陶瓷材料烧结技术的进展

1前言高技术陶瓷材料的烧结通常是在高温窑炉中进行，采用常压、热压或热等静压对材料实施致密烧结。由于烧结过程一般需要130OC以上的高温，对发热元件和绝热材料的要求很高，特别是氮化物、碳化物、硼化物等非氧化物高技术陶瓷，其烧结温度高达1700℃～2200C，使得高温窑炉的制造和使用成本昂贵；由于发热元件和绝热材料性能的限制、陶瓷低的导热率、炉体较大的蓄热，达到烧结温度所需的时间很长，造成较大的能源和时间消耗。为克服常规烧结技术的缺点，适应高技术陶瓷材料发展的要求，各国科技工作者对烧结过程进行了新的探索和研究。…     

陶瓷粉末的固态复分解反应合成

本文扼要地介绍了固态复分解反应法制备陶瓷粉末的基本原理、关键技术、特点及其研究进展。     

FeCoNiCrCu0.5Alx高熵合金的结构和性能（英文）

研究Al含量和热处理对FeCoNiCrCu0.5Alx多主元高熵合金的相结构、硬度和电化学性能的影响规律。随着Al含量的增加,铸态合金的相结构由FCC相向BCC相转变。当x从0.5增加到1.5时,FeCoNiCrCu0.5Alx高熵合金的稳定结构由FCC结构向FCC+BCC双相结构转变。BCC相的硬度高于FCC相的,在氯离子及酸性介质中BCC相的耐腐蚀性均优于FCC相的。FeCoNiCrCu0.5Al1.0铸态合金具有高硬度和良好的抗腐蚀性能。     

工具条及其加速菜单的实现

凡是经常使用WINDOWS应用程序的用户对工具条都非常熟悉,它通常位于窗口菜单之下,其中包含多个立体图标按钮,分别表示应用程序的一些常用功能。当我们用鼠标单击时,按钮会产生凹陷和凸出的感觉,并能完成其相应的功能,它的实现确实大大简化了一些常见操作。但是,如果你接触过诸如DELPHI这样的应用程序,你对工具条的概念一定会有新的认识。因为当我们用鼠标右键单击工具条中的图标按钮时,紧邻当前鼠标位置的右下方会弹出一个菜单,这种菜单我们通常称之为加速菜单。显然加速菜单的使用大大地增加了图标按钮的功能范围,使其操作更加简单而高效,它的出现受到了用户的普遍欢迎。     

空间太阳电池玻璃盖板表面超薄ITO防静电层的设计及制备工艺

ITO/MgF2复合薄膜既具有较好的表面导电性能又具有较高的透过率,可应用于空间太阳电池玻璃盖板表面。文章主要对ITO/MgF2复合薄膜中表层的超薄ITO薄膜进行了研究。利用TFCalc软件模拟了ITO薄膜厚度对ITO/MgF2复合薄膜光学性能的影响,根据模拟结果采用电子束蒸发法在衬底上依次沉积MgF2薄膜和氧化铟锡(ITO)薄膜,研究了ITO薄膜工艺参数(沉积速率、沉积温度和工作气压)和ITO薄膜厚度对ITO/MgF2复合薄膜光电性能及微观结构的影响。当ITO薄膜沉积速率为0.05nm/s、沉积温度为400℃、工作气压为2.3×10~(-2) Pa、厚度为10nm时,表层ITO薄膜基本连续,其方块电阻(1.94kΩ/)已符合设计需求,ITO/MgF2复合薄膜在可见光区间(400~800nm)的平均透过率达到89.00%。     

一种基于面向对象环境的因果推理方法

一、引言当今专家系统已逐步成为人工智能中影响最大、应用最广泛的领域之一。然而,尽管专家系统技术在具有良结构的狭窄领域内表现出很高的性能,但仍存在许多问题。如:·处理困难或不常见问题时性能急剧下降;·由于系统知识库的非结构化,系统知识难以维护和修改;·系统不能积累以往问题求解的经验;·系统行为的解释仅仅是启发式推理规则的再现,缺乏理论支持,不能令人信服。之所以存在上述问题,圭要是由于缺乏     

溶胶—凝胶法制备BaMgAl10O17：Eu荧光粉的研究

采用溶胶—凝胶法制备了纳米晶BaMgAl10O17：Eu蓝色荧光粉。对荧光粉特性研究表明：与微米晶荧光粉相比，纳米晶荧光粉XRD图谱和荧光光谱峰展宽，随着Eu^2 浓度增加，表现为荧光猝灭。     

Al/Cu键合系统中金属间化合物的形成规律及防止方法

Al/Cu键合界面金属间化合物的形成是导致微电子器件失效的重要因素之一,总结了微电子器件生产和使用过程中Al/Cu键合界面金属间化合物的生长规律,分析了Al/Cu键合系统的失效机制。热超声键合过程中,Al焊盘上氧化铝层的破裂使金属间化合物的形成成为可能,键合及器件使用过程中,金属间化合物和柯肯德尔空洞的形成和长大最终导致键合失效。采用在Al焊盘上镀覆Ti过渡层的方法,可有效降低键合系统中Cu原子的扩散速度,抑制金属间化合物的生长,从而提高电子元器件的可靠性。     

三元FeCl3-AlCl3-GIC的制备及其插层反应过程的研究

采用混合熔融盐法制备以天然鳞片石墨作宿主、以FeCl3和AlCl3为插层剂的GIC。通过考察反应温度、碳与金属氯化物的摩尔比以及保温时间对产物阶结构的影响，探讨了FeCl3和AlCl3在石墨层间的插层反应过程。实验结果表明：调节和控制插层反应条件，可以得到一阶FeCl3-GIC和一阶AlCl3-GIC相对含量不同的三元FeCl3-AlCl3-GIC。插层过程中存在通过生成中间产物AlFeCl6，以FeCl3逐渐替换AlCl3的插层反应机制。替换量随插层反应温度的升高、保温时间的延长和碳与金属氯化物的摩尔比的降低而增大。     

利用VB开发MIS系统

Visual Basic(简称VB)作为一种面向对象的可视化设计工具,越来越广泛地用于开发MIS系统,一大批风络各异和丰富多彩的MIS系统在VB开发平台上应运而生。这些系统精美的用户界面,简单方便的操作方式,特别是极其强大的数据库功能(如记录操作、查询、统计、检索和排序等),丰富的表格和图形输出,所见即所得的精美报表打印,无不证明VB是开发MIS系统的最佳选择工具。下面阐述利用VB开发MIS系统的方法。