金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证

在正统理论的基础上,使用主方程法建立了金属结单电子晶体管的器件模型和算法流程.将电容、电阻和温度等参数代入器件模型得到的I-Ⅴ特性曲线与实验结果吻合较好,从而验证了模型、算法以及程序流程的正确性.此外,通过详细讨论模拟与实验的三组曲线差别,得到模型使用主方程的稳态解是导致模拟与实验之间结果存在差别的主要原因,即求解含有时间的主方程将增加模拟精度;而且,指出镜像电荷引起的电势使电流随电压呈现指数增加的主要影响因素,明显偏离理论模拟的线性增加趋势.     

金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证

在正统理论的基础上，使用主方程法建立了金属结单电子晶体管的器件模型和算法流程．将电容、电阻和温度等参数代入器件模型得到的I-V特性曲线与实验结果吻合较好，从而验证了模型、算法以及程序流程的正确性．此外，通过详细讨论模拟与实验的三组曲线差别，得到模型使用主方程的稳态解是导致模拟与实验之间结果存在差别的主要原因，即求解含有时间的主方程将增加模拟精度；而且，指出镜像电荷引起的电势使电流随电压呈现指数增加的主要影响因素，明显偏离理论模拟的线性增加趋势．     

速冻食品行业SWOT分析

通过对速冻食品行业运用 SWOT 方法进行分析,从而可以使速冻食品业内人士认清各种威胁(threat)、机会(opportunity、优势(strength)与劣势(weakness),理解环境、顾客、行业及竞争对手,以确定企业发展战略,促使速冻食品业走上健康、良性发展的路子。     

部分耗尽SOI体接触nMOS器件的关态击穿特性

分别采用具有硅化物和不具有硅化物的SOI工艺制成了部分耗尽SOI体接触nMOS晶体管.在体接触浮空和接地的条件下测量了器件的关态击穿特性.通过使用二维工艺器件模拟,并测量漏体结的击穿特性,详细讨论和分析了所制成器件击穿特性的差异和击穿机制.在此基础上,提出了一个提高PD-SOI体接触nMOS击穿特性的方法.     

JZ-7型空气制动机与MATROSSOV制动系统兼容性分析

分析了JZ-7型空气制动机与爱沙尼亚国家机车采用的MATROSSOV制动系统兼容性,为国产制动机出口欧盟国家提供借鉴。     

何农:坚守与张扬

采访何农就像和邻居大哥聊天，从生活到工作，从思想到理想，说来话长，却是很惬意的事，那么自然地在他毫不张扬的穿着与表述中，述说着灵魂的坚守，创造的飞扬。就这样，一个毫不张扬的重庆男人，把他和巴国布衣的故事从容而淡定地写在了我们的杂志上，写在了成都发展的历史上。     

装配式建筑发展效率影响因素分析

从投入和产出的角度分析装配式建筑发展效率的影响因素,采用DEA模型选取合适的投入产出指标对2011年到2016年装配式建筑生产效率进行测度,依据测度结果采用Tobit回归模型分析装配式建筑生产效率的影响因素,并在此基础上提出提高装配式建筑发展效率的对策建议。     

一种提取电子束光刻中电子散射参数的新方法

在电子散射能量沉积为双高斯分布的前提下,提出了一种提取电子束光刻中电子散射参数α,β和η的新方法.该方法使用单线条作为测试图形.为了避免测定光刻胶的显影阈值,在实验数据处理中使用归一化方法.此外,用此方法提取的电子散射参数被成功地用于相同实验条件下的电子束临近效应校正.     

193 nm光刻散射条技术研究

介绍了193nm光刻中的散射条技术，并利用标量衍射和傅里叶光学理论，对掩模和光瞳平面上衍射图形的空间频率进行了深入的分析，从理论上解释了散射条的工作原理。通过商用光刻模拟软件PROLITH，对散射条的参数进行了优化，并总结出193nm光刻中孤立线散射条的优化方法。     

热压印光刻技术复制波带片图形研究

针对只需单次曝光的菲涅尔波带片器件,给出了结合电子束光刻和热压印光刻进行大规模复制的完整工艺路线,即首先采用电子束光刻制作热压印模版,之后用热压印光刻进行波带片的大规模复制,所制得的波带片图形的最外环宽度为250 nm,直径为196μm,环数为196环.初步实验结果表明,这种方法具有很好的重复性和易用性,且可以进行低成本波带片的精确复制.