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针对4-Mask工艺铜数据线腐蚀造成的锯齿状不良现象进行系统研究,发现铜腐蚀发生的工艺步骤和机理,并找到有效的措施。首先,通过显微镜对每道刻蚀工艺后铜数据线形貌进行观测,确定铜腐蚀发生的工艺步骤。接着,通过扫描电子显微镜和X射线电子能谱测量腐蚀生产物成分,对腐蚀机理提出合理解释。最后在铜腐蚀发生机理基础上,提出有效的改善措施。铜腐蚀是在有源半导体层干刻和光刻胶的灰化综合作用下发生,其主要产物为氧化铜、氯化铜。通过先进行灰化工艺然后进行有源半导体层干刻的工艺措施,在铜数据线两侧形成氧化铜保护膜,可以彻底改善铜腐蚀。改善措施可以解决铜腐蚀的问题,彻底消除铜数据线锯齿状不良。 相似文献
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由于安装空间以及配件高度的限制,互感器的安装容易出现高低不平的状况,这易带来一定安全隐患。为了避免事故发生,设计一种互感器辅助安装装置,并提出了一种新的自动校验的方法。结果显示,基于随机矩阵的互感器安装装置自动校验设计具有良好的对电压偏差的评价性能。在平稳性上,状态统计量均大于阈值,平均值在约4.12,高于阈值2,具备良好的平稳分布特性。在固定偏差评价上,误差绝对值取值范围为0.2%以内,低于超差范围,d取值在1.82到1.96之间,评估方法能够辨识出固定偏差超差的情况。因此,这均表明研究所提供的互感器安装装置及其自动校验设计能够满足安装需求和偏差检验要求,具有实践价值。 相似文献
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针对网状斑点(Emboss Mura)不良现象进行系统研究,确定不良发生的机理,并找到有效的改善措施。首先通过半导体参数测试设备和改变电压、频率等方法测试Mura电学特性,然后采用扫描电子显微镜、椭偏仪对栅极绝缘层进行测量,最后采用扫描电子显微镜、X射线电子能谱对玻璃基板背面Mura形貌和成分进行测试,对Mura产生的原因提出合理的解释,并给出有效的改善措施。结果表明,Emboss Mura是干刻反应腔下部电极的阵列凸起划伤玻璃基板背面和凸起碎屑粘附在划伤处形成的。通过更改电极凸起的形状、结构、材质以及下部电极清洁方式、优化电极温度、增加PI膜厚等方式可以极大降低不良的发生率。 相似文献
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成本控制是成本管理的核心要素,但在实践的过程中经常遇到非计划性问题,现阶段项目管理人员如何去应对是当务之急。项目成本控制的关键核算口径一致。预算成本、计划成本和实际成本的核算范围、项目设置和计算口径,不仅应与财经制度规定、施工图预算、施工预算一致,而且应相互一致。每一工程开工前,统一确定工程项目目录,据此确定成本核算对象,成本核算对象确定后,各种原始资料的记录、核算、上报口径统一、明晰,预算成本、计划成本和实际成本才有相互对比、考核、分析的基础。最终目标明确。工程项目成本控制的最终目标是经济效益最优化。… 相似文献
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薄膜晶体管液晶显示器阵列工艺最终关键尺寸测试方法研究 总被引:1,自引:1,他引:0
最终关键尺寸是评价薄膜晶体管液晶显示器产品性能的一项重要参数。本文研究了在光源照度变化的条件下得到准确的最终关键尺寸的方法。通过大量的实验测试、数据分析,并配合扫描电子显微镜(SEM)图片,确定最终关键尺寸合适的测试条件和方法。基于上述分析,选取测量值稳定的光照强度区间中心点的光照强度作为标准样品参照值,选取此时样品测试图片作为标准图片。测试结果与SEM结果进行对比,得到不同膜层测量值和真实值之间的补偿值。并通过不同尺寸产品的数据收集和分析来验证补偿值的可靠性。通过上述方法,可以极大地缩短最终关键尺寸测量的校正周期,并为今后新产品开发提供可靠的测试标准。 相似文献
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工程项目成本控制的程序、关键、原则及途径 总被引:1,自引:0,他引:1
项目成本管理是在保证满足工程质量、工期等合同要求的前提下,对项目实施过程中所发生的费用,通过计划、组织、控制和协调等活动实现预定的成本目标,并尽可能地降低成本费用的一种科学的管理活动,它主要通过技术(如施工方案的制定比选)、经济(如核算)和管理(如施工组织管理、各项规章制度等)活动达到预定目标,实现盈利的目的。成本是项目施工过程中各种耗费的总和。成本管理的内容很广泛,贯穿于项目管理活动的全过程和每个方面,从项目中标签约开始到施工准备、现场施工、直至竣工验收,每个环节都离不开成本管理工作,就成本管理的完整工作过程来说,其内容一般包括:成本预测、成本控制、成本核算、成本分析和成本考核等,成本控制是成本管理的核心要素,因此本文主要从成本控制的程序、关键因素、控制原则及途径四个方面对项目成本管理进行分析。 相似文献
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TFT-LCD过孔接触电阻研究 总被引:2,自引:2,他引:0
研究了过孔接触电阻变化规律,并进行机理分析,为优化薄膜晶体管的过孔设计提供依据。首先,运用开尔文四线检测法对不同大小、形状、数量的钼/铝/钼结构的栅极和源/漏层金属与氧化铟锡连接过孔的接触电阻进行测试。然后,通过扫描电子显微镜、能量色散X射线光谱仪和聚焦离子束显微镜对过孔内部形貌进行表征。最后,对过孔接触电阻变化规律进行机理分析。实验结果表明:过孔面积越大,接触电阻越小;过孔面积相同时,长方形过孔的接触电阻小于正方形过孔的接触电阻,多小孔的接触电阻小于单大孔的接触电阻,栅极金属与氧化铟锡的过孔接触电阻小于源/漏层金属与氧化铟锡的过孔接触电阻。为了降低钼/铝/钼与氧化铟锡连接过孔的接触电阻,过孔面积尽可能最大化,采用长方形过孔优于正方形过孔,多小过孔优于单大孔设计,同时优化过孔刻蚀工艺,减少过孔内顶层钼的损失。 相似文献
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