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61.
62.
紧缩型SOI多模干涉光开关的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种新的紧缩型SOI多模干涉(MMI)光开关。开关由单模输入输出波导和MMI耦合器组成。通过在多模波导区域引入调制区,利用Si的等离子色散效应(PDE)改变调制区的折射率来实现开关动作。用FD-BPM方法对开关的工作原理和性能进行了模拟与分析。结果表明,光开关良好的综合性能,而整个开关的长度只有7mm。 相似文献
63.
从OFC 2003看平面光波导器件的发展动向 总被引:3,自引:0,他引:3
概述了2003年OFC会议上报道的平面光波导器件,着重介绍了平面光波导器件在新材料、新工艺、新结构方面的新进展和发展方向。 相似文献
64.
65.
66.
采用 UHV / CVD系统 ,在 Si衬底上生长了具有渐变 Si1 - x Gex 缓冲层结构的弛豫 Si0 .76 Ge0 .2 4虚衬底和 5个周期的 Si0 .76 Ge0 .2 4/ Si多量子阱 .在渐变 Si1 - x Gex 缓冲层生长过程中引入原位退火 ,消除了残余应力 ,抑制了后续生长的 Si Ge中的位错成核 .透射电子显微照片显示 ,位错被有效地限制在组份渐变缓冲层内 ,而 Si Ge上层和 Si Ge/Si量子阱是无位错的 .在样品的 PL 谱中 ,观察到跃迁能量为 0 .96 1e V的 型量子阱的无声子参与 (NP)发光峰 .由于 型量子阱中电子和空穴不在空间同一位置 ,较高光功率激发下引起的高浓度载流子导致能带弯曲严重 .NP峰随激发功率增加向高能方向移动 ,在一定激发条件下 ,电子跃迁或隧穿至弛豫 Si Ge层弯曲的导带底后与处于同一位置的空穴复合发光 ,所以 NP峰积分强度随光激发功率先增加后减小 相似文献
67.
MMI阵列波导光栅复用/解复用器的研制 总被引:2,自引:1,他引:1
详细分析了基于自镜像效应的 MMI DMUX器件的基本工作原理 ,在此基础上 ,在 SOI材料上完成了对 8信道 MMI DMU X的具体设计 .该器件的输入、输出单模波导采用 Soref的大截面脊形光波导理论进行优化设计 ,最后获得了当输入、输出单模波导宽度为 5 μm,SIE多模波导宽度和长度分别为 72 μm和 6 313.4μm时 ,该器件对8信道波长的隔离度均在 35 d B以上 ,且理论传输损耗 <0 .18d B. 相似文献
68.
提出了注氢硅片表面借助键合氧化硅片进行剥离的热动力学模型,这种剥离现象是退火过程中氢离子注入区氢气泡横向增长的结果.氢气泡的增长速率依赖于氢复合体分解和氢分子扩散所需的激活能,氢气泡的半径是退火时间、退火温度和注氢剂量的函数.氢气泡的临界半径可根据Griffith能量平衡条件来获得.根据氢气泡增长的这一临界条件,获得了不同劈裂温度时所需的剥离时间. 相似文献
69.
估算SOI单模脊形弯曲波导最小弯曲半径的简单方法 总被引:3,自引:1,他引:2
采用有效折射率方法计算了 SOI弯曲波导由于辐射损耗引起模式截止的最小弯曲半径 ,得到了一个估算弯曲波导的最小弯曲半径的解析表达式 相似文献
70.
SOI-Based 3dB MMI Splitter 总被引:4,自引:3,他引:1
3 d B splitter is one of the key devices in the integrated optics. Y-branch and X-crossbranch are both the conventional structures to realize3 d B splitter,however,which aredifficultto fabricate because of the small branch angle.In re... 相似文献