一种用于检测海空背景下的斑点目标的新方法

根据海空背景下的红外图像特性，设计了一种新的对噪音鲁棒的目标背景对比度增强方法；在此基础上提出了一种基于目标局部能量正态分布的自适应目标提取方法。实验结果表明，该方法在对红外斑点目标进行单帧提取时是精确的和高效实用的。     

槽轮机械的误差分析

作者运用概率论和数理统计方法，分析了槽轮机构本身的加工精度与其分度误差的关系，推出了按分度误差值确定槽轮机构尺寸公差的计算公式。     

如何利用EXCEL做概率曲线图

本文介绍了一种在ＥＸＣＥＬ中实现正态概率坐标系的方法。     

LOGARITHMIC GAUSS NORMAL DISTRIBUTION OF MICROLATEX PARTICLE OF EMULSION EXPLOSIVES

Microlatex particles of emulsion explosives determined by microphotography were studied with the law of logarithmic Gauss normal distribution, and results obtained showed that the microlatex particle just possessed the law of logarithmic Gauss normal distribution. The particlediameter in statistical average value, such as ONE, ONS, DES, OSV and DVM was calculated through the diagram of logarithmic Gauss normal distribution of microlatex particles of emulsion explosives, so was Sw.     

一种对激光压制干扰效果进行量化评估的方法

激光压制干扰是对抗精确制导武器,保卫己方目标的重要方式,文中重点分析了远场激光能量场分布情况和有效干扰次数的计算方法,并进行了试验验证,提出了一种评估激光压制干扰设备干扰效果的概率统计方法,可供试验鉴定人员和研制人员参考。     

空测采样次数问题的研究

在定寿编谱等研究中,确定载荷谱轻重的分散遵循何种分布及科学合理地确定飞机空测采样飞行起落次数具有重要意义.文中以当量使用寿命作为判断载荷谱分散的标准,并根据t分布理论,针对载荷谱分散遵循对数正态分布和双参数Weibull分布,分别给出空测采样次数的判断标准,为飞机结构的定寿编谱研究提供依据.     

水泥放射性核素测量结果分析*

依据GB 6566—2010《建筑材料放射性核素限量》,采用NaI(TI)闪烁能谱仪测量水泥样品放射性核素含量,建立数理统计模型对测试数据进行分析,得出测试结果服从正态分布。当置信区间取95%时,水泥样品放射性核素镭-226、钍-232、钾-40比活度可分别表示为50.11±2.12Bq/kg、35.31±2.28Bq/kg、310.48±22.54Bq/kg。     

基于雨滴谱分布数据库的近红外辐射衰减研究

为了研究降雨对近红外辐射的衰减,定量评估降雨对近红外设备的影响,在雨滴谱分布二元函数模型建立的基础上,提出了一种雨滴谱分布数据库的建立方法,对LAWS和PARSONS在美国华盛顿地区测量的雨滴谱分布数据进行拟合,建立雨滴谱分布数据库。基于雨滴谱分布数据库,结合米散射理论和衰减系数公式,得到了1μm,2μm和3μm波长近红外辐射的消光效率因子与雨滴直径的关系曲线,并计算了在降雨量分别为0.25mm/h,1.25mm/h,2.5mm/h,12.5mm/h,25mm/h和50mm/h条件下的近红外辐射衰减系数。结果表明,不同降雨量条件下,对于雨滴谱分布的函数关系式,正态分布具有更好的拟合效果;消光效率曲线的包络线随波长的增大而增大;拟合衰减系数和降雨强度的函数关系发现,指数函数具有很好的拟合效果。该计算结果对研究降雨对近红外辐射的衰减具有重要意义。     

器件参数对SiC MOSFET并联均流影响的统计分析

SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)多芯片并联或分立器件并联器件已成为大电流应用的主流方案.为研究SiC MOSFET器件参数分散性对并联器件电流分配的影响,采用变异系数作为评估指标,对比了同批次器件不同参数的分散性,并探讨了不同结温下参数分散性的波动.基于假设检验方法,验证了器件参数近似服从正态分布.由拉依达(Pau-Ta)(3σ)准则得到了器件参数分布范围,然后推导了电流不均衡度和电流降额率与器件参数分散性之间的关系.统计分析结果表明:跨导系数分散性最小,但其对电流分配的影响最显著;SiC MOSFET并联的静动态降额率会随器件参数分散性和并联数量的增大而增大,但增长速度逐渐减缓.因此,在芯片并联前,应根据应用需求进行芯片筛选来降低器件参数的差异,同时合理选择并联数量.     

薄膜工艺制造误差对电路性能的影响

薄膜工艺具有加工高精度图形的能力,广泛应用于微波毫米波电路中。在设计薄膜滤波器等无源电路时,为了降低分析、计算难度,常采用理想模型,未考虑工艺制造误差及材料特性等影响,造成了实测值与计算结果有一定偏差。为了提高薄膜电路设计的准确性,对设备、人员相对稳定的薄膜工艺线各主要工序制造误差进行分析,通过大量实测数据,统计出了该工艺线制造误差范围,常规线宽偏差±4.5μm以内,关键线宽可控制在±2.0μm以内,线条厚度误差±20%以内。根据工艺制造能力,构建电路的三维多参数仿真模型,与理想模型进行对照,给出了薄膜工艺制造误差对滤波器电性能的影响,为今后准确设计滤波器等无源电路提供了有力的指导。应用结果表明,多参数模型与实测结果更为接近。