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为研究弯曲磁过滤弧离子镀工艺的磁过滤电流变化对薄膜质量的影响,用弯曲磁过滤弧离子镀工艺在3.0~4.5A内变化磁过滤电流制备了TiN薄膜样品,用扫描电子显微镜观察了薄膜表面与截面形貌,用X射线衍射研究了薄膜的组织结构,从等离子体角度分析了磁过滤电流对薄膜表面质量、结晶质量等薄膜质量及生长速率的影响.结果表明,引入磁过滤后,因去除大颗粒的结果使薄膜表面均很光滑,且表面大颗粒的尺寸与磁过滤电流的大小关系不大.当磁过滤电流为4.0A时,TiN薄膜结晶良好、膜基结合紧密,生长速率达到最大的1.1μm/h,且具有很强的[200]择优取向.在4.0A磁过滤电流下制备的TiN薄膜所呈现的质量特性是由于此电流下等离子体密度与能量高、基体的位置又正好处于聚集的等离子体区域中心. 相似文献
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在氩气气氛中用熔炼法制备了[Co80Fe10Ni10]20Cu80-xCrx系列Cu基巨磁电阻合金.通过光学显微镜、透射电子显微镜、场致发射扫描电镜和电子探针研究了[Co80Fe10Ni10]20Cu80-xCrx合金在1000℃均匀化处理6h后水淬.以及随后的300~700℃,30~150min回火处理的微观结构及组分。用直流四探针法测量了合金的室温巨磁电阻效应(GMR)。结果表明.合金在回火时从基体相中析出了高度弥散的含Fe、Ni、Co的纳米磁性新相。回火温度对合金的磁电阻效应影响很大,样品在600℃温度回火90min时,合金的室温GMR效应最好,可达8.61%。少量合金元素Cr的添加替代(Cr代Cu)消除了Co-Fe-Ni—Cu合金中的混溶裂隙,改善了合金的加工性但也降低了合金的磁电阻效应。 相似文献
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电弧离子镀TiN及其复合膜的腐蚀机理探讨 总被引:5,自引:2,他引:5
利用电弧离子镀在高速钢基体上制备了TiN及其复合膜(Ti,Cr)N,通过盐水全浸泡试验测量了薄膜的腐蚀速率。利用SEM观察了薄膜腐蚀后的表面形貌及断口形貌,并用其自带的能谱分析仪测量复合膜中Cr的含量,讨论了带有宏观熔滴颗粒的TiN及其复合膜(Ti,Cr)N的腐蚀机理。结果表明:高速钢表面电弧离子镀TiN和(Ti,Cr)N复合膜均可提高其耐腐蚀性能,薄膜的腐蚀主要有小孔腐蚀、缝隙腐蚀及电偶腐蚀。 相似文献
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偏振片薄膜化有利于液晶显示器件的小型化、集成化和轻量化。二向色性蓝蒽酮改性引入磺酸基,偏光分析表明其水溶液中分子自组装为溶致液晶相,织构呈带状。在600~730nm可见光波段,改性蓝蒽酮涂布薄膜的偏振效率可达到80%以上,满足实用要求,而厚度仅有0.4~1.2μm,划痕测试表明薄膜与玻璃基片的结合强度较好。紫外-可见光分光光度计测试结果显示,稳定化处理后薄膜的光学透过率下降,偏振效率基本不变;表面形貌分析表明,微裂纹产生是导致其光学透过率下降的主要原因。随膜厚增加,薄膜偏振效率提高,可见光波段的偏振性能改善,但光学透过率下降。试验结果表明,改性蓝蒽酮偏振薄膜具有良好的耐热和耐湿热性能。 相似文献
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Er2-xCexFe17化合物的结构与磁熵变 总被引:1,自引:0,他引:1
较详细地研究了Er2-xCexFe17化合物的结构、磁性和磁熵变。结果表明,轻稀土Ce的掺入虽然没有明显改变Er2Fe17化合物的相结构及其晶格常数,但改变了Er次晶格与Fe次晶格之间的耦合系数,使仍为Th2Ni17型六方结构的Er2-xCexFe17化合物的居里温度可通过成分微调使其处在室温附近。Er2-xCexFe17化合物的λ形(-△SM)-T曲线表明其在居里点附近发生的相变属于二级相变,它使化合物可在较宽温区范围内保持较大的磁熵变。Er2-xCexFe17化合物在x=0.05-0.1范围内具有较大的磁熵变,其在2.0T和5.0T外场下的最大磁熵变达到金属Gd的40%~50%,且其化学性质稳定、制冷温区宽、价格低廉,是一类性价比较高、应用潜力较大的新型低场室温磁制冷工质材料。 相似文献