用虚拟制造设计低压功率VDMOS

采用虚拟制造方法设计了低压功率VDMOS器件,并对其进行结构参数、物理参数和电性能参数的模拟测试,确定了器件的物理结构.通过对这些参数和电学特性的分析,进一步优化设计,最终获得了满意的设计参数和性能.     

输入非平衡条件下矩阵变换器两种电流偏置角调制策略的谐波分析

通过对矩阵式变换器中9个双向开关的逻辑控制,可实现其电压和频率的变换。依据输入非平衡、输出平衡时矩阵变换器的工作原理,用Matlab建立输入非平衡时矩阵变换器分别采用输入电流偏置角固定和输入电流偏置角动态调整两种空间矢量调制策略仿真模型。仿真结果和频谱分析表明：与输入电流偏置角固定的调制策略相比,输入电流偏置角动态调制法策略能有效减少输入电流谐波。     

嘉兴某特大深基坑工程设计与施工技术研究

分析了某特大深基坑工程的特点,介绍了该特大深基坑支护体系的结构选型及设计,论述了该基坑工程的土方开挖,综合分析表明该工程在设计和施工方面均取得了成功,既保证了基坑及周边安全,又降低了综合施工成本,缩短了施工工期。     

8086微处理器的内部结构特点

一、整体结构概述8086微处理器的整体结构框图示于图1中。它由两个处理器组成,一个是上半部分的总线接口部件BIU,一个是下半部分的执行部件EU。二者各受独立的控制,有相同的时钟但工作时并不同步。BIU的组成包括形成地址的段寄存器及加法器、程序计数器PC、实现BIU与EU通信的地址寄存器JND     

光纤系统中的普适弱调制传输矩阵及其在噪声演化分析中的应用

本文在总结文献中已有工作的基础上,给出了光纤传输系统中普适的频域弱强度/相位调制的传输矩阵 H ,包含了光纤中各阶色散、非线性和光纤损耗的影响.指出奇数阶色散仅对矩阵分量的幅频特性产生影响,而偶数阶色散仅对矩阵分量的相频特性产生影响.因此,对弱强度/相位调制(噪声)而言,只有奇数阶色散才起作用.基于 H 矩阵,定量计算了分别用于强度探测系统、相位探测系统和光谱仪测量的强度噪声谱、相位噪声谱和光场噪声谱.     

34种中药对α-葡萄糖苷酶活性的抑制作用

测定34种中药水提物的α-葡萄糖苷酶抑制活性。结果显示，药液浓度为50mg／mL时，巴戟天、牛膝、黄精、白芍、何首乌、五味子、川芎、虎杖、穿山龙对α-葡萄糖苷酶活性的抑制率达50％以上。进一步研究发现五味子、川芎和虎杖对α-葡萄糖苷酶的抑制活性较强。虎杖抑制α-葡萄糖苷酶活性的IC50约为27．5mg／mL，属非竞争性抑制。     

提高机组温度测控系统可靠性的实践

分析了乌溪江水力发电厂机组温度测控系统故障率较高的原因，采取了优化温度测控装置的设计选型、完善检修工艺流程、做好维护检修工作等措施，从而减少或避免了温度测控装置的缺陷，保证了机组安全运行。     

一种基于镜头分割的视频水印方案

针对视频水印常见的共谋攻击和时间同步攻击两种攻击方式,在对逐帧嵌入方法抗时间同步攻击问题的基础上提出了一种基于镜头分割的视频水印模型;通过在各帧图像变化不大的场景内嵌入高度相似的水印信息,在各场景之间嵌入不相关的水印信息达到抵抗共谋攻击的目的;通过有限状态机来生成用于各个镜头的嵌入密钥,在检测时有限搜索这些密钥实现时间同步。仿真结果表明,该算法不仅具备了较好的抵抗共谋攻击的能力,同时还提高了逐帧嵌入方法抗时间同步攻击问题的算法对抗帧删除攻击的能力。     

盐湖水氯镁石复合精制实验研究

盐湖水氯镁石是盐湖产业区最重要的镁资源,也是镁系列产品的主要原料。氯化镁在交通行业用于道路融雪。氯化镁作为融雪剂,对色度要求较高。实验利用活性炭加双氧水复合脱色、硫化铵化学除杂对盐湖水氯镁石的饱和溶液进行处理,获得了能满足氯化镁融雪剂要求的氯化镁精制溶液。在活性炭和双氧水加入量均为氯化镁饱合溶液质量的5%、在50 ℃条件下脱色处理90 min,脱色率可达94.2%。通过将脱色后溶液调成中等碱性,然后再加入硫化铵使铁、铜、锰、铅4种杂质离子以沉淀形式去除,在硫离子加入量为饱合溶液质量的0.15%、80 ℃条件下硫化2.0 h,最后溶液中铁、铜、锰、铅等杂质离子质量分数均低于0.000 5%。     

基于InAs/GaSb二类超晶格的中/长波双色红外探测器

InAs/GaSb二类超晶格是一种通过在纳米尺寸上交替生长周期性异质结而构造的人工体材料,其有效带隙可以覆盖40~400meV。该量子体系材料不仅具有良好的均匀性,还拥有出色的光学特性,其电子有效质量高、光吸收系数大、量子效率高,已经成为第三代红外焦平面探测器的热门材料。本文利用分子束外延技术生长了背靠背势垒型中/长波双色红外探测器材料,通过标准工艺和阳极硫化技术,成功制备双波段NMπP-PπMN型红外探测器。在77K,中波峰值量子效率为32%,长波峰值量子效率为27%,50%截止波长分别为4.7μm和7.9μm。中波信号在+2V偏压下饱和,暗电流密度为0.06A/cm~2,长波信号在-1.4V偏压下饱和,暗电流密度为8.7A/cm~2。