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利用磁过滤阴极电弧镀在硬质合金上沉积厚度约2~3 μm的TiAlN薄膜,并用MEVVA源离子对TiAlN薄膜注入金属离子V+和Nb+。应用北京同步辐射装置（BSRF）的同步辐射光源,采用掠入射X射线衍射（GIXRD）的方法对TiAlN薄膜表面离子注入层的微观结构进行分析研究。结果表明：未经过离子注入的TiAlN薄膜主要组成相是没有择优取向的Ti3AlN伴有少量AlN,而较小剂量(1×1017 ions/cm2)的离子注入都可以使Ti3AlN产生（111）上的择优取向和细化晶粒,且AlN消失;当离子注入的剂量达到5×1017 ions/cm2时,注入V+的Ti3AlN择优取向变为（210）,并产生TiN相;注入Nb+ 的各个衍射峰完全消失,说明TiAlN薄膜表面离子注入层被非晶化,结合透射电镜的研究结果,观察到非晶层的厚度约为80~100 nm。 相似文献
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利用磁过滤阴极电弧镀在硬质合金上沉积厚度约2～3μm的TiA1N薄膜,并用MEVVA源离子对TiA1N薄膜注入金属离子V+和Nb+.应用北京同步辐射装置(BSRF)的同步辐射光源,采用掠入射X射线衍射(GIXRD)的方法对TiA1N薄膜表面离子注入层的微观结构进行分析研究.结果表明:未经过离子注入的TiA1N薄膜主要组成相是没有择优取向的Ti3AlN伴有少量A1N,而较小剂量(1×1017ions/cm2)的离子注入都可以使Ti3AlN产生(111)上的择优取向和细化晶粒,且A1N消失;当离子注入的剂量达到5×1017ions/cm2时,注入V+的Ti3AlN择优取向变为(210),并产生TiN相;注入Nb+的各个衍射峰完全消失,说明TiA1N薄膜表面离子注入层被非晶化,结合透射电镜的研究结果,观察到非晶层的厚度约为80～100 nm. 相似文献
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利用磁过滤阴极电弧镀分别在硬质合金和高速钢基体上沉积厚度约2～3μm的TiN薄膜,并用MEVVA源离子注入装置对TiN薄膜注入金属离子V+和Nb+。应用北京同步辐射装置（BSRF）的同步辐射光源,采用掠入射X射线衍射（GIXRD）的方法对TiN薄膜表面离子注入层的微观结构进行了分析研究。结果表明：未经过离子注入的TiN薄膜均存在特定方向的择优取向,而较小剂量(1×10ˇ17ions/cm2)的离子注入可以使晶粒细化、择优取向减弱或改变;当离子注入的剂量达到5×10ˇ17ions/cm2时,TiN薄膜表面离子注入层被非晶化。结合透射电镜的研究结果,观察到TiN薄膜表面非晶层的厚度约为50～100nm,并简要地讨论了离子注入过程对微观结构的影响机制。 相似文献
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