| 硅研磨片超声波清洗技术的研究 |
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| 引用本文： | 刘玉岭,常美茹.硅研磨片超声波清洗技术的研究[J].电子工艺技术,2006,27(4):215-217. |
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| 作者姓名： | 刘玉岭 常美茹 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
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| 摘 要： | 介绍了硅研磨片清洗的重要性,分析了影响硅研磨片质量的主要因素,即金属杂质和各种污染物.重点分析了硅研磨片表面沾污的原因,并且通过大量的实验分析得到了活性剂和碱性清洗液、去离子水的最佳体积比是0.20:1.00:10.0,清洗的最佳时间为3 min～5 min和最佳温度范围为40℃～50℃.
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| 关 键 词： | 硅片 清洗 污染物 铁沾污 金刚砂及杂质 超声波清洗 |
| 文章编号： | 1001-3474（2006）04-0215-03 |
| 收稿时间： | 2006-05-08 |
| 修稿时间： | 2006年5月8日 |
Ultrasonic Cleaning Technology of Grinding Silicon Wafer |
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| LIU Yu-ling,CHANG Mei-ru.Ultrasonic Cleaning Technology of Grinding Silicon Wafer[J].Electronics Process Technology,2006,27(4):215-217. |
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| Authors: | LIU Yu-ling CHANG Mei-ru |
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| Affiliation: | CETC No. 46, Research Institute, Tianjing 300220, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Silicon wafer Cleaning Contaminant Iron contaminant Emery and impurity Ultrasonic cleaning |
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