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利用真空轧制复合技术900℃时制备TA2与304L不锈钢的复合钢板,分别研究直接复合及加入Nb夹层后复合界面的组织与性能,分析Nb夹层对复合板组织及性能的影响。结果表明:直接复合的Ti不锈钢复合板界面生成了Fe2Ti、Cr2Ti及NiTi2等多种金属间化合物,严重削弱界面的结合强度,界面的剪切强度仅为128 MPa,性能较差。加入Nb层后,Ti与不锈钢之间的互扩散被完全阻止,且Nb夹层与两侧金属均产生良好的结合;Nb、Ti界面未生成任何金属间化合物,Nb与不锈钢界面有FeNb金属间化合物生成;界面剪切强度获得大幅提升,达到338 MPa,性能优良。 相似文献
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油井结蜡是大部分油田生产过程中不可避免的问题,直接影响着油井能否正常生产。因此,必须定期对油井井筒以及集输管线的结蜡进行清理[1]。靖安油田属于典型易结蜡、结蜡周期短的油田。本文以靖安油田为依托对五里湾一区油井清防蜡展开研究。从投产至今,化学清防蜡一直是靖安油田五里湾一区的重要清防蜡措施之一[2],传统方法主要靠井组员工人工操作,不但工作量大,且药品损耗量大;为此,该区引进多井井口自动加药装置来提高加药效率、节约人力成本,为该区的井场数字化无人值守奠定了进一步的物质基础。 相似文献
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基于国内外一维纳米材料器件的最新研究进展,系统综述了近年来一维纳米材料的排列方法,并介绍了磁场排列法、电场排列法、微流法、Langmiur-Blodgett等方法的原理和优缺点。同时,指出了一维纳米材料器件集成所面临的挑战,例如无法兼顾大规模有序排列与单一纳米材料精确定位排列等。最后,简单展望了一维纳米材料排列方法的发展趋势,传统排列方法,包括磁学方法和电学方法等的发展已经遇到了技术瓶颈,短时间内难以得到本质性的优化,生物技术也许会成为一维纳米材料有序排列的一个发展方向。 相似文献
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87.
88.
太赫兹技术对营养品中蛋白质含量的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用太赫兹时域光谱(THz-TDS)和红外光谱分析技术,研究了3种奶粉、杏仁粉和白砂糖的光学性能和光谱特性。通过对比样品在1658 cm-1和1747 cm-1处的红外光谱吸收峰,可以判定蛋白质和脂肪含量的差别。对比样品在THz波段的吸收系数和折射率,蛋白质含量较高的样品其吸收系数和折射率较高。观察样品的红外吸收峰强度和位置难以定量分析样品的蛋白质含量,但可以利用样品在THz波段的吸收系数与折射率有效地判定营养品中蛋白质的含量。实验结果表明蛋白质在太赫兹波段比在红外波段有更好的区分性,THz-TDS技术有望为营养品中蛋白质含量检测提供一种有效的分析手段。 相似文献
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掺杂锰氧化物是一种重要功能材料,近来其光电功能特性受到重视。利用对靶溅射方法在n型硅基底上沉积了100 nm的两种镧掺杂锰氧化物薄膜LaxCa1-xMnO3(x=0.4和x=0.67),构成异质结。分别研究了在无光照射、532 nm激光辐照、1064 nm激光辐照、模拟太阳光辐照4种情况下两种异质结的光生伏特效应。对比实验表明,与无光条件下相比,光照下的异质结负向区的整流特性变化明显,而正向导通区的整流曲线变化不大。其中在同样的光功率下,模拟太阳光入射时异质结I-V曲线变化最为明显,此时I-V曲线与坐标轴相交所构成的图形区域的面积也最大,光电转化效率最高,填充因子约为23%。高掺杂的异质结La0.67Ca0.33MnO3/Si的光电转化效率高于低掺杂的异质结La0.4Ca0.6MnO3/Si。对LaxCa1-xMnO3/Si异质结的紫外-可见光电流谱的测量结果表明此类异质结在400~1100 nm波长范围(涵盖整个可见光波段)具有良好的吸收和光电转化,这些特性将有利于探索基于锰酸盐氧化物异质结的新型太阳能电池材料。 相似文献
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The electrical properties of Ni0.95Pt0.05-germanosilicide/Si1_xGex contacts on heavily doped p-type strained Sil-xGex layers as a function of composition and doping concentration for a given composition have been investigated. A four-terminal Kelvin-resistor structure has been fabricated by using the conventional com- plementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process to measure contact resistance. The results showed that the contact resistance of the Ni0.95Pt0.05-germanosilicide/Sil-xGex contacts slightly reduced with increasing the Ge fraction. The higher the doping concentration, the lower the contact resistivity. The contact resistance of the samples with doping concentration of 4×10^19 cm^-3 is nearly one order of magnitude lower than that of the sam- ples with doping concentration of 5 × 10^17 cm^-3. In addition, the influence of dopant segregation on the contact resistance for the lower doped samples is larger than that for the higher doped samples. 相似文献