生物质链条炉排炉调试方法及点火方式研究

针对古巴西罗雷东多1×60 MW生物质电站的链条炉排炉特点,详细介绍了该锅炉的调试方法及点火方式。对锅炉播料系统进行了试验及调整,确定了链条炉排炉的点火方式,为电站机组的安全稳定运行创造了条件。     

双反馈晶振和石英谐振器低噪声性能的进一步研究

本文进一步探讨了有关双反馈晶振低噪声性能的问题,着重分析了石英谐振器静电容C_0对双反馈晶振电路Q倍增固子、石英谐振器Q值及净噪特性的影响。为验证上述C_0的影响,也对不同C_0的石英谱振器的相噪特性进行了测量并得到了与分析一致的结果。     

高速InP/InGaAs雪崩光电二极管

采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次扩散、多层介质淀积、AuZn p型欧姆接触、AuGeNi n型欧姆接触等工艺,设计制造了正面入射平面InP/InGaAs雪崩光电二极管,器件利用InGaAs做吸收层,InP做增益层,光敏面直径50 μm;测试结果表明器件有正常的光响应特性,击穿电压32～42 V,在低于击穿电压2 V左右可以得到大约10A/W的光响应度,在0到小于击穿电压1 V的偏压范围内,暗电流只有1 nA左右;器件在2.7 GHz以下有平坦的增益.     

既有建筑物立面改造外架连墙件施工方法实践与应用

本文以重庆市涪陵区主干道环线环境综合改造工程为例，阐述了化学螺栓后置连墙件技术的总体思路、技术特点、适用范围、施工工艺流程以及质量控制要点。该技术既满足脚手架连墙件受力计算要求和保证了脚手架的使用和施工安全，又降低了工程费用，加快了施工进度，同时满足了既有建筑各住户内部正常使用和安保的要求。     

基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC

采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9.     

三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较

对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.     

E/D型HEMT DCFL倒相器

<正> 一、引言为了满足超高速计算机、高速数据处理和卫星通信等高性能电子系统的迫切需要,人们一直在寻求和开发新的超高速和微波器件。利用异质界面二维电子气(2DEG)高迁移率特性的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其IC已显示出巨大的发展潜力和广阔的应用前景。因而成为最有希望的候选者之一。以增强型(E型)HEMT为开关管、耗尽型(D型)HEMT(或饱和电阻)为负载的E/D(或E/R)型直接耦合场效应晶体管逻辑     

YG450/80堆取料机的改造

我厂2500t/d新型干法生产线使用YG450/80堆取料机均化石灰石,自2004年3月投入使用以来,取料机刮板中间大部分导轮经常不转,中间导槽靠料耙侧磨损快、导槽更换频繁,链条经常脱销轴、掉链,生产受到严重影响。经分析研究,发现主要原因是导轮、链条销轴设计不合理。经过改造后,再也没有出现这种现象。本文对此做一总结。