低熔纯钛用体瓷的研制及其性能研究

采用硼硅酸盐玻璃体系制备低熔钛专用体瓷,研究了体瓷组成与热膨胀系数的关系,并采用XRD和细胞毒性实验分别研究了钛体瓷的晶相组成和生物相容性。结果表明,钛体瓷为不含晶体的均质玻璃体,其热膨胀系数随SiO2含量的增加而减小;通过对比两种配方的烧结温度与力学性能,最终确定体瓷配方和烧结工艺:自制钛体瓷的烧结温度为760℃,抗弯强度、断裂韧性和维氏硬度分别为(85±4.07)MPa、(1.44±0.04)MPa/m1/2和(3904±21.71)MPa/mm2,硬度稍高于天然牙釉质。XRD结果表明自制钛体瓷为不含晶体的均质玻璃体;细胞毒性为0级,对细胞无抑制作用,可望进一步应用于临床修复。     

小型液体除湿空调系统实验研究

对小型液体除湿空调系统,从居住建筑除湿负荷及经济性角度出发,采用CaCl2溶液进行液体除湿实验,研究CaCl2除湿和再生的动态特性。研究发现除湿与再生的3个重要因素为溶液温度、溶液浓度和空气进口含湿量。在实验工况下,CaCl2溶液的除湿量为32 g/kg,再生性能优于除湿性能,约为除湿的1.3～9倍。对实验进行总结后,认为CaCl2作为除湿剂进行液体除湿还有很大改进空间和推广潜力。     

含负折射率材料的光子晶体异质结构的能带

构造了(AnBm)s型正负折射率材料交替生成的一维异质结构光子晶体.由于传输矩阵法具有方法简单、计算量低和精确度好等优点,本文利用传输矩阵法来研究电磁波在这种结构中的传输特性.由透射谱可以看出,该结构的光子晶体具有宽窄不同的通带,且整个能带结构不敏感于周期数的变化,而敏感于晶格厚度和入射角的改变:随着晶格厚度的减小,禁带逐渐变宽,在原来的通带区逐渐形成多个禁带,通带区震荡的剧烈程度逐渐减弱;随着入射角的增加,在原来的通带区也会逐渐出现多个禁带,其中在低频区逐渐出现的禁带都比较窄,而在高频区则逐渐出现一个很宽的禁带,并且这个禁带随着入射角的增加而变宽,同时透射峰随入射角的增加而逐渐向低频移动.由此可以看出,这种光子晶体可以同时实现窄带滤波和宽带滤波的双重滤波功能.     

计算机实现符号网络函数的新算法

提出了实现带有符号参数的电网络函数的一种新算法。与符号处理过程中常使用的拓扑树枚举法、信号流图法有质的区别。它采用符号参数编码，使其准数值化。因此计算机处理这种电网络就象处理数值电路一样，快捷、有效，同时节省内存空间，提高了分析电路的规模。根据本文思想所开发的软件系统已经完成。最后，举例说明了这种算法的有效性。     

氮化钽场发射阴极的制作及其特性的研究

采用钽针尖氮化法首次制得了氮化钽场发射阴极。在加速电压为6.8kV,尖端温度为1300℃时,热场发射电流达210μA,相应的亮度可达3×10~8A/cm~2·str,角电流密度为5×10~3μA/str。在真空度为10~(-8)托时,能得到较为稳定的发射,30分钟内发射电流的漂移在2.5％以下。典型的场发射图象由中央为暗区,二侧有二叶对称的明区所构成。采用俄歇谱仪对阴极表面进行了组成分析。     

红色偶氮色淀颜料晶型与表面处理

本文较系统的论述了红色偶氮色淀颜料的结构特性，主要商品的晶型类别、合成工艺及后处理条件对色淀颜料晶型转变的影响，讨论了近期对色淀颜料的表面处理工艺与产品应用特性。     

实现4兆位DRAM的主要亚微米工艺技术

1M位DRAM已经突破了器件实用化研究阶段,工艺开发的重点已逐渐转移到4M位DRAM用的工艺上。4M位DRAM确实是用超微图形而大量生产出来的最早的LSI,但要突破1微米条宽这一大关,大量的技术革新是必不可少的。 日本三菱电机公司LSI研究所,在1984年国际固体器件、材料会议(神户)和VLSI讨论会(圣迭戈)上相继发表了实现4M位DRAM的关键——几种基本图片加工的部分技术。     

水和矿石中微量铀的直接分光光度法测定

本文研究了一种高灵敏度的直接分光光度测定痕量铀的新方法。它是在非离子型表面活性剂吐温—40存在下,在pH 8.0下,铀(Ⅵ)与2—(3,5—二溴—2—吡啶偶氮)—5—二甲氨基苯酚形成一种摩尔比为1:2的兰绿色络合物,其特征吸收波长为λ_(max)=670um,摩尔吸光系数ε=1.4×10~5,络合物的条件稳定常数K_稳=3.0×10~(11),在10—50倍于铀的20多种常见重金属离子存在下,不经分离可直接测定微量铀。此方法适用于水、矿石等样品中铀的测定,精密度优于±5.0%,加入回收率大于95%。     

塑料薄膜凹印中回粘问题的成因及对策

塑料薄膜印刷后印迹出现已干燥的假象，但在印好卷简或制袋后的存放期间又出现背面粘脏的现象，严重时印件之间撕不开，图文墨层移染，造成产品报废。这种现象在高温季节更易发生。