英国道蒂公司用的双向旋转轴流体动力密封圈介绍

1.道蒂双向流体动力密封圈(ZDR) 2DR直接由模具压出,无须修整尺寸和毛刺。在密封图靠大气部分,沿密封唇圆周均匀分布着圆弧形凸块(图1)。当顺轴线将密封圈切开观察时,可发现凸块表面是与自由状态下密封圈的轴线平行。密封圈安装到轴上去时,由于径向过盈,密封唇所在的挠形部分将绕O点偏斜(图2),     

基于结晶动力学模型对胞苷酸初晶点的研究

结晶提纯5’-胞苷酸二钠的过程存在明显的不确定性和高度的非线性,其中初晶点无法在线检测,给过程优化策略的实施带来了阻碍。利用单纯形法估计出浓液浓度预测模型的参数,通过浓液浓度的变化预测初晶点范围,并建立了关于流加速率对初晶点的模型。模型结果与实验结果基本吻合,建立的模型有效。     

结晶法提纯钛白副产硫酸亚铁

针对硫酸法生产钛白粉过程中副产的硫酸亚铁,采用结晶法对硫酸亚铁进行提纯。运用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子吸收光谱(AAS)等分析手段对结晶后粒子的晶相、形貌和杂质含量进行了分析。结果表明,结晶法提纯制备的硫酸亚铁颗粒结晶度高、晶粒形貌好、杂质含量少。通过结晶温度、结晶次数和p H值对硫酸亚铁结晶提纯影响的研究,发现在溶解温度为60℃,结晶温度为10℃,p H值为2,采取3次结晶时,就可有效去除杂质,提纯钛白副产硫酸亚铁。此外,还探究了结晶后母液的循环利用,可为工业化应用提供适当的数据参考。     

丙酮-丁醇发酵过程软测量系统

在丙酮-丁醇发酵过程动力学模型的基础上,通过动态数据交换技术,结合组态王和VB软件开发了丙酮-丁醇发酵过程在线软测量系统.仿真结果表明,该系统能够对丙酮～丁醇发酵过程中的关键生物参数实现在线软测量,测量精度为0.221 8.     

真空法从铟矿中制备铟的机理研究

在真空条件下,本文采用热力学分析方法计算真空下铟矿碳热还原反应过程中发生的反应的吉布斯自由能以及起始反应温度。结果表明,当压力为10 Pa、温度高于380 K时,In2O3与C的反应满足反应发生的热力学条件。在同一体系压力下,物料In2O3:C摩尔比为1:3时,反应生成单质In所需的温度是最低的。在碳量充足条件下In2O3可直接被还原生成单质铟,随着碳的消耗,In2O3的碳热反应会生成中间产物。由此,推算在真空碳热反应过程中,碳热还原In2O3的顺序首先生成In,随着碳耗及升温生成In2O,最后生成In O。In2O3热分解生成In2O,随着体系压力的降低,反应起始温度降至423 K;中间产物In2O热分解生成单质In,当体系压力降至10 Pa时,起始温度降为781 K;In O与生成物CO反应,随着体系压力降低,吉布斯自由能增加,因此,降压不利于In O与CO反应。本文从热力学角度探讨真空制备铟热力学可行性,为下一步实际生产提供相应的理论基础。     

高速铣削模具钢3Cr2Mo加工硬化实验分析及建模

设计了3Cr2Mo塑料模具钢的高速铣削试验方案,借助显微硬度计和X线衍射分析仪测量了铣削加工后硬化层硬度沿层深的分布,用专业数据分析软件得出洛氏硬度与X线衍射峰半高宽之间的相关性曲线,同时建立两者之间的拟合公式,再用透射电镜观察硬化层的位错结构,用位错理论分析了加工硬化的形成机理。结果表明:随着主轴转速的增大,半高宽呈减小的趋势,说明表面硬化程度随主轴转速的提高略有下降;通过洛氏硬度与半高宽间的数学模型,可以较准确地预测3Cr2Mo的硬度;利用透射电镜观察到位错密度的增加,这与半高宽的增大一致。     

基于普通F-Theta透镜与远心F-Theta透镜的晶圆标识工艺的研究

为研究聚焦系统对晶圆标识工艺的影响，搭建以1 066 nm的声光调Q脉冲光纤激光器为光源，分别使用普通F-Theta透镜和远心F-Theta透镜的晶圆激光打标系统，使用相同的工艺参数分别在晶圆表面进行点阵标识，研究两种聚焦系统下晶圆的烧蚀阈值、离焦效果和点的形貌。采用白光干涉仪对晶圆标识区域的三维形貌进行评估，研究发现普通F-Theta透镜与远心F-Theta透镜对晶圆的烧蚀阈值的影响区别不大。在离焦效果方面，普通F-Theta透镜随着离焦量增加，标识点直径逐渐变小；而远心F-Theta透镜随着离焦量增加，标识点直径先增大后减小。在打标范围内的标识质量方面，两者在打标范围中心的标识质量基本相当，离中心越远，远心透镜也未能表现出更好的标识形貌。     

1066 nm光纤激光对晶圆标识的工艺研究

利用1 066 nm光纤激光晶圆标识系统开展晶圆标识工艺的研究，通过控制变量法分别改变占空比、脉宽在晶圆表面标识SEMI T7码，利用数码显微系统进行Dot形貌评估，采用读码器进行读码测试。结果表明，1 066 nm波长激光标识晶圆时有较宽的工艺窗口，占空比10%～22%范围内Dot点形貌光滑、无飞溅；脉宽对Dot点的形貌影响较大，但是经读码器硬件和软件处理、优化后，对读取时间影响较小。在占空比10%～22%及脉宽100～300 ns范围内，均可以得到无飞溅、标识均匀、符合SEMI标识要求的标识。     

基于1066 nm光纤激光对裸硅晶圆与镀膜晶圆的标识工艺研究

针对SEMI标准对12寸(约300 mm)薄晶圆标识的要求，采用1 066 nm光纤激光晶圆标识系统对裸硅晶圆与镀膜晶圆进行激光标识工艺的研究。通过控制变量法改变激光器的功率百分比，分别在两种晶圆上标记Dot样式的SEMI字体，并对标识的质量和识读率进行评估。研究发现，裸硅晶圆标识从无到有，甚至到严重溅射对应的激光功率范围是11.77～19.25 W,镀膜后的硅晶圆对应的功率范围是4.40～11.77 W。在裸硅晶圆上标识的Dot形貌更符合SEMI标准要求。镀膜后的晶圆熔融阈值变小，但是工艺窗口变窄，标识字符和条码Dot圆度较差，飞溅不易控制。两种晶圆OCR的识读率差异不大。