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81.
四维聚类和彩色图像的两级阈值化算法 总被引:3,自引:0,他引:3
定义了一种称为四维“复数”的概念来表示彩色图像象素,并由此定义彩色图像的“亮度矩”。它以原图像的“亮度矩”与二值化后的图像“亮度矩”保持不变为基础,用于彩色图像的二值分割中。这种称为矩—四维聚类的两级阈值化算法不仅简单实用,而且效果较好。是彩色图像的二值分割的一种有效方法。 相似文献
82.
王耀明 《计算机应用与软件》2008,25(4):228-230
讨论了双曲线生成算法中的中点算法和椭圆交叉点算法.中点算法有计算量少、精度高等优点,但它仅在一个坐标上的迭代使其对斜率有较高敏感度.椭圆交叉点算法由于使用独立的迭代变量,所以无任何的斜率敏感度,因而扩大了它的应用范围,并且它的原理简单,计算量和精度与中点算法相当. 相似文献
83.
84.
85.
86.
添加两种不同形状的碳化硼颗粒,成功地提高了氧化铝的机械性能。氧化铝-碳化硼晶须复合材料,其K_(IC)为7.26±0.20MPa·m~(1/2);氧化铝-碳化硼粒子复合材料,其K_(IC)为5.27±0.12MPa·m~(1/2)。这些复合材料的断裂韧性取决于碳化硼颗粒的体积分数及其尺寸和形状。碳化硼添加量在5-20v%范围内,抗弯强度明显提高,碳化硼晶须复合材料其抗弯强度提高25%,而碳化硼粒子复合材料其抗弯强度提高47%。 相似文献
87.
88.
在GaAs的(110)、(001)和(111)A、(111)B等极性晶面上, 通过铜铟共溅-硒蒸镀的方法, 分布外延生长出(220/204)、(001)和(112)结晶取向的单晶CIS薄膜. 系统考察了CIS薄膜外延生长的结晶取向和表面微结构, 发现了这些CIS外延薄膜均需表面重构化而形成比表面能低的CIS(112)晶面, 结合晶体结构研究了各种晶面和比表面能的相关性. 通过各种衬底下不同结晶取向的CIS薄膜的太阳能电池组装, 发现当CIS薄膜生长具有(220/204)结晶取向时电池器件性能最好、效率最高, 说明可通过控制CIS薄膜的沉积条件和选用合适取向的衬底, 增加吸收层(220/204)的结晶取向, 从而显著提高CIS薄膜太阳电池的光电性能. 相似文献
89.
90.