首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   31篇
  免费   0篇
工业技术   31篇
  2022年   3篇
  2021年   1篇
  2020年   1篇
  2019年   6篇
  2016年   1篇
  2014年   3篇
  2011年   2篇
  2010年   2篇
  2008年   2篇
  2007年   2篇
  2006年   1篇
  2005年   1篇
  2004年   1篇
  1997年   1篇
  1995年   3篇
  1994年   1篇
排序方式: 共有31条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
TRFLP在微生物群落结构与动态分析中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了末端限制性片段长度多态性技术(TRFLP)的基本原理和操作要点,综述了该技术在土壤、肠道、受污染环境以及污染物处理工艺微生物群落结构、动态分析中的应用.由于技术整合了自动测序仪的高分辨率和高通量特征,对分析复杂群落的结构较其它指纹技术更具有明显优势和广阔的应用前景.对于无法将特异条带进行测序分析及原位杂交的缺点,可通过与克隆文库序列进行比较,并采用软件将多酶切的末端限制性片段(TRFs)与现有数据库进行叠加比较的方式加以弥补.  相似文献   
2.
强捻纯棉纱是一种捻度设计非常高的纱线,它不仅具有棉纱吸湿柔软的特点,在形成针织面料后具有一种麻类织物的感觉。由于捻度很大,强捻纯棉纱的生产存在较大的困难,必须采取一定的技术措施。本文介绍了JC14.5tex、JC21tex两种强捻纯棉纱的生产工艺要点及采取的主要措施。  相似文献   
3.
基于密度泛函理论第一性质原理平面波超软赝势法,对理想新型稀磁半导体Li_(1±y)(Mg_(1-x)Mn_x)As (x=0,0.125;y=0,0.125)进行几何结构优化,计算并分析了体系的电子结构、磁性和光学性质。结果表明,掺杂体系的磁性和电性可以分别通过Mn的掺入和Li计量数的调控来改变,掺Mn后形成Mn—As极性共价键,且引入与Mn有关的自旋极化杂质带,体系为半导体磁性材料。Li不足时,p-d杂化使体系变为半金属性,表现为100%的自旋注入,Mn—As键的重叠电荷布局最大,键长最短。而Li过量时,sp-d杂化则使体系变为金属性,居里温度最高,形成能最低,导电能力最强。对比光学性质发现,Li不足和过量时,介电函数和光吸收谱在低能区出现新峰,增强了体系对低频电磁波的吸收。掺杂体系的能量损失峰均向高能方向偏移,呈现明显的蓝移特征,且峰值急剧减小,表明其等离子共振频率显著降低,而Li过量的等离子振荡范围最宽。  相似文献   
4.
介绍了微波同轴电缆技术发展情况,总结了国内外技术水平差距,指出了其未来的重点发展方向为高频(毫米波、太赫兹)传输、超稳相传输、耐特殊环境及新材料新工艺开发。  相似文献   
5.
木聚糖酶预漂──探讨硫酸盐浆低氯和无氯漂白的化学品消耗和废水排放的新课题Xylanasepre-bleaching¥//木聚糖酶预漂白概念源于1984年Paice和Jurasek的研究成果─—在生产醋酸纤维素时有选择性地除去化学浆中的半纤维素。与此同...  相似文献   
6.
木聚糖酶预漂   总被引:1,自引:0,他引:1  
汪崇洋 《国际造纸》1995,14(2):28-29
  相似文献   
7.
阐述当前专用夹具设计中存在的问题,提出借助于网络技术,建立专用夹具三维设计信息资源库,提高专用夹具的设计效率。详细介绍该信息资源库的结构、模块功能等,并对网络实现的可行性进行了探讨。较详细介绍该资源库使用的具体步骤。  相似文献   
8.
张崇洋 《氯碱工业》2014,(2):1-3,38
根据生产实例分析离子膜电解生产系统频繁跳闸的原因,提出了相应方案,并采取了有效措施。  相似文献   
9.
10.
为避免成像系统对于单视点约束的要求,提高场景深度获取的准确性和灵活性,设计了一个由单透视相机、双抛物反射镜面同轴放置所构成的非单视点全向深度获取系统.首先分析了实现单视点约束存在的困难及基于非单视点成像系统获取深度的可行性;然后提出了在双镜面全向成像和单镜面全向成像2种不同方式下的深度计算方法;最后通过误差分析研究了镜面面型、基线距离及空间点位置对深度恢复结果的影响,并由此优化系统配置参数,使深度估计的总体误差保持在2%以内.该系统不仅可基于双反射镜面全向立体成像恢复水平方向360°的场景深度,也可仅利用单反射镜面全向成像获取空间线特征的三维信息.实验结果表明,文中系统具有较高的准确度,可用于不同精细程度需求下的摄影测量、三维重建、机器人导航等场合.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号