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基体温度对磁控溅射沉积ZAO薄膜性能的影响 总被引:8,自引:2,他引:6
利用中频交流磁控溅射方法 ,采用氧化锌铝陶瓷靶材 [w(ZnO) =98%、w(Al2 O3 ) =2 % ]制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜 ,观察了基体温度对ZAO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响 ,采用X射线衍射仪对薄膜的结构进行了分析 ,采用光学分度计和电阻测试仪测量了薄膜的光学、电学特性 ,采用霍尔测试仪测量了薄膜的载流子浓度和霍尔迁移率。结果表明 :沉积薄膜时的基体温度对薄膜的结构、结晶状况、可见光透射率以及导电性有较大的影响。当基体温度为 2 5 0℃ ,Ar分压为 0 8Pa时 ,薄膜的最低电阻率为 4 6× 10 -4Ω·cm ,方块电阻为 35Ω时 ,可见光 (λ =5 5 0nm)透射率高达 92 0 %。 相似文献
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工作气压对磁控溅射ZAO薄膜性能的影响 总被引:7,自引:0,他引:7
工作气压在ZnO∶Al(ZAO)薄膜制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用中频交流磁控溅射方法,采用氧化锌铝(ZnO与Al2O3的质量比为98∶2)陶瓷靶材,在基体温度为250℃,工作气压范围为0.2~8.0Pa条件下,制备了ZAO薄膜。利用X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构和形貌进行了分析和观察,利用分光光度计和霍尔测试仪测量了薄膜的光学和电学性能,研究了制备薄膜时不同的工作气压(氩气压力PAr)对薄膜的结构、形貌、光学性能和电学性能的影响。结果表明:随着工作气压的增加,薄膜的电阻率先略有下降然后上升,相应地,载流子浓度和迁移率先略有上升然后下降,而可见光谱平均透过率保持在80%以上。当基体温度为250℃,氩气压力为0.8Pa时,薄膜的电阻率最低,为4.6×10-4Ω·cm,方块电阻为32Ω时,在范围为490~600nm的可见光谱内的平均透过率可达90.0%。 相似文献
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绒面ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜的制备 总被引:3,自引:0,他引:3
利用中频交流磁控溅射方法,采用氧化锌铝(98wt%ZnO 2wt%A12O3)陶瓷靶材制备了绒面ZAO(ZnO:Al)薄膜,考察了所制备的绒面ZAO薄膜与绒面SnO2:F薄膜在绒度、粗糙度、表面形貌以及电学性质的差异,利用原子力显徽镜对薄膜表面形貌进行了分析并计算出薄膜表面粗糙度,利用紫外可见分光光度计和电阻测试仪测量了薄膜的光学、电学特性。结果表明:所制备的绒面ZAO薄膜具有与绒面SnO2:F薄膜相比拟的各种性能,在非晶硅太阳电池中具有潜在的应用前景。 相似文献
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