国产DCS在大型多晶硅生产装置中的应用

多晶硅是太阳能光伏产业和电子工业的基础原料,其发展前景光明。随着国内集散控制系统(DCS)的不断成熟和完善,国产DCS逐步打破了国外DCS长期在多晶硅行业的垄断局面。本文在阐述了1500吨/年多晶硅生产装置中的生产工艺基础上,基于国产ECS-100DCS控制系统完成DCS总体设计和关键控制方案,针对工艺特点提出了多种模式自动控制方案、安全联锁保护、智能设备信息集成方案等,这些成果在1500吨/年多晶硅生产装置上得到成功应用。     

太阳能价格失守底限 下半年或反弹

据EnergyTrend调查,太阳能现货交易价格最大的变化在于厂商力守的价格底限已在德国Intersolar展会中失守。本次调查发现,上游的多晶硅部分最低成交价仍力守$50/kg,但平均成交价却下滑到$52.28/kg,跌幅为5.19%。虽然展会中并未出现低于$50/kg的行情,但同一时间中国市场已出现$50/kg以下     

特变电工投资155.24亿建新疆光伏项目

近期,特变电工发布公告称,国家发改委已批复同意公司建设新疆光伏产业循环经济建设项目,总投资额达到155.24亿元。特变电工表示,该项目建设规模将达到年产1.2万吨太阳能级多晶硅、2000吨白炭黑、1.5万吨氯气、500MW硅     

合成氯硅烷精馏工艺改造

针对多晶硅生产中合成氯硅烷精馏工艺存在的问题,对其工艺进行了改造,采用Aspen Plus软件对改造后的工艺进行了模拟计算,并结合生产实际确定了较优的操作条件。与原工艺相比,工艺流程简单,设备数量减少,塔釜再沸器能耗减少23.56%,塔顶冷凝器能耗减少24.68%,合成精制三氯氢硅及多晶硅产品的合格率分别由改造前的92.1%和86.4%提高至97.5%和92.1%。     

多晶硅副产物四氯化硅的利用

随着绿色能源太阳能的大规模开发利用,光伏电池原料多晶硅的用途越来越广泛.生产多晶硅的方法以西门子法用的最广,在生产多晶硅原料三氯氢硅的过程中会产生大量的副产物四氯化硅,其对环境的污染相当严重,如何处理这些副产物,这个问题亟待解决.介绍了多种四氯化硅的再利用方法,如可以用来制造气相白炭黑,合成有机硅产品,制备高纯光纤,用...     

多晶硅行业协会建设对进口美韩产品征反倾锁关税

两周前美国对华太阳能电池无端发起“双反”调查,如今中国多晶硅行业也准备拿起反倾销武器。从中国有色金属工业协会硅业分会获悉,在12月6日召开的2011年硅业分会会长会暨多晶硅市场座谈会上,协会提出应对美韩等多晶硅出口国家征收反倾销关税,并建设国家组织地方启动特别太阳能光伏发电计划。     

多晶硅片氧化前后方块电阻的变化实验研究

通过实验发现,多晶硅片在不同温度下氧化后方块电阻的变化情况不同。温度较高时,氧化后方块电阻降低;温度较低时,氧化后方块电阻升高;单晶硅在任何温度下氧化后方块电阻都是降低的。通过分析认为是多晶硅的结构使其氧化后方块电阻的变化情况与单晶硅不同。     

多晶硅太阳电池表面绒面制备工艺优化

采用各向同性腐蚀法制备多晶硅绒面,利用正交实验法研究了不同腐蚀液配方中的HNO3、HF和缓和剂NaH2PO4·2H2O的含量对多晶硅太阳电池绒面的反射率和腐蚀速度的影响。结果表明:NaH2PO4.2 H2O溶液对腐蚀速度有着显著的影响,其次为HF溶液和HNO3溶液;对于反射率来说,其影响因素的重要性主次顺序为HF溶液、HNO3溶液、NaH2PO4·2 H2O缓和剂。在本实验条件下,最佳的酸腐蚀混合液配方为HF∶HNO3∶NaH2PO4.2 H2O=9∶1∶7,在该工艺条件下,制备的硅片绒面腐蚀坑较为均匀,反射率为17%左右。     

多晶硅生产中废气淋洗塔着火及系统产生无定型硅的原因分析及处理措施

多晶硅炉试生产一个月后,废气淋洗塔在一周内着火9次。经检查,还原炉炉壁、炉子基盘上散布有无定型硅粉,回收的氯硅烷颜色呈黑灰色,系统检测DCS含量达10%;MSA还原炉反应温度在900～1000℃之间,GT还原炉反应温度在1050℃～1100℃之间。分析研究后认为,MSA还原炉反应温度过低,处在生成DCS和无定型硅的温度区域,管道内富集了无定形硅,造成系统的堵塞,致废弃淋洗塔产生着火现象。采取了提高还原反应温度至1100～1150℃的措施,两周后,系统检测DCS含量降低到4%左右,淋洗塔不再着火,回收的氯硅烷颜色恢复。     

铜杂质在太阳电池用多晶硅中的沉淀及吸杂行为(英文)

采用扫描红外显微镜、光学显微镜、电感耦合等离子质谱仪和微波光电导衰减仪对铜杂质在多晶硅中不同缺陷状态区域的沉淀和吸杂行为进行研究。发现铜杂质沉淀行为与缺陷密度密切相关,在低缺陷密度区域铜杂质大多易于均质形核形成沉淀,而在高缺陷密度区域铜杂质通常会聚集在缺陷处异质形核而沉淀下来。当铜沾污量较高时,由于在硅基体中的肖特基二极管效应,铜沉淀会令多晶硅中的载流子寿命明显缩短。在900℃下进行快速磷吸杂处理后,这两种区域中的铜杂质都不能得到有效去除。