印染车间作业计划优化调度

由于基于统一离散时间表示的生产过程优化模型的约束和变量多,基于连续时间的批处理短期调度在近10年得到了广泛的重视和研究。本文简略介绍了生产过程调度模型的情况,通过对生产过程优化调度模型和印染生产工艺的研究,建立了基于连续时间印染生产过程优化调度MILP模型。然后,通过把数学模型转换成IL-OG OPL语言描述的模型,以浙江省某印染企业2个案例为数据,利用ILOG CPLEX进行求解,调度结果以甘特图的形式表达。结果表明印染生产连续时间MILP调度模型的有效性,优化了车间生产资源的配置。     

增氧间歇式气化生产合成氨原料气的分析

针对我国氮肥UGI型固定床层造气炉运行的现状,依据造气过程放热和吸热循环平衡的原则,开发了增氧间歇式气化生产合成氨原料气技术.应用结果表明,该技术节省了造气过程的煤耗,优化了吹风、制气等过程的时间,增加了半水煤气的产量,减少了CO2硫化物的排放.     

异戊二烯两段式萃取精馏分离工艺的改进

目前,工业上广泛采用两段式萃取分离工艺从C5馏分中分离异戊二烯,但该工艺分离流程较长,第2萃取单元存在着对溶剂中环戊二烯质量分数要求严格、各精馏塔操作条件苛刻、溶剂损失量大等缺点。针对这些缺点,提出使用2个反应精馏塔代替异戊二烯两段式萃取精馏分离工艺中脱重塔和第2萃取段,并采用热泵和热交换技术的新工艺。运用化工流程模拟软件Aspen Plus和Wilson物性方程对该工艺流程进行模拟计算。模拟计算结果显示,改进后的工艺可以得到炔烃和环戊二烯都满足的聚合级异戊二烯产品,而且产品中异戊二烯的质量分数和收率分别较两段式萃取分离工艺提高了0.2%和0.65%,能耗则降低了16.7%。改进后的工艺具有分离流程短、设备投资低、萃取剂用量少和能耗小的优点。     

低糖红茶奶茶的研制

本文以祁门红茶和脱脂奶粉为主要原料开发低糖红茶奶茶。通过单因素实验研究了茶水比、浸提时间、浸提温度对茶汤感官评价的影响。在此基础上，利用单因素和正交优化试验，确定了低糖红茶奶茶的最佳配方。试验结果表明，制备祁门红茶茶汤的工艺是：茶汤浸提温度80℃、浸提时间15min、茶水比1∶40；低糖红茶奶茶的最佳配方是：茶汤60%、脱脂奶粉6%、赤藓糖醇3%、甜菊糖苷0.0050%、蔗糖3%，感官评分为87。该工艺下制成的低糖红茶奶茶浓稠恰当，质地较均匀，口感细腻润滑，甜味适中，具有一定的市场价值。     

固定床催化反应器中平行反应的飞温现象Ⅰ冷却介质温度恒定

对在固定床催化反应器中冷却介质温度恒定时平行反应的飞温现象做了详尽的理论分析，推导出该系统安全操作所允许的温度上限和临界初始条件。研究结果表明简单反应的飞温理论适用于平行反应，在相同条件下平行反应和简单反应飞温区域之间的差异与主副反应的反应速率和热效应大小有关。对于平行反应系统，判断副反应的取舍，不应只从副反应速率本身的大小来考虑，还应该考虑副反应的热效应。     

电流波形对AZ91D镁合金电镀铜的影响

通过SEM、中性盐雾试验和结合力试验,研究了3种电流波形(平滑直流、半波整流及全波整流)对AZ91D镁合金上镀铜的影响。实验表明,全波整流和半波整流的微观形貌比较相近,晶粒大小均匀,排列规则、紧密;而平滑直流铜镀层较全波和半波整流的沉积晶粒较大,晶粒间缝隙较宽,排列不够紧密。3种电流波形下所得铜镀层的耐蚀性及结合力均良好,其中全波整流所得镀层的性能最佳。     

浅析南四湖水资源使用纠纷解决机制的建构

当前，管理好南四湖水资源的首要任务就是要解决好南四湖的用水矛盾问题，而法治途径是南四湖用水矛盾解决的关键所在。因此，应当以加强法治建设及完善配套措施为主要路径来建构南四湖用水纠纷解决机制。     

基于EW-IAHP的煤层底板突水危险性评价

在目前的煤层底板突水评价应用中，选定影响突水的主要控制因素权重值对底板突水评价及预测有着重要作用。在传统的脆弱性指数法应用中，主控因素权重通常采用单一的权重确定方法，评价结果主观随意性强，无视数据本身的客观环境；或者客观性强，不能体现决策者对不同主控因素的重视程度，都会影响评价结果的全面、客观。考虑指标数据之间内在规律的客观赋权法和专家经验对主控指标考量的主观赋权法，采用改进的层次分析法(IAHP)与熵权法(EW)综合确定权重，与脆弱性指数法进行耦合，对煤层底板突水进行危险性评价。结果表明，潘家窑井田5号煤层底板突水危险区面积占比为25.73%,研究区断层较为发育，对煤层底板突水起控制作用。评价结果有效提高了预测精度，对潘家窑井田的安全生产有较好的指导作用。     

地理信息系统在黄龙泉小流域水土保持规划中的应用

地理信息系统在小流域水土保持工程数据库的建立及技术支持上有了越来越重要的应用。在黄龙泉小流域运用地理信息系统开展规划,不仅提高了工作效率及数据的精度,更使现状数据、规划数据、图件三部分同步协调,提高了设计水平。     

微波大功率SiC MESFET及MMIC

利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究.研制的SiC MESFET采用栅场板结构,显示出优异的脉冲功率特性,20 mm栅宽器件在2 GHz脉冲输出功率达100 W.将四个20 mm栅宽的SiC MESFET芯片通过内匹配技术进行功率合成,合成器件的脉冲功率超过320 W,增益8.6 dB.在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC,在2～4 GHz频带内小信号增益大于10 dB,脉冲输出功率最大超过10 W.