HBT MMIC功率放大器的自适应线性化偏置技术

设计HBT MMIC功率放大器,偏置电路的选择对于提高功率放大器的效率和线性度至关重要.为了在效率和线性度之间取得良好折中,一个重要的方法是让HBT的偏置点随输入信号的功率变化而变化.许多文献都对这种自适应偏置技术进行了研究,然而,对于多种自适应线性化偏置电路比较和分析的文章尚未见报道.本文综合叙述了适用于HBT MMIC工艺,尺寸小、成本低的多种自适应线性化偏置电路,总结了这些偏置电路的基本工作原理,并提出了一种改进的线性化偏置电路.     

面向DSRC的5.8GHz射频功率放大器仿真设计

基于winHBT工艺,利用ADS软件实现了用于DSRC系统5.8GHzRFPA的仿真设计,电路采用自适应线性化偏置电路,为核心电路提供了补偿电流和补偿电压。根据二端口网络S参数和Loadpull技术完成了功率放大器的匹配网络设计。最后在Cadence环境下完成了功放的版图设计。     

高功率微波可变衰减器

介绍了高功率微波可变衰减器的设计和测量结果.刀形衰减器的衰减片由通水的聚四氟乙烯制成,利用槽波导技术和截止波导技术,降低了衰减器的漏能。衰减量的变化范围是0-10dB。在工作频段内除少数测量点之外，驻波比小于1.1，可以安全使用。     

数据库思想在VXI总线检测维修系统软件中的应用

结合具体实例,介绍了一套基于数据库的VXI总线电子设备专用检测维修系统,给出了该系统的软件实现方法,讨论了数据库思想在VXI软件系统中的应用。     

基于IBM SiGe BiCMOS工艺5PAe的2GHz功率放大器设计

采用IBM公司刚刚推出试用的0.35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个2GHz功率放大器. 该放大器采用两级单端结构,除集电极扼流电感外,其余元件全部片上实现,具有集成度高、结构简单的特点. 通过在管子基极和匹配电感中串联电阻,实现了全频段稳定. 键合测试表明,在所有电源电压下电路均能稳定工作. 在VC=3.5V, VB=6V, f=2.0GHz时,小信号增益为20.8dB,输入输出反射系数分别小于-17和-16dB, Pout-2dB约为24dBm. 而在输出功率为25.1dBm时,功率附加效率达到21.5%,二次和三次谐波分别小于-45和-52dBc,因而具有较好的线性度.     

一种高dB-线性宽动态范围CMOS可变增益放大器

基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种高dB-线性宽动态范围的CMOS可变增益放大器.拽数电路通过伪Taylor200 MHz构dB-可变增益单元采用可变跨导、可变负载结构.Hspice仿真结果显示,3-dB带宽为200 MHz,在dB-线性内,输出电压的增益动态范围达40 dB,误差在±0.5dB之内...     

矩形槽波导的模式图

本文用有限元法分析了矩形槽波导。对矩形波导的计算验证了我们的有限元程序是有效的。文中给出的矩形槽波导模式图有助于设计基于矩形槽波导的短毫米波和亚毫米波器件。     

体育教学与训练探究学习方法之研究

体育教学与训练探究学习研究对受教育者要求是学会,重点是会学。教师的使命不是“授人以鱼”而是“授人以渔”。探究教学在教师指导下,学生运用探究方法进行学习,主动获取知识,发展能力的实践活动,其有利于培养学生的观察能力、实验能力、思维能力、培养学生之创新能力。探究教学以探究为基本特征的一种教学活动形式,培养学生主动探索、主动思考、主动获取知识和发展能力活动,培养搜集、精加工需要的新资料,以次获得在体育运动情境中发现问题、解决问题之方法,把体育系的学生教育为有创新能力和实践能力人才。     

一种偏置电流可调节的高效率2.4GHz锗硅功率放大器

基于IBM0.35μm SiGe BiCMOS工艺BiCMOS5PAe实现了一种偏置电流可调节的高效率2.4GHz锗硅功率放大器。该功率放大器采用两级单端结构和一种新型偏置电路,除射频扼流电感外,其它元件均片内集成。采用的新型偏置电路用于调节功率放大器的静态偏置电流,使功率放大器工作在高功率模式状态或低功率模式状态。在3.5V电源条件下,功率放大器在低功率模式下工作时,与工作在高功率模式下相比,其功率附加效率在输出0dBm时提高了56.7%,在输出20dBm时提高了19.2%。芯片的尺寸为1.32mm×1.37mm。     

基于VXI总线的电子设备检测维修系统设计

从科研实际出发，介绍了一套基于VXI总线的电子设备专用检测维修系统，重点讨论了该系统的软件及硬件实现方法。