折叠内插式模/数转换器误差补偿技术研究

分析了高速折叠内插式ADC结构和各种影响ADC性能的因素，基于自动调零技术原理，在前置放大器与折叠放大器之间引入差分对，实现放大器失调电压的补偿。基于补偿技术，实现了8位补偿的折叠内插式ADC，采用Star-Sim对8位补偿ADC进行仿真，仿真结果与典型的8位ADC进行比较，证明了自动调零补偿技术能明显改善折叠内插式ADC的线性误差，也可适合应用于其它高速ADC的误差补偿。     

一种低压CMOS衬底驱动共源共栅电流镜

基于PMOS衬底驱动技术设计了低压PMOS衬底驱动CMOS共源共栅电流镜电路(BDCCM),并讨论分析了其输入阻抗、输出阻抗和频率特性。BDCCM的最低输入压降要求只有0.4V,但是其输入输出线性度和频率带宽要比传统的共源共栅电流镜低,是低频低压CMOS模拟集成电路设计的新型高性能共源共栅电流镜。     

半导体基片上薄膜应力的测试装置

半导体基片上薄膜应力的测试装置＊杨银堂付俊兴周端孙青（西安电子科技大学西安７１００７１）０引言应力是表征薄膜特性的一个重要参数。半导体器件中薄膜材料的应力对于器件的性能和可靠性有着重要的影响［１］，随着器件集成度的提高和新结构、新工艺的开发，这种影响...     

MCM高速电路布局布线设计的信号完整性分析

随着封装密度的增加和工作频率的提高，MCM电路设计中的信号完整性问题已不容忽视。本文以检测器电路为例，首先利用APD软件实现电路的布局布线设计，然后结合信号完整性分析，对电路布局布线结构进行反复调整，最后的Spectra Quest软件仿真结果表明，改进后的电路布局布线满足信号完整性要求，同时保持较高的仿真精度。     

256MHz采样71dB动态范围连续时间ΣΔADC设计

宽带连续时间ΣΔ型数模转换器大量用于无线通信领域.设计了采用三阶4bit连续时间调制器架构.为降低时钟抖动的影响,采用不归零数模转换器反馈脉冲,通过引入半个时钟周期延时来改善环路异步问题,以补偿环路延时对性能的影响.还从电路、算法和版图方面来降低反馈数模转换器失配的影响.由于米勒补偿增加了电容而增大功耗,因此这里采用前馈补偿技术,设计了一款低功耗、高速的运算放大器.最后基于0.13μm工艺,在256MHz采样频率、1.2V电源电压下,在8MHz带宽内信噪失真比达到62.5dB和71dB动态范围,功耗为15mW.     

新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs器件耐压分析

本文首先从器件有源区耗尽过程分析表明AlGaN/GaN HEMTs器件具有与传统Si功率器件不同的耗尽过程,针对AlGaN/GaN HEMTs器件特殊的耐压机理,提出了一种降低表面电场,提高击穿电压的新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs结构.新结构通过在极化的AlGaN层中引入分区负电荷,辅助耗尽二维电子气,有效降低了引起器件击穿的栅极边缘高电场,并首次在漏极附近引入正电荷使漏端高电场峰降低.利用仿真软件ISE分析验证了AlGaN/GaN HEMTs器件具有的"虚栅"效应,通过电场和击穿特性分析获得,新结构使器件击穿电压从传统结构的257V提高到550V.     

SiC欧姆接触特性

通过离子注入外延层实现高浓度掺杂和直接采用高掺杂外延层两种方法分别制备了4H-SiC欧姆接触,对应退火条件分别为(950℃,Ar,30 min)和(1000℃,N2,2 min).采用传输线法测试得到的比接触电阻分别为1.359×10-5Ω.cm2和3.44×10-6Ω.cm2.二次离子质谱分析表明,高温退火过程中镍硅化合物和TiC的形成有利于欧姆接触特性.     

用于片上网络的准延时不敏感全异步仲裁器

针对传统片上网络不同方向请求信号之间的优先级动态变化带来的服务质量问题,设计了一种延时不敏感全异步仲裁器.这种仲裁器具有自检测优先级功能,可以通过动态检测输入请求的优先级变化来自动选择两种输出方式(优先输出方式和顺序输出方式),解决了传统片上网络中的静态仲裁机制带来的端口服务固定化问题.通过将输入请求锁存使仲裁模块和输出模块解耦合,大大提高了仲裁的稳定性.使用门限门使整个仲裁器准延时不敏感.最后,在0.18μm标准CMOS工艺下实现了此仲裁器,结果表明,此全异步仲裁器平均仲裁时间为1.175 ns,平均动态功耗为1.53mW,可以满足高速片上网络的仲裁要求.     

采用 CCD 器件的半导体材料应力测试仪的研制

研究和实现了采用面阵ＣＣＤ器件的半导体材料应力测试仪。介绍了测量原理，设计完成了相应的光学测量系统、硬件控制系统和控制测量所需的软件。最后介绍了对硅上ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４膜应力实际测量的结果。     

6H-SiC材料的氧化特性

研究了１０００～１２００℃温度下干氧和湿氧中６Ｈ－ＳｉＣ材料的氧化特性，讨论了氧化层厚度与温度、时间、气氛的关系，实验结果表明，在相同的生长条件下，６Ｈ－ＳｉＣ材料的氧化层厚度远小于Ｓｉ的氧化层厚度，且遵循相同的生长规律。