基于遗传算法的均匀子阵数字多波束形成研究

现代雷达系统一般采用子阵的形式减少通道数,均匀划分的子阵有利于减小微波网络的实现难度,但形成多波束时会出现栅瓣。为此提出一种基于遗传算法搜索权值,包括阵元权和通道权形成多波束,以降低栅瓣,改善多波束性能。仿真实验表明,该方法是有效可行的。     

NVR产品 发展趋势及应用展望

随着网络视频产品的热卖,市场对NVR的需求也随之而来。业内人士一致认为,网络视频监控必将是将来的发展趋势。于是,各监控厂家针对自身优势,推出了不同类型的NVR产品。如嵌入式NVR一体机、混合型NVR、NVR软件产品等等。本文主要针对NVR的需求产生,目前市场上的争议点,以及NVR未来发展趋势及应用来做探试供读者参考。     

600MW亚临界机组破坏水封实践

分析了锅炉捞渣机水封破坏影响程度。介绍了岱海发电公司处理捞渣机故障时，首次试用帆布遮盖冷灰斗、模拟不破坏水封运行参数对比。对于未设计渣井和关断门的锅炉破坏水封操作具有借鉴意义。     

细粒铁尾矿应用于墙体材料的研究

大量废弃尾矿的堆积,不仅破坏了自然环境和生态平衡,而且对农田和附近居民区造成严重危害。本文介绍了采用鞍山式细粒铁尾矿制作墙体材料的研究。其结果表明,制作工艺简单,建厂投资少,尾矿利用量大,其产品在市场上有能力与红砖竞争。     

高抑制比背照式AlxGa1-xN pin日盲紫外探测器研究

利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明器件在0V偏压下抑制比达到了6 400。在此基础上,较详细地分析了偏置电压、p-AlxGa1-xN载流子浓度和Al组分、极化效应对背照式AlxGa1-xN pin日盲紫外探测器抑制比的影响及非日盲光生载流子的限制机制。分析表明,提高p-AlxGa1-xN载流子浓度和GaN/AlxGa1-xN异质结极化强度是现有技术条件下提高器件抑制比的有效途径。     

Ni层厚度对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响

对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性与Ni金属层厚度之间的相关性进行了对比实验研究,利用XRD衍射结果与表面金相显微分析手段对Ni/Au双层金属电极在合金退火过程中的行为特性进行了细致探讨。分析结果表明:在Ni/Au电极结构中,由双层互扩散机制与NiO氧化反应机理决定,Ni层与Au层之间的厚度比率对p型GaN欧姆接触特性的优劣有重要影响,在Ni、Au层厚度相当时可获得最佳的p型欧姆接触。     

GaAs(001)表面预粗糙化过程中的临界减慢

通过对于GaAs表面形貌在特定As BEP(1.33μPa)、不同温度(570,560,550,540和530℃)下相变过程研究,发现随着温度的降低GaAs预粗糙化过程发生了不同程度的迟滞,在温度降至530℃附近时,延迟现象尤其明显,并且当温度远低于530℃时(As BEP 1.33μPa)GaAs表面将不会发生预粗糙转变。采用二维艾辛模型建立方程结合实验数据对这一现象进行理论解释,理论计算出GaAs预粗糙化相变的临界转变温度为529℃,与实验中获得的数据吻合。采用理论上获得的临界转变温度,利用临界减慢理论对实验现象进行了合理的理论解释,认为在特定条件下GaAs表面系统存在预粗糙化临界转变温度,当衬底温度接近这一温度时,临界减慢现象将会发生;当温度低于临界转变温度时,无论延长多少时间表面形貌相变过程将不会发生。     

通过倒易空间扫描表征AlGaN外延材料

AlGaN在紫外器件(紫外探测器、紫外LED等)以及高速功率器件(HEMT等)方面有着非常重要的应用。提出利用HRXRD倒易空间的测试分析方法来获得外延材料中的晶格应变及其缺陷状态,这对AlGaN材料的MOCVD外延生长具有重要的指导意义。     

皮考啉铈(Ⅳ)氯化物的研究

Koppel[1]首先成功地在非水溶剂中制备了吡啶铈[Ⅳ]氯化物。De Stifano[2] Caglioiti[3]和Moosath[4]等人对它作了进一步的研究。为了研究铈[Ⅳ]和吡啶衍生物的反应性及其产物的性质,研究取代基在不同位置时对性质的影响,我们在无水乙醇中制备了α、β和r—皮考啉铈[Ⅳ]氯化物,并进行了元素分析、红外光谱、差热分析、紫外光谱和导电测定。