LED峰值波长对多光谱组合白光色参数的影响

多光谱组合的LED在动态照明、光环境、医疗、健康等领域具有广泛的应用前景,但是其光度和色度的一致性和稳定性极大影响着这类技术方案的应用前景。采用6种单色LED使用光谱组合的方式构建了典型色温5500 K和2700 K的白光器件,并对组成白光的单色LED的光谱稳定性进行了分析,仿真实验研究了多种单色LED峰值波长的漂移对色温、显色指数和色坐标的影响。实验表明,红色630 nm和橙色590 nm附近的峰值波长漂移对于色温的影响最大,漂移2 nm左右即可导致色温100 K左右的变化;橙色590 nm的峰值波长漂移对于显色指数的影响最大,在漂移2 nm左右即可导致显色指数的变化大于2;在5500 K附近x坐标的最大变化量0.016出现在红光631 nm的波长变化中,y坐标的最大变化量0.015出现在宝蓝色480 nm的波长变化中;在2700 K附近,x坐标的最大变化量0.016出现在橙色590 nm和红色631 nm的波长变化中,y坐标的最大变化量0.017出现在橙色590 nm的波长变化中。     

具有纳米凹坑氧化铟锡的LED光提取效率的提高

由于低的光提取效率,氮化镓基发光二极管的应用受到了限制。氧化铟锡—氮化镓界面的光的全反射作用是造成低的光提取效率的重要原因。人们提供了多种方法来提高光提取效率。本文揭示了一种简单并且经济的方法。通过自组装和干法刻蚀的方法制作粗化的氧化铟锡薄膜。运用原子力显微镜（AFM）对表面形态和粗糙程度进行观察。测量各个样品的I-V特性、出光功率和出光辐射图并进行对比。刻蚀之后,在ITO表面形成了圆柱体和凹坑结构,它们的高度随着刻蚀时间增大。结果显示,LED的出光功率和随着刻蚀时间的增加而增加。由于圆柱体和凹坑结构的形成以及它们深度的增加,ITO-GaN界面的光的全反射减少了。因此,出光率提高。