抛光液中各组分对Co CMP性能的影响

钴(Co)的化学机械抛光(CMP)要求有较高的去除速率(大于100 nm/min)和洁净平整的表面。采用新型弱碱性抛光液,研究不同成分(如过氧化氢(H₂O₂)、1,2,4-三氮唑(TAZ)、异辛醇聚氧乙烯醚(JFCE))对Co CMP性能的影响。结果表明,抛光液中H₂O₂体积分数为0.4%、pH值为8、甘氨酸(GLY)浓度为0.266 mol/L时,Co的去除速率最大,为763.53 nm/min。为了缓解Co表面的化学腐蚀,加入0.022 mol/L的TAZ作为抑制剂和体积分数为1.3%的JFCE作为表面活性剂后,Co的去除速率得到有效抑制,为489.74 nm/min。对抛光前后的Co表面进行原子力显微镜(AFM)测试,结果表明,Co表面湿润性增加,表面粗糙度明显下降。研究结果对Co布线的工业应用具有一定的指导意义。     

氮化镓化学机械抛光中抛光液的研究进展

氮化镓(GaN)因具有耐酸碱、硬度大等特点使其难以进行精密加工。因此,高效实现GaN的化学机械抛光(CMP)成为了一个技术难题。CMP过程中,抛光液的组分及其性质对抛光效果起决定性的作用。对近年来应用于GaN CMP抛光液中的磨料、氧化剂、表面活性剂、光催化剂等重要组分的抛光效果及作用机理进行了回顾。主要可以归纳为磨料逐渐从单一磨料向复合磨料方向发展,阴离子表面活性剂较其他活性剂效果更好;同时,发现主流的GaN CMP过程为先氧化再去除,因此氧化剂和光催化剂逐渐成为了研究热点。最后对GaN CMP的未来研究方向进行了展望。     

固体表面高精密平面化技术研究进展

随着国内外市场的极大需求及激烈竞争,固体表面高精密加工质量要求日益提高.化学机械抛光(ChemicalMechanical Polishing,简称CMP)技术几乎是迄今唯一的可以提供全局平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS),宝石类衬底、金属材料、光学玻璃等表面的平整化.该文综述了在微电子制造过程中CMP技术的重要性及该技术的机理和研究现状,指出了CMP技术在目前发展过程中存在的亟待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望.     

SOI高温压力传感器的研究

介绍了SOI压力传感器的制作工艺,并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟,模拟结果与实际测得结果是相符的.对SOI压力传感器测量结果表明,当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性.另外对SOI压力传感器和多晶硅压力传感器进行比较,发现单晶硅SOI高温压力传感器灵敏度比多晶硅高温压力传感器灵敏度有较大提高.     

掺锗CZSi禁带宽度的变化

采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000～2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度的关系式作图,得到了不同锗浓度样品的禁带宽度值.结果发现,随锗浓度的提高,样品的禁带宽度逐渐减小.这结论与理论结果相吻合.     

Slurry and processing technique of CLBO crystal

CsLiB6O10（CLBO） is a new-type nonlinear optical crystal material. CLBO has many good performances, especially the frequency multiplication performance in deep ultraviolet band. CLBO has important application prospect on solid-state UV laser, broad band tunable laser and laser nucleus flame igniter. Though, CLBO will be air slaking and cracking when the ambient humidity is more than 40%, which brings more difficult on CLBO surface finishing. According to the performance and structure characteristic of CLBO crystal, a new water-free slurry applying for CLBO crystal chemical mechanical polishing（CMP） was investigated. The abrasive is SiO2. The influence of polishing processing parameter on polishing process for CLBO crystal was discussed, and the parameter optimal value of polishing plate speed, pressure, pH value and abrasive concentration were determined. Through such parameters, high efficiency and precision plane polishing was gotten. The CLBO CMP process was studied, the results show that low pressure and high speed can improve the CLBO crystal surface removal rate and flatness.     

蓝宝石衬底表面的高精密加工工艺

为了获得优化的CMP参数变化,对实验进行了设计,并采用CMP方法在C6382I-W/YJ单面抛光机上对蓝宝石衬底表面进行了加工.根据蓝宝石衬底特性,选择了碱性抛光液,并选用SiO2胶体作为磨料.依据高去除的目的,对如底盘转速、抛光液流量、温度及压力等不同工艺参数进行了研究.根据实验结果,确定了蓝宝石衬底表面的CMP最佳工艺参数.     

ULSI铝布线化学机械抛光研究

在分析铝的物理化学特性的基础上,对甚大规模集成电路(ULSI)铝布线化学机械抛光(CMP)机理进行研究,确定采用碱性抛光液。阐述了所选pH值调节剂的特点,探讨了其在化学机械抛光过程中的作用机理,并分析了所选表面活性剂所发挥的提高高低选择比的作用。最后,对所选pH值调节剂和表面活性剂对铝化学机械抛光的影响进行了实验研究。结果表明:pH值在11.0时,去除速率最快,约为390nm/min;表面活性剂的加入对去除速率影响不大,但可以明显改善表面状态,表面粗糙度降至nm级。     

计算机硬盘基板及其CMP技术分析研究

随着计算机硬盘容量的增大、转速的提高、磁头与盘片间距离的降低,对硬盘基板材料选择及改善基板表面平整度提出了更高的要求.综述了硬盘基板材料的发展状况,指出了基板化学机械抛光(CMP)中亟待解决的问题和解决的途径,分析研究了影响硬盘基板CMP技术的因素及如何控制基板抛光后的表面质量.