八羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性

用真空蒸镀方法,在玻璃衬底上制备了衬底温度不同的八羟基喹啉镉薄膜.XRD分析表明,八羟基喹啉镉薄膜呈多晶态,且衬底温度越高,衍射峰越强,薄膜的结晶性能逐渐变好,结晶晶粒尺度也越大.AFM研究表明,衬底温度升高,薄膜表面形貌越均匀有序,质量变好.MM-16相调制型椭圆偏振光谱仪研究发现,衬底温度升高导致反蒸发增强,薄膜生长速率减小,随着入射光波长的增加,薄膜的折射率和消光系数逐渐减小.随着衬底温度升高,因薄膜晶粒尺度增大,折射率和消光系数也增大;并给出了它们的变化范围.     

满滚子径向自锁轴承的设计

满滚子径向自锁轴承是一种无保持架且滚子不能从外滚道径向掉出的向心短圆柱滚子轴承,文中分析了自锁条件,给出了计算外圈挡边系数及主参数的步骤和公式。附图6幅。     

便携式真空储运器

真空制冷技术是目前降温速度最快的一门技术。它是一种理想的冷却方法,它能使各种金属和非金属纳米薄膜在真空下氧化速度减缓,从而使制备薄膜和野外测量变得方便。本文主要介绍了多功能真空储运器的各功能并对其冷却效果进行实验分析,着重阐述了多功能真空储运器轻便、易于携带、性能稳定可靠等优点。     

采用真空镀膜制备的叠层结构有机场效应晶体管的研究

本文报道了一种叠层结构有机场效应管,它有别于一般的顶接触式和底接触式结构OFET.该器件采用真空镀膜制备,以SiO2作为绝缘层,酞菁铜CuPc作为沟道层.测量出其输出特性曲线,可看见较明显的场效应特性.对器件温度特性的研究表明,漏极电流随着温度的升高而增大.XRD分析表明,在Si/SiO2和Si/SiO2/Al两种衬底上蒸镀制备的CuPc薄膜呈多晶结构,且两种衬底上的CuPc薄膜晶粒尺度大致相等.     

八羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性

用真空蒸镀方法,在玻璃衬底上制备了衬底温度不同的八羟基喹啉镉薄膜.XRD分析表明,八羟基喹啉镉薄膜呈多晶态,且衬底温度越高,衍射峰越强,薄膜的结晶性能逐渐变好,结晶晶粒尺度也越大.AFM研究表明,衬底温度升高,薄膜表面形貌越均匀有序,质量变好.MM-16相调制型椭圆偏振光谱仪研究发现,衬底温度升高导致反蒸发增强,薄膜生长速率减小,随着入射光波长的增加,薄膜的折射率和消光系数逐渐减小.随着衬底温度升高,因薄膜晶粒尺度增大,折射率和消光系数也增大;并给出了它们的变化范围.     

有机电致发光器件发光层中电场与载流子浓度分布的数值研究

以陷阱电荷限制传导理论为基础 ,用数值方法研究了单层有机电致发光器件发光层中电势、电场和载流子密度的空间分布 .分析结果表明 ,电场强度在靠近两边电极的地方上升很快 ,而在中间区域几乎是线性地缓慢增大 .大部分载流子分布在靠近两个电极的地方 ,只有少量分布在中间区域 .在靠近注入电极的地方扩散电流大于漂移电流 ,而在其它区域漂移电流大于扩散电流.     

数值分析发光材料性质对OLED电流和亮度的影响

以具有指数分布的陷阱电荷限制电流为基础,用数值方法定量分析了单层有机电致发光器件(OLED)发光材料陷阱特性和发光层厚度对器件电流和亮度的影响。结果表明,电流密度和亮度随陷阱分布特征能级和有机层厚度的增大指数减小,并与总陷阱密度的1次方成反比,1为陷阱分布特征参数。     

采用低温辐射加热源的有机半导体薄膜真空蒸发设备的研制

针对有机半导体材料的蒸发温度低的特点,设计并制作了低温辐射式加热器和衬底加热器.低温辐射式加热器能有效的克服传统加热源在制备有机半导体薄膜过程中的缺点.衬底加热器也能明显的改善有机半导体薄膜的表面形貌.采用低温辐射式加热器和衬底加热器对有机半导体材料进行蒸发或溅射镀膜能够取得良好效果.其制作成本低,加热效率高,同时又能提高原有设备功效,在教学和科研生产中有着广泛的应用前景.