硅研磨片超声波清洗技术的研究

介绍了硅研磨片清洗的重要性,分析了影响硅研磨片质量的主要因素,即金属杂质和各种污染物.重点分析了硅研磨片表面沾污的原因,并且通过大量的实验分析得到了活性剂和碱性清洗液、去离子水的最佳体积比是0.20:1.00:10.0,清洗的最佳时间为3 min～5 min和最佳温度范围为40℃～50℃.     

太阳能电池中晶体硅绒面的制作研究

重点是研究不同腐蚀条件对晶体硅片表面织构形貌的影响。通过分析腐蚀条件对表面微结构均匀性的影响,用金相显微镜观察绒面的表面织构形貌,对结果进行分析讨论,确定合理的工艺条件,为实际生产过程中制作良好绒面提供一种最佳工艺条件的参数范围。     

一种改善晶片几何参数的研磨技术

研究表明,研磨工艺对改善半导体晶片几何参数非常关键.本文提出了一种在研磨工艺中采用多组厚度递减的游星片和晶片翻面的方法,有效地改善了晶片的几何参数.     

线切割机加工半导体晶片质量控制的研究

根据线切割机的工作原理,切片过程中硅片因机械作用造成的刀痕、损伤、破损产生包括机械应力和热应力在内的应力,进而产生滑移位错.当机械应力和热应力在高温处理过程中的作用超过晶体滑移临界应力时,会产生硅片的破碎.对于翘曲度、弯曲度、总厚度误差、中心厚度误差等方面的质量控制,通过调整线张力、进给速度、冷却剂流量等一系列工艺措施可达到目的及要求,大大降低了生产成本,提高了生产效率.实验证明,线切割机切出的硅片的厚度和质量都很好地满足了下一道工序的要求.