共振隧穿二极管(RTD)I-V特性的几个问题

对作者研制的 RTD进行了 I-V特性测量 ,并重点分析了 :(1 ) I-V特性的湿度效应 ;(2 )负阻区“表观正阻”现象 ;(3 )用负阻值估算开关时间。以上问题的分析对 RTD的设计和研制有一定的指导作用     

砷化镓单晶片抛光工艺研究

由于砷化镓（ＧａＡｓ）及其它化合物半导体具有很重要的作用，目前对它们的工艺研究越来越多。本文主要介绍了一种比较成熟的ＧａＡｓ单晶片抛光工艺。     

砷化镓单晶片抛光工艺研究

由于砷化镓及其它化合物半导体具有很重要的作用，目前对它们的工艺研究越来越多。本文主要介绍了一种比较成熟的ＧａＡｓ单晶片抛光工艺。     

半导体晶体的定向切割

半导体晶体的定向切割郭辉林本付（淄博金晶电子材料厂）１晶体定向切割分析１．１定向分析目前世界上所用的晶体材料如Ｓｉ、Ｇｅ等单质晶体或ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ等化合物半导体晶体都是闪锌矿结构，一般都是沿〈１１１〉、〈１００〉或〈１１０〉取向生长而成。其...     

CMOS兼容近红外Si0.7Ge0.3/Si p-i-n(SOI)光电探测器

报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7～1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值.     

文一污水站减少污泥产生量的污水处理技术

为了减少文一污水站按现行工艺在高pH(8.0-8.5)下处理油田污水过程中产生的污泥量，开发了一种新的污水处理工艺，在室内实验条件下，用一种pH调节剂将污水pH控制在7．0－7．5，加入除铁剂，除铁增效剂各100mg/L，得到了最好的净水效果（滤膜系数MF＞30），车原污水相比，净化水污泥产生量由10．8g/L降至－1g/L，50℃，15d静态腐蚀速率为0．0089－0．0110mm/a，平均0．0097mm/a，SRB菌数为0，TGB菌数0－10^1个／mL，与地层水完全配伍；矿化度和主要成垢离子浓度有所降低。在文一污进行了为期47d的现场试验，结果表明：（1）在pH6.8-7.2，除铁剂和增剂剂加量分别为150，130mg/L时，净水效果最好，外输入MF＞28，SS 5mg/L，含油2mg/L，（2）pH增大时污泥产生量增大，处理后水水质变差；（3）pH6.8-7.2除铁剂130mg/L，增效剂100mg/L为最佳净水条件，外输水MF＞20；（4）净化水腐蚀性符合水质指标，主要腐蚀因素是二次沉降罐曝氧，加入Na2SO3可降低溶解氧含量，但引起水质下降；（5）试验期间污泥量减少1／2－1／3。（6）处理后水水质波动主要是水量波动引起的。     

NPC三电平逆变器目标合成固定开关频率MPC

为规避有限集模型预测控制(MPC)开关频率随机的问题,设计了一种目标合成固定开关频率优化MPC方案.中点箝位(NPC)三电平逆变器对开关损耗敏感,而传统有限集MPC无法保证低开关频率,因而新方案将调制糅合进入MPC,并将控制目标合成优化,从而实现了恒频和计算效率优化,同时还保持了有限集MPC的所有优点,如快速动态响应、非线性约束以及多变量控制等.利用5 kW原理样机开展了实验,实验结果表明所设计的固定开关频率MPC具有较好的动静态性能,并网电流总谐波畸变率(THD)小于2％.     

套损修复措施探讨

油田生产过程中,由于各种原因导致的套管损坏,使井筒无法正常运行。需要采取必要的套损修复技术措施,有效地修复套管损坏的故障,恢复井筒的正常运行状态,提高井筒的完好率,达到油田开发的技术要求。     

硅橡胶静电耗散材料的研究进展

概述了硅橡胶的静电耗散改性技术的作用机理及研究进展,探讨了硅橡胶静电耗散性能的影响因素以及提高硅橡胶静电耗散能力的一些有效途径。在此基础上,简要总结了当前硅橡胶静电耗散材料存在的不足,并对硅橡胶静电耗散材料的研究现状和发展趋势进行了展望。     

PVC冷粘防静电鞋的开胶问题与对策

介绍了胶黏剂的作用机制,分析了PVC冷粘防静电鞋开胶的原因,并从预处理剂和胶黏剂的配制、涂胶工艺、烘干工艺等方面提出了改进建议。