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991.
针对传统的基于神经网络的自适应非均匀性校正(Neural-Network-based Non-Uniformity Correction, NN-NUC)算法在
实际应用中存在校正能力有限和容易产生鬼影的问题,深入分析了NN-NUC算法中的鬼
影产生过程,并给出了抑制鬼影的一般性方法;然后结合实际红外成像系统的特点,提出
了一种改进型NN-NUC算法。仿真实验结果表明,该算法可以最大限
度地抑制场景鬼影的产生,并可有效减小系统输出图像的非均匀性噪声。此外,本文算法
计算量小,且易于用硬件实现,因此具有很好的工程应用价值。 相似文献
992.
利用超声波传感器计算出装置与物体的位移数据,经过发射端单片机无线传输到达接收端单片机并显示在PC上,显示界面采用VB进行设计,利用MSComm控件实现了上位机(计算机)和下位机(单片机)之间的通信,通过Picture控件和Text控件的配合使用实现了上位机对下位机数据的实时采集和动态图形显示,装置具备轻便、成本低、操作简单、抗干扰性良好等特点,在物理实验室有良好的应用前景,同时也可以用于工厂中物体的阻尼振动检测。 相似文献
993.
994.
传统盲人的拐杖仅仅是一根普通长棍,盲人只能感觉接触到的障碍物,使得他们在行走中充满了安全隐患。针对这个问题,本文基于STC单片机设计了一种盲人辅助行走拐杖,该设计模仿蝙蝠避障原理,利用嵌入式技术和超声波测距技术,探测盲人正前方的障碍物,由单片机控制收集信息,并利用相关软件处理,对需要进行警告的信息进行人性化语音提示。实验结果表明设计的盲人辅助行走拐杖能够有效帮助盲人识别障碍物与自己之间的距离远近,供盲人提前作出应对方案,减少行走过程中的危险,从而达到辅助盲人独立行走的目的。同时拐杖采用特制的可伸缩折叠结构,使之更加便于不同的用户群使用。 相似文献
995.
针对传统的静电场分析主要局限于同种介质,在介绍有限差分法求电位分布原理的基础上,导出了非均匀介质有限差分法的计算公式,并运用Matlab编程分析了所设定的非均匀介质区域静电特性。仿真结果与静电场理论符合较好,有助于加深对电介质静电特性的理解。 相似文献
996.
燃气轮机的性能下降很大程度上是由于燃机的核心部件——组合转子的退化导致的,因此,非常有必要重点研究组合转子的性能退化规律.组合转子局部结构的损伤,必将导致整体性能的下降.从该角度出发,建立组合转子的有限元模型,对组合转子拉杆裂纹进行扩展计算,定义组合转子性能退化量,分析了不同尺寸的拉杆裂纹对转子性能退化的影响.研究结果表明:随着裂纹尺寸的逐渐增加,组合转子的退化速率逐渐加快;不同微裂纹拉杆的分布形式对组合转子退化程度影响不同,当微裂纹拉杆相邻分布时组合转子退化速率最快,裂纹拉杆180°分布时组合转子退化速率最慢. 相似文献
997.
以2型糖尿病为例,探讨慢性非传染性疾病体检策略优化的问题。以最大化体检效用为目标,建立马尔科夫决策模型。模型从全社会角度定义成本的评价函数,除考虑直接医疗成本外,还考虑了间接的非医疗成本。为了使模型具有更大的现实意义,模型还考虑了患者由于及时体检知晓病情后生活习惯改善这一因素。采用逆向归纳法求解,结果证明模型能有效优化体检周期。通过对比,证明改进的成本评价函数和生活习惯改善这两个因素确实对优化结果有显著影响。 相似文献
998.
(上接《塑料包装》2014年第6期)4.各种塑料的超声波焊接性塑料的性能影响超声波的成功焊接。塑料的超声波焊接性取决于塑料对超声振动的衰减能力和熔化温度的高低以及物理性能如弹性模量、抗冲击性、摩擦系数及导热系数等等。实验证明,塑料的焊接性G正比于弹性模量E、导热系数λ、摩擦系数μ,反比于塑料的密度ρ、比热C、熔点t,如 相似文献
999.
目的:探讨地塞米松在CT增强扫描时对预防非离子型造影剂副反应中的作用。方法:收集到1000例CT增强扫描的患者分为实验组500例和对照组500例,观察记录注射非离子型造影剂20-30分钟内副反应发生情况。结果:实验组和对照组总的副反应发生率分别为1.20%和8.60%,轻度反应发生率分别为1.00%和7.60%,中度反应分别为0.20%和1.00%。结论:地塞米松不仅可明显减少离子型造影剂副反应的发生,同样可以明显减少非离子型造影剂副反应的发生,而且使副反应的严重程度明显减轻,可作为常规用药。 相似文献
1000.
制备参数对类金刚石(DLC)薄膜的性能和结构有显著影响。利用中频脉冲非平衡磁控溅射新技术制备了DLC薄膜,采用Raman光谱、X射线光电子能谱仪、纳米压痕仪、光谱型椭偏仪研究了溅射电压对DLC薄膜微观结构、力学性能和光学性能的影响。结果表明:当溅射电压由550 V增加到750 V时,DLC薄膜中sp3杂化碳含量随溅射电压的增加而增加,当溅射电压超过750 V时,薄膜中sp3杂化碳含量随溅射电压的增加而减少;DLC薄膜的纳米硬度、折射率均随溅射电压的增加先增加而后减小,溅射电压为750 V时制备薄膜的纳米硬度及折射率最大。 相似文献