3UCVD SiGe工艺的神经网络模型

介绍了用于生长SiGe材料的 3UCVD设备的简要情况。对 3UCVD工艺系统构建了神经网络模型 ;基于误差反向传播 (BP)学习算法设计了一种自动调整网络结构和训练精度的网络训练方法 ;利用 3UCVD工艺实验的数据样本编制程序 ,对数据样本进行了训练拟合 ;并利用训练后的网络进行了工艺预测 ,网络预测的结果和实验结果符合良好     

AlN阻挡层对AlGaN/GaNHEMT器件的影响

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN异质结和AlGaN/AlN/GaN异质结二维电子气材料,采用相同器件工艺制造出了AlGaN/GaN HEMT器件和AlGaN/AlN/GaN HEMT器件.通过对两种不同器件的比较和讨论,研究了AlN阻挡层的增加对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响.     

AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管解析模型

基于电荷控制理论,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I-V特性和小信号参数的解析模型.计算表明,自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤为显著,2V栅压下,栅长为1μm的Al_0.2Ga_0.8N/GaN HEMT获得的最大漏电流为1370mA/mm;降低寄生源漏电阻可以获得更高的饱和电流、跨导和截至频率.模拟结果同已有的测试结果较为吻合,该模型具有物理概念明确且算法简单的优点,适于微波器件结构和电路设计.     

多量子势垒电子阻挡层对UV LED 性能的影响

研究了不同厚度的多量子势垒电子阻挡层(MQB-EBLs)对InGaN UV LED的效率的影响。分析了影响不同厚度MQB-EBLs的LED光输出功率(LOP)的主要因素。实验表明,MQB-EBLs的量子阱层和势垒层厚度为分别为2 nm和3 nm时,387 nm UV LED的LOP可显著地提升到8.47 mW。     

纤锌矿GaN低场电子迁移率解析模型

在GaAs低场电子迁移率解析模型的基础上得到了纤锌矿GaN低场电子迁移率的解析模型,该模型考虑了杂质浓度、温度和杂质补偿率对低场电子迁移率的影响.模拟结果和测量数据的比较表明该模型在10 16～10 2 0 cm-3的电子浓度、30～80 0K的温度和0～0 9的杂质补偿率范围内具有较好的一致性.该电子迁移率解析模型对于GaN器件的数值模拟和器件仿真设计具有很强的实用意义.     

GaN基微波半导体器件研究进展

GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力．对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件的最新进展,通过与其他微波器件的比较表明了GaN调制掺杂场效应晶体管在微波大功率应用方面所具有的明显优势．     

6H-SiCOI MESFET器件结构参数对其特性的影响

采用二维器件仿真软件Medici，模拟分析了SiCOI(绝缘衬底上SiC)MESFET器件的结构参数，如有源层掺杂浓度、栅长和有源层厚度等，对器件特性(阏值电压和跨导)的影响。结果表明，其结构参数对器件特性有较大影响。同时，对所得结果从内部物理机制上进行了分析。     

GaN薄膜大型Ⅴ形表面坑的形成和光学性质

研究了用MOCVD设备在高温和低Ⅴ／Ⅲ条件下生长的GaN薄膜表面存在的与位错相连的大型Ⅴ形表面坑,并提出了一个有关质量疏运机制的模型以解释其形成机理．由衬底扩散上出来的Al原子对大型坑的形成具有辅助作用,并阻止了深能级杂质或空位缀饰与坑相连的位错．GaN内的位错是非辐射复合中心,但对深能级发光不起作用．     

MOCVD脉冲生长对InGaN太阳能电池材料的影响

通过对InGaN三元合金的生长方式做对比,发现在相同条件下,因常规生长过程中反应室In的浓度更高,生长出的InGaN中In组分更高。但是由于预反应的原因晶体质量较差,而脉冲生长由于源的分时输运,大幅减小了预反应的发生,提高了晶体质量。但由于生长时反应室In原子浓度变小,In的组分会降低,也会减小In滴的析出。     

Mg注入非极性a面GaN退火温度的研究

非极性GaN材料解决了传统GaN材料中的极化现象,具有较好的应用前景。用金属有机物化学气相沉积方法,在r面蓝宝石上生长了Mg注入非极性a面GaN 薄膜,并选取650 ℃、750 ℃、850 ℃这3个温度对Mg注入GaN薄膜进行退火温度研究。用原子力显微镜、光致发光谱、拉曼谱研究了材料的表面形貌、光学性质以及面内应力。结果表明,在750 ℃退火时效果较好。