格值半连续映射的乘积式刻划

首先构造了一个反例,说明用积空间的开子集刻划通常下半连续函数的情形对一般的格值半连续映射不必成立.然后讨论了用X×L的子集刻划格值半连续映射的各种情形,并且通过在X×M(L)上引入新的拓扑,给出了格值半连续映射的几个刻划定理.     

论自发过程

用熵增原理分析讨论了对自发过程的各种现行叙述法和定义,给出了自发过程的严格定义,分析了自由能判据和自由焓判据的实质.     

电力系统中采用全县形变压器所引起的谐波

为深入研究全星形变压器在电力系统中可能引起谐波电流、电压增大的问题,文中建立了全星形变压器模型,并采用半隐式Rosenbrock-Calahan法和四阶显式Runge-Kutta法交替使用的状态方程解的算法,以及快速富里叶变换的谐波分析(FFT)算法,编制了通用性强的系统仿真程序。本文对电力系统设计和运行有一定的参考价值。     

非萃取分光光度法测定金属及矿物中的微量铊

本文确证了新显色剂7—(4.5—二甲基噻唑—2—偶氮)—8—羟基喹啉—5—磺酸可在水相中直接测定微量铊(Ⅲ)在P~H=4～5及有氯化十六烷基吡啶存在的条件下,试剂与T1(Ⅲ)水溶液中形成紫红色的络合物,其摩尔比为1:2(T1:R),表观稳定常数为1.5×10~(11),摩尔吸光系数ε_(560)=1.3×10~5l·m01~(-1)·cm~(-1),并对干扰离子的影响作了研究,提出了一个非萃取分光光度法测定微量铊的新方法。     

一种二氧化碳闭路循环分解新方法

本文将热化学闭路循环原理用于二氧化碳分解过程，提出了一种二氧化碳闭路循环分解制取C和O2的五段法，对组成循环的五个反应分别进行了工艺条件试验，并对反应的有关固定产物进行了x－射线分析，通过实验验证了此循环的可行性，提出本方法循环操作的示意图。本方法将为解决由二氧化碳造成的环境污染及变废为宝提供一条崭新的途径。     

In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构的LP-MOVPE生长

本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料.X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰,光致发光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺寸效应而导致的PL谱.     

格值诱导空间的完全正则性

对一般的格值L,我们证明了:诱导空间是完全正则的,如果它的底空间是完全正则的.对适当的定义域L和值集I=[0,1]证明了:诱导空间是完全正则的,当且仅当它的底空间是完全正则的.     

纳秒脉冲激光诱导的硅离子发射与激光能量密度的关系

用高分辨质量选择的飞行时间谱技术研究了在１９３ｎｍ脉冲激光辐照下自Ｓｉ（１００）表面上硅离子的脱附．发射硅离子动能分布的测量表明，随着激光能量的增加，将相继出现一些新的特征峰，其强度随着激光能量密度的增加而增加．在低的激光能量密度下出现在２．２，３．０，４．２和６．９ｅＶ的峰表征不同背键表面态下的电激发过程，而在较高能量密度下相继出现的特征峰分别表示硅表面上的预熔、蒸发、等离子体形成等物理过程的开始．因此，所有在动能分布曲线相继出现的特征峰可做为检验在不同激光能量的作用下，各种不同物理过程开启的判据．