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学科分类
工业技术 | 125篇 |
出版年
2023年 | 2篇 |
2022年 | 8篇 |
2021年 | 4篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 2篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 3篇 |
2016年 | 4篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 9篇 |
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2012年 | 5篇 |
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2010年 | 4篇 |
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2008年 | 12篇 |
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2006年 | 5篇 |
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2004年 | 6篇 |
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2001年 | 1篇 |
2000年 | 1篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 1篇 |
1995年 | 1篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
1985年 | 2篇 |
1982年 | 2篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 1篇 |
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随着科学技术的发展,计算机视觉技术的应用范围越来越广。电力作为社会发展的重要保障,同样需将计算机视觉技术与电力系统自动化进行结合,以提升电力系统的工作效率与工作质量。文章分析了计算机视觉技术的含义,提出了计算机视觉技术在电力系统自动化中的应用,旨在为今后开展相关研究提供参考。 相似文献
5.
近年来,片上光子集成技术备受关注并飞速发展,但在光纤与芯片、芯片与芯片上实现高效、高可靠性的光耦合仍是难题。光栅因其制作简单,位置灵活,对准容差大及可实现片上测试等一系列优点而备受研究者的关注。目前在绝缘体上硅(SOI)平台和绝缘体上铌酸锂(LNOI)平台上已开发出大量的光栅耦合器件,并获得较高的耦合效率和大带宽。该文主要介绍光栅耦合器的工作原理和主要性能指标,阐述了均匀光栅、倾斜光栅、闪耀光栅和切趾光栅耦合的特点及现阶段进展,并对具有代表性的一维光栅性能指标进行了比较。结果表明,分布式布喇格反射镜和金属反射镜可有效地提升光栅耦合效率。此外,该文还介绍了基于 LNOI平台的几种光栅耦合器, 其可帮助研究者们梳理光栅耦合器的发展历程、研究现状及各耦合器的特点,为未来研究提供一定的参考。 相似文献
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准同型相界(MPB)附近BS-PT高温压电陶瓷研究 总被引:6,自引:0,他引:6
(1-x)BiScO3-xPbTiO3陶瓷(简记BS-PT)在x=64.0%附近存在一个从菱方晶系过渡到四方晶系的准同型相界,在此相界附近材料能获得优良的介电和压电性能.本文选取PbTiO3含量在64.0%-65.5%的准同型相界附近的材料组分,利用传统的固相烧结反应法合成了纯钙钛矿相结构的BS—PT陶瓷,通过对材料的相结构形成过程和内部形貌分析以及对介电、压电性能的研究,发现在x=64.5%的组分条件下,BS—PT陶瓷材料获得了准同型相界范围内的最优的压电性能,其室温压电常数d33可达500pC/N,且居里温度(Tc)达到了438℃,剩余极化强度和电致应变分别为44μC/cm^2和3.5‰.研究表明,准同型相界附近的BS-PT陶瓷是一种优良的压电换能器和传感器材料. 相似文献
7.
反铁电陶瓷材料在电场诱导下发生反铁电-铁电相变.为了研究快速电场诱导相变,诱导电场选择高压脉冲电源产生的脉冲电场.反铁电陶瓷选用Pb(Zr,Sn,Ti)O3相图中位于反铁电-铁电相界附近,正向相变电场小于40kV/cm的锆锡钛酸铅.脉冲电源输出波形为2.7 μs电压脉冲,测量陶瓷样品两端的电压波形与所通过的电流波形,作出正向半周期的"脉冲电滞回线".可以看到反铁电陶瓷在脉冲电场诱导下发生了相变. 相似文献
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通过调节Zr^4+/Ti^4+比对La^3+、Sr^2+掺杂的PZST反铁电陶瓷进行分析,从中得到两种能用于电压调节器件的陶瓷材料。在20~80℃时,这两种材料的相变电场随温度变化不大。材料的反向开关时间为1~12μs,开关时间随反向相变电场的升高而减小,且与样品的尺寸有关。 相似文献
10.
<正> 上海纺织工业局产品研究室于1984年12月19~20日在上海第三十一棉纺织厂对丙纶有色高粗长丝BCF变形丝及异形长丝三只产品进行了鉴定,参加这三只产品鉴定会的共有33个单位计46名代表。 与会同志一致认为,丙纶高粗长丝、BCF变形丝及异形长丝的生产工艺可行,产品质量稳定并符 相似文献