钯在一级相变和玻璃转化过程的拓扑结构

用分子动力学法模拟了（ＮＰＴ）系综下金属Ｐｄ的一级相变和玻璃转化的整个过程，考察了不同冷却速度条件下Ｐｄ在相转变过程中的结构变化特征，用Ｖｏｒｏｎｏｉ多面体分析的方法对以上各个过程进行了拓扑分析，得出对应于晶态、液态和非晶态物质的各种特征结构，从原子尺度上解释了一级相变和玻璃转化过程中系统微观结构的变化。     

Ir／Mo互扩散研究

研究了Ir/Re喷管制备过程中的Ir/Mo互扩散问题。在电子探针测量的基础上,根据扩散理论和Ir-Mo相图数据,建立并推导Ir/Mo扩散模型和解。计算得到Ir3Mo相中的互扩散系数为:D=9.0×10-9exp(-1.46eV/kT)(cm2/s),Ir基固溶体中的互扩散系数为:D=5.0×10-10exp(-1.1eV/kT)(cm2/s)。确定喷管中Ir/Mo互扩散的特点,给出估算Ir3Mo相层厚的方法。确定Re在Ir3Mo相中的扩散主要是受Ir控制。     

基于电力载波及LabVIEW技术的远程自动抄表系统研究

为满足电力行业改革与发展的需要,本文开发了一种以电力载波传输技术为核心的远程自动抄表系统.重点对远程抄表系统中的电能表通信部分进行了设计,并使用MI200E芯片实现了电力载波通信,同时利用LabVIEW软件的TCP网络通信技术将用户用电数据从小区物业管理中心传输到供电公司,为电网调度、负荷预测、电网安全稳定运行提供数据依据.     

CVD制备Ir/Re复合材料的显微组织和再结晶研究

采用CVD方法制备了Ir/Re复合材料。研究了Ir层中Ir晶粒的形貌和生长特点,计算得到Ir晶粒生长动力学方程:(x2-x02)/t=4.31×103exp(-2.65eV/kT)(μm2·s-1)。研究了CVD过程中Re层表面晶粒生长和V,W型浸蚀纹的关系。对靠近Ir层的细晶粒区和Re层中部的柱状晶粒区中Re晶粒的再结晶长大进行了研究,计算得到柱状晶区中Re晶粒的生长动力学方程:(x2-x02)/t=2.55×103exp(-1.52eV/kT)(μm2·s-1),研究了Ir/Re扩散、Re扩散对细晶区中Re晶粒生长动力学的影响。     

福建电力光纤通信网综述

文章分析了现代光纤通信技术的发展趋势,介绍了福建省级电力光纤通信网络的发展历程,重点阐述了如何有效利用光纤通信网络传送电力调度生产业务,并分析了各种业务的运行方式,同时也指出了该网络的薄弱环节以及未来的发展方向。     

钌粉在不同温度下双向真空热压后的显微结构和晶体学演变

在温度为1050°C至1450°C、时间为2 h的条件下对钌粉进行了双向真空热压烧结。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对烧结样品进行了分析。在1250°C烧结时,真空热压样品的相对密度达到理论密度的99.7%;当温度进一步升高,密度出现下降。在不同的烧结温度可以看到不同的晶粒和孔洞形貌。XRD数据表明在烧结过程中获得了(002)择优取向。随着烧结温度的增加残余应力有所减小。     

一种用扫描电镜制作表面纳米结构的方法

提出了一种用扫描电镜制作表面量子点、纳米孔和纳米线阵列的方法,该方法是在数字式扫描电镜的阴极自偏压电路中串联一个可控的负电压发生器,其内阻远小于自偏压电阻;用扫描电镜本身的行扫描时钟信号作为控制信号,经倍频和放大,加到电子枪栅极上控制电子束的通断,使电子束由连续扫描变为规则的点、线扫描,不需用模板即可以"直写"方式在涂有电子束光刻胶(PMMA)的样品上实现点、线曝光,形成周期性量子点、纳米孔和纳米线阵列.     

钯的熔化结晶及玻璃转化的分子动力学模拟

用分子动力学方法模拟等温－等压系统（ＮＰＴ）下金属Ｐｄ的一级相变和非晶态转变的整个过程。原子间相互作用采用ＥＡＭ框架下的有效配对势，计算结果表明：ＥＡＭ框架下的有效配对势能较好地处理Ｐｄ系统的一级相变和玻璃转化过程。     

Ag-SnO2复合材料变形断裂分析

采用ＳＥＭ,ＥＤＳ及ＯＭ方法,对Ａｇ－ＳｎＯ２的变形断裂样品进行研究,结果表明,该材料加工变形困难,硬度高,不易通过热处理回复再结晶的主要原因是ＳｎＯ２粒度较细,阻碍了金属变形时的滑移行为。同时,由于ＳｎＯ２密度氏,在相同质量比的情况下,体积分数较高。因此,颗粒强化效果明显,在Ａｇ－ＳｎＯ２的冷变形过程中,材料内部存在借镁及显微孔洞应力松弛现象,使硬化曲线呈起伏状平缓上升。对强化增量贡献最大的是由     

计算材料学与材料设计

由于传统材料科学面临着研究对象的复杂性及新的实验手段和仪器难以满足研究条件等问题,计算材料学用于研究复杂材料和材料设计受到重视。本文针对材料研究的发展趋势,介绍了计算材料学的研究范畴及材料设计的基本思想。然后,介绍了用计算材料学进行材料设计的理论依据、研究方法、结构分析技术等相关内容。还列举了计算材料学的一些应用成果。