种半导体(Si,Ge,Sn,AlSb,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,ZnS,ZnSe,ZnTe,CdTe)的立方量子点,得到了最低导带态的量子限制效应结果,我们把量子点对尺寸的依赖关系分为三类并详细讨论了它们的差别。     

等离子体微细加工技术的新进展

在大集成电路制造中常用反应离子刻蚀，但对于加工２００ｍｍ以上直径的片子和０．２５μｍ的线宽及孔洞，它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备（ＥＣＲ，ＩＣＰ，ＨＷＰ）和高浓度等离子体可以解决这一问题。已经在整个片子上均匀地获得高的刻蚀速率。剖面控制精确，可改善图形的保真度。本介绍了干法刻蚀技术的这一最新进展，阐述了电子回旋共振等离子体源、感应耦合等离子体源、螺旋波等离子何不原的工作原理和干法刻蚀的关     

三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较

对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.     

三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较

对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.     

功率GaAs MESFET微波特性的分析

本文介绍了功率砷化镓肖特基势垒栅场效应管(GaAs MESFET)微波性能的理论分析方法,叙述了对器件进行计算与实验测量的结果,讨论了典型的实验现象,证明了本文的分析对功率GaAs MESFET是适用的。     

氮化镓基固态器件的研究进展

GaN是大功率和高温半导体器件的理想化合物半导体材料,具有宽禁带,高击穿电压,异质结构道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度,本文着重阐述了宽禁带III－V族化合物半导体器件的研究进展。     

等离子体微细加工技术的新进展

在大规模集成电路制造中常用反应离子刻蚀 ,但对于加工 2 0 0mm以上直径的片子和 0 2 5 μm的线宽及孔洞 ,它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备 (ECR ,ICP ,HWP)和高浓度等离子体可以解决这一问题。已经在整个片子上均匀地获得高的刻蚀速率。剖面控制精确 ,可改善图形的保真度。本文介绍了干法刻蚀技术的这一最新进展 ,阐述了电子回旋共振等离子体源、感应耦合等离子体源、螺旋波等离子体源的工作原理和干法刻蚀的关键技术问题。     

硫钝化对GaAs MESFET饱和源漏电流影响的实验研究

硫钝化对GaAs FET的电特性有重要影响．本文分析了硫钝化后GaAs MESFET饱和源漏电流(IDSS)下降的原因,认为硫处理降低了Nd和Nd/Na(Nd为施主缺陷密度;Na为受主缺陷密度),表面费米能级向价带顶移动,能带弯曲加剧,表面耗尽层变厚,导电沟道变窄,是导致饱和源漏电流下降的主要因素．对样品进行225℃退火可使饱和源漏电流恢复到钝化前的水平。