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1.
具有钙钛矿结构的混价锰氧化物La1-xSrxMnO3是一种庞磁电阻材料。由于其在磁电阻存储器、读写磁头及各类磁传感器方面潜在的应用前景以及其丰富的物理内涵,一直引起人们的普遍关注。在过去的几年里,La1-xSrxMnO3薄膜以多种技术如脉冲激光沉积、MOCVD和磁控溅射等生长在不同基体上,  相似文献   
2.
基于高分辨电子显微镜实验研究,采用第一原理方法系统研究了Fe在BaTiO3(001)不同类型截止表面的吸附状态,解析Fe/BaTiO3界面的原子结构和界面成键性质。研究指出,Fe在BaTiO3(001)表面的吸附强弱与界面Fe—O键有关,Fe在TiO2截止面更能稳定的外延生长;然而,Fe—O在BaO截止面比在TiO2截止面的成键作用更强。  相似文献   
3.
两种实验合金(DD00和DD0WR)被设计用于阐明难熔元素W/Re对镍基单晶高温合金再结晶行为的影响。对比DD00合金,加入W/Re的DD0WR合金的再结晶形核阶段被延长,晶粒长大速率减慢,这也意味着DD0WR合金的再结晶行为明显受到抑制。通过透射电镜(TEM)明场像观察,随着热处理时间地延长,DD0WR合金的位错密度消除得更慢。结合TEM中扫描透射电子显微探测器(STEM)和X射线能谱仪(EDS)观察发现,在DD0WR合金中,位错和晶界处有W/Re元素富集。据此可知,对于DD0WR合金,由于难熔元素W/Re在位错和晶界处富集,阻碍了位错运动和晶界迁移,有效地抑制了再结晶的发生。  相似文献   
4.
5.
用透射电子显微镜对PbTiO_3/SrTiO_3(001)薄膜内部所形成的复杂畴组态以及畴壁处的位错进行了系统的研究。透射电镜结果和几何相位分析(GPA)表明,薄膜内部两个交叉的a畴内部出现了180°畴壁,导致在局部区域形成了全闭合畴结构,在铁电畴壁处观察到高密度位错。高分辨HAADF-STEM像分析显示,在90°畴壁处容易形成a<011>型位错,在180°畴壁处容易形成a<100>型位错,表明位错的形成与铁电畴壁类型存在强耦合关系。  相似文献   
6.
利用激光分子束外延方法在(001)SrTiO3衬底上制备庞磁电阻La0.8Sr0.2MnO3薄膜.发现高密度、尺度均匀的纳米聚集物弥散地分布在La0.8Sr0.2MnO3薄膜中.Z衬度像、EDS及电子衍射综合分析表明,这些纳米聚集物的内部成分出现起伏,主要特征是富Mn贫La,Mn/La的比值在其核心处达到极大值,形成立方结构的第二相MnO.LSMO薄膜由两种正交结构的取向畴组成.MnO与畴1的取向关系为[101]LSMO,1//[100]MnO和(010)LSMO,1//(010)MnO;与畴2的关系为[101]LSMO,2//[100]MnO和(010)LSMO,2//(001)MnO.在LSMO/STO外延体系中,还观察到大量的失配位错.失配位错的类型分为刃型失配位错,位错线沿<100>方向;螺型失配位错,位错线沿<110>方向.刃型位错是基中原有位错在薄膜生长过程中沿生长表面的扩展造成的;螺型失配位错的形成与降温过程中LSMO正交结构的取向畴的形成有关.  相似文献   
7.
8.
本文利用高角环形暗场成像技术获得六角Cr2Ta Laves相的重原子分辨的原子序数(Z)衬度像,阐述了在相近分辨率情况下Z衬度成像技术与普通高分辨像相比具有一定优势.从所得到Cr2Ta的层错的Z衬度像,直观地解释了层错的原子排列构型,为理解复杂结构中缺陷的原子构型提供了资料.  相似文献   
9.
伴随现代交通设施、信息网络和通讯技术的飞速发展以及经济全球化的不断深化,世界城市研究已开始由等级范式向网络范式转向,网络视角的世界城市研究正方兴未艾并渐成国际主流.在阐明世界城市研究范式转向的理论背景、时间脉络和内在实质基础上,重点从理论基础、实证方法和研究对象等三个方面对网络视角的世界城市研究进展进行了系统梳理和深入评述.进而借鉴西方主要学者在世界城市网络研究中有关中国城市的实证研究结果,对中国主要城市在世界城市网络中的地位及中国建设世界城市的可行性进行了初步分析和探讨.结果表明,以北京、上海和香港为代表的中国主要城市在世界城市网络中已居重要地位,未来中国应该并将会有更多的主要城市步入世界城市行列.  相似文献   
10.
本文利用透射电子显微镜(TEM)研究了由磁控溅射法生长的多铁性BiFeO3/SrTiO3多层膜的微观结构。衍衬分析及高分辨电子显微(HRTEM)像显示出界面清晰的各个单层。BiFeO3外延生长在SrTiO3(001)衬底上,生长方向沿基体c轴。随着薄膜厚度的增加,即多层膜周期的加长,层与层之间界面不再平直。原子序数Z衬度成像,EDS线扫以及各种元素的能量过滤综合分析确定了多层膜的成分变化特征。  相似文献   
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