ChCl-Urea低共熔溶剂中电沉积锌的工艺研究

在摩尔比为1:2的氯化胆碱-尿素低共熔溶剂(ChCl-Urea DES)中于纯铜基体表面制备了锌镀层.通过调整沉积电位、沉积温度和锌盐配比等参数,采用正交实验优化了电沉积工艺,并通过动电位极化曲线对比研究了ChCl-Urea DES和传统水溶液中锌镀层的耐蚀性能.采用扫描电子显微镜(SEM)和X-射线衍射技术(XRD)对ChCl-Urea DES中锌镀层的微观形貌和物相组成进行了表征.结果表明,在摩尔比为1:2的ChCl-Urea DES中锌电沉积的最佳方案为沉积电位1.0 V、锌盐配比2ZnCl2:1ZnO(摩尔比)、沉积温度70℃.在此方案下可获得均匀平整,颗粒致密的锌镀层,且其耐蚀性与传统水溶液相当.SEM表明,锌镀层是由排列紧密的六方形立体结构的灰白色颗粒物质构成.XRD表明,锌镀层主要由六方结构的多晶锌组成.     

ChCl-EG低共熔溶剂中Ni的电沉积行为研究

对氯化胆碱-乙二醇(Ch Cl-EG)低共熔溶剂中Ni的电沉积行为进行研究。采用循环伏安法和计时电流法研究了Ch Cl-EG低共熔溶剂中电沉积Ni的电化学行为、成核生长机理,利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析(EDS)对电沉积得到的镀层进行微观形貌和元素组成分析。结果表明,ChCl-EG低共熔溶剂的电化学窗口为2.55V,在ChCl-EG低共熔溶剂中镍的氧化、还原电位分别是0.1V、-0.96V,还原过程为一步还原,电极还原反应不可逆,镍沉积的成核机理属于三维瞬时成核,得到的镍镀层平整、致密。     

丁二酰亚胺对低共熔溶剂中银成核机理的影响

本文采用循环伏安法(CV)和计时电流法(CA)考察了在有无丁二酰亚胺添加的条件下低共熔溶剂(DESs)中银的结晶成核机理;利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)观察镀液浓度变化对镀层微观形貌以及相组成的影响。计时电流的结果表明,丁二酰亚胺的加入使Ag的结晶方式发生改变,Ag在DESs-0.6 mol/L丁二酰亚胺和0.1 mol/L AgNO₃中电结晶过程是受扩散控制的三维连续成核。随着丁二酰亚胺的加入,镀层表面Ag结晶更加细致,结晶度增大,并且银镀层耐腐蚀性能得到提高。