燃煤电厂循环水进水流道布置形式分析

电厂取水流道的布置形式直接关系到吸水室内水流流态的好坏、工程的投资及施工难度。受各种条件影响,流道内水流现象往往比较复杂,可能会对今后电厂的正常运行带来安全隐患,通过模型试验可以对流道的布置形式加以优化,避免因回流漩涡等问题对工程的影响。     

克拉玛依油田八区佳木河上亚组储层孔隙结构特征及分类

孔隙结构是影响储层孔隙度、渗透率的重要因素,无论是在油气二次运移过程中油气驱替孔隙中的地层水时,还是油气在开发过程中从孔隙中被驱替出来时,都受孔隙结构所控制。采用薄片鉴定、压汞分析、扫描电镜等实验测试技术,对克拉玛依油田八区佳木河组储层微观孔隙结构特征进行了详细研究。研究结果表明,八区佳木河上亚组储层物性整体上属于中孔低渗~特低渗储层,孔隙以原生晶间孔、粒内溶孔、胶结物内溶孔为主,属于中小孔、微细喉道类型,喉道分选性差,均质性相对较差,连通性一般。通过对各类孔隙结构特征参数的相关性分析,选取有效孔隙度与渗透率作为孔隙结构主分类参数,对八区佳木河上亚组储层孔隙结构进行分类,共分为三大类、五个亚类。其中,I-1亚类储层孔隙结构最优,II类储层孔隙结构中等偏下和III类储层孔隙结构极差。     

岩浆侵入对围岩中有机质成熟度影响的有限元模拟

岩浆侵入地层后,其放热是一个相对较缓慢的过程,对围岩中有机质的成熟度会造成影响,而对于这种影响的范围和程度,目前的研究大多为定性描述。文中使用有限元方法进行岩浆侵入的热传导模拟,并在模型中引入地温梯度的定义,分析岩浆侵入活动对围岩地温场及围岩中有机质成熟度的影响。模拟结果表明:对于形态不规则的侵入岩体,在侵入后约45 a内,其周围温度场等温线分布类似岩体形态,约45 a后,等温线形态和侵入体一致。岩体侵入对围岩中有机质成熟度的影响范围较小,根据有限元热传导模拟结果,50 m宽的侵入岩体的有效影响范围约200 m,100 m宽的侵入岩体的有效影响范围约500 m。     

浅谈新建高压瓦斯脱硫在企业节能减排中的作用

新建160 kt/a高压瓦斯脱硫装置是公司"十一五"期间的重要节能环保项目,论述了该装置的工艺流程、主要技术特点、运行效果及效益分析,并对进一步发挥该装置潜能,实现全厂炉用瓦斯进一步净化,规避新硫磺低负荷运行的风险提出了建议.     

用户陷阱处理

<正> 1.概述 MOD 400操作系统提供了这样一种方法,就是在一个任务执行期间发生了某种事件,如程序错、内存故障、定点运算溢出、非法指令等,就自动进入陷井。进入陷井后,根据不同的陷井事件,转到事先设计好的相应的处理程序进行处理。因此陷井就是由执行程序引起的控制转移,是一种软中断。处理陷井事件的那个程序叫做陷井处理程序。     

钒酸钇晶体多晶原料的合成研究

本文选择了合适的初始原料提纯法，分别采用液相法和固相法合成了钒酸钇晶体的多晶原料，同时对合成条件进行了优化，并设计了合理的烧结温度。利用XRD分析对不同方法合成的YVO4多晶原料进行了分析，结果发现液相法合成的原料纯度及均匀性要高于固相法合成的样品。     

Nd∶NaBi(WO_4)_2晶体生长

采用Czochralski法生长出尺寸为 8mm× 2 0mm的掺钕的钨酸铋钠 [分子式 :Nd∶NaBi(WO4) 2 ,简称 :Nd∶NBW ]激光晶体 ,研究了生长工艺参数对Nd∶NBW晶体结构完整性的影响 ,确定了最佳的生长工艺参数 :轴向温度梯度为 0 .7～ 1℃ /mm ,生长速率 0 .2～ 0 .5mm/h ,晶体转速 1～ 4r/min。并利用了X射线衍射确定了Nd∶NBW晶体属于四方晶系 ,I41 /a空间群 ,其晶格常数为a =0 .5 2 75nm ,c=1.14 93nm。通过TG -DTA分析了Nd∶NBW晶体的相关物理、化学性质 ,确定了其熔点为 936.2℃ ,并与纯的钨酸铋钠晶体 (分子式 :NaBi(WO4) 2 ,简称 :NBW)进行了对比性研究     

三峡水库运行后考虑重庆主城区防洪的坝前最佳水位

根据三维数学模型计算所得的不同坝前水位和上游流量下的重庆主城区水位公式,建立三峡水库坝前水位对于重庆主城区(九龙坡—铜锣峡)河段的壅水高度公式,公式可综合反映重庆主城区壅水高度与坝前水位关系,根据公式给出考虑重庆主城区防洪的坝前最高水位和最佳水位,可为三峡水库坝前水位调度提供参考。     

Nd3+:KGd(WO4)2晶体生长及激光性能

本文采用泡生法生长出Nd3 :KGd(WO4)2晶体,Nd3 浓度3.2at.%.测试了其吸收光谱及荧光光谱,通过计算获得808nm吸收截面为0.6799×10-20cm2;荧光输出波长为1068nm和1351nm.在激光实验中,当LD泵浦源输出功率为900mW时,获得1064nm、326mW的激光输出,斜效率62.7%,水平和垂直两个方向上光束传输因子M2均小于1.2.经倍频获得532nm的绿光.用Cr:LuAG作为可饱和吸收体进行调Q实验,重复频率为15kHZ时,脉冲宽为170ns.     

勾形磁场中直拉硅单晶浓度场的数值模拟研究

为有效控制晶体尺寸、金属杂质含量、掺杂元素及氧分布的均匀性,提出在非均匀轴对称勾形磁场中利用磁控提拉法生长硅单晶。用有限差分法对非均匀轴对称勾形磁场中直拉硅单晶体系中的浓度场进行数值模拟研究,基于直拉硅单晶生长系统的物理及数学模型,进行无量纲化处理,借助于相应的边界条件进行求解,并针对不同工艺条件下熔体中及界面处氧浓度分布情况进行模拟研究。结果表明：在勾形磁场作用下,通过改变磁场强度、晶体和坩埚转速及晶体半径可有效控制固一液界面处氧浓度及分布均匀性,从而在晶体中获得径向均匀的氧浓度。