平原高沙土地区土壤侵蚀规律及防治措施

1 概况 平原高沙土地区包括南通、扬州、泰州三市的如皋、海安、江都、泰兴、靖江、姜堰等6个县市的大部或部分地区,总面积3 441.3km~2,其中耕地面积19.3万 hm~2,人均耕地仅有0.056hm~2。该区属亚热带湿润气候区,年平均气温14.6℃,年平均降水     

高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

解决右键单击占用大量资源的问题

近日笔者发现在资源管理器里面右键单击选定文件时CPU占用率达100%。查阅资料后发现微软也证实在WINDOWSXP的资源管理器里,选中文件单击右键会占用大量的内存!微软在文中称,当你在WINDOWS XP的资源管理器里,选中文件单击右键后,显示弹出菜单时的CPU占用率为100%。这意味着,任何     

Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究

用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表明 ,横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO2 掩膜腐蚀角的不同 (分别为 90°和 6 6°) ,导致了横向外延GaN材料一些独特的微观形貌。微区拉曼光谱由数百条拉曼散射曲线组成 ,每一条曲线有三个振动模 ,分别对应Si振动模式 (5 2 0cm- 1) ,E2 模式 (5 6 6cm- 1)和E1(LO)模式(732cm- 1)。在垂直条纹方向 ,峰位和峰宽没有明显的变化 ,而峰强约 5 μm会发生周期性变化     

家纺市场秋冬换季促销全攻略

夏热已经远去，秋风送来凉爽。和季节正相反，秋冬季节的家纺市场却是一片热火朝天。整个家纺市场上，无论厂家还是经销商，积蓄了一个夏天的能量都在这时释放出来。市场上各种各样的促销活动让人眼花缭乱。     

α－Al_2O_3衬底上生长的GaN膜的光学性质

采用金属有机化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）方法生长了α－Ａｌ２Ｏ３衬底上外延的高质量的单晶ＧａＮ薄膜。Ｘ射线衍射光谱与喇曼散射光谱表征了ＧａＮ外延薄膜的单晶结构和单晶质量。透射光谱和光调制反射光谱定出了六角单晶ＧａＮ薄膜的直接带隙宽度和光学参数。     

“袖珍小流域”的经验值得推广

辽宁省义县是“六山一水三分田”的山区,十年九旱,水土流失严重,生态环境日趋恶化。自党的十一届三中全会以来,他们坚持开展以水土保持为中心,以造林种草为     

掺钇铌酸锌铋陶瓷的介电性能

通过X射线衍射、扫描电镜、精密阻抗分析仪等对A位Y3 取代的Bi(1.5-x)YxZnNb1.5O7介质陶瓷样品的结构和介电性能进行了研究.结果表明:当Y3 取代量较少时(x≤0.2),样品保持立方焦绿石结构;当Y3 取代较多时(x≥0.4),样品出现第二相.随着取代量的增加,样品的致密化温度升高,表观密度减小,晶粒尺寸减小,介电常数减小,介电损耗增加.Y3 取代后(x≤0.8),样品的温度系数得到优化,且具有良好的高频稳定性.低温的介电弛豫现象随着Y3 取代的增加发生有规律的变化,表现为介电常数下降,介电常数峰宽化和平坦.     

颗粒包覆法制备BZT-CT复合陶瓷

采用预合成的方法,分别用得到的单斜类锆钙钛矿相Bi2(Zn1/3Ta2/3)2O7(β-BZT)和钙钛矿相CaTiO3(CT)的粉末作为正负温度系数组元,用sol-gel法制备的ZnO-B2O3-SiO2玻璃,包覆两组元颗粒以阻止其相互反应,从而制备复相零温度系数微波陶瓷。结果表明:预合成及颗粒包覆法可抑制两相固溶反应,有效降低复相陶瓷的烧结温度,调节温度系数。特别是900℃烧结的w(CT)为4%的样品,其εr约为47,αε为2.8×10–6℃–1。     

AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气的磁致子带间散射效应

通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0．22Ga0.78N／GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。观察到了磁致子带间散射(MIS)效应。在极低温下观察到了表征两个子带被2DEG占据的双周期舒勃尼科夫一德哈斯(SdH)振荡。实验观察到MIS效应引起的磁电阻振荡的幅度随温度上升略有减小，振荡的频率为两个子带SdH振荡频率之差。随着温度的升高，MIS振荡成为主要的振荡。由于SdH振荡和MIS振荡对温度的依赖关系不同，实验观察到SdH和MIS振荡之间的调制在温度10和17K之间最为强烈，其它温度下的调制很弱。