MOCVD生长高反射率AIN／GaN分布布拉格反射镜

利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石c面衬底上制备出高反射率A1N／GaN分布布拉格反射镜（DBR）。利用分光光度计测量,在418nm附近最大反射率达到99％。样品表面显微照片显示,有圆弧形缺陷和少量裂纹出现;在缺陷和裂纹以外的区域,DBR具有较为平坦的表面,其粗糙度在10μm×10μm面积上为3．3nm左右。样品的截面扫描电镜（SEM）照片显示,DBR具有良好的周期性。对反射率和表面分析的结果表明,该样品达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器（VCSEL）的要求。     

亚微秒SOI4×4重排无阻塞热光开关阵列

根据马赫-曾德尔型热光开关的工作原理,提出了可以提高热光开关响应速度的过驱动方法并设计相应的驱动电路,使SOI4×4重排无阻塞热光开关阵列的响应时间从大于2μs提高到了亚微秒.     

Ge/Si(100)量子点生长与形态分布的研究

利用超高真空化学气相淀积系统,通过控制淀积量、温度、流量等生长参数,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品,用原子力显微镜进行了表征与分析.系统地研究了生长参数对Ge岛形态分布的影响并分析了有序、高密度Ge岛的生长机理.结果表明,从二维向三维岛跃迁后,最初形成的高宽比(高度与底宽的比值)在0.04～0.06之间的小岛是一种在低温下可以与圆顶岛共存的稳定岛,两种岛的分布随淀积参数的变化而变化.在高温下小岛几乎消失,流量的变化对小岛的密度影响较小.实验中获得小岛的密度最高为2.6×1010cm-2,圆顶岛的密度最高为4.2×109cm-2.     

氢氧化四甲基铵腐蚀硅性能的改善

An optimal concentration of the etching solution for deep etching of silicon, including 3% tetramethyl ammonium hydroxide and 0.3% (NH4)2S208, was achieved in this paper. For this etching solution, the etching rates of silicon and silicon dioxide were about 1.1μm.min^-1 and 0.5 nm.min^-1, respectively. The etching ratio between (100) and (111) planes was about 34:1, and the etched surface was very smooth.     

面向硅基光互连应用的无源光子集成器件研究进展

光互连是突破传统微电子IC性能瓶颈的重要技术手段,对推进"后摩尔时代"微电子技术的发展和高性能计算技术的实现具有关键性意义。本文在归纳总结不同层次光互连结构特点的基础上,对片上光互连(on-chip or intra-chip optical interconnects)所涉及的若干种无源光子集成器件的设计制备及性能特点进行了分析介绍,这些器件包括SOI亚波长光子线波导、SOI光子晶体波导、MMI分束/合束器、微环/微盘谐振腔滤波器、光子晶体微腔耦合滤波器、光子晶体反射镜等,是硅基片上光互连的基本构成单元。本文对这些关键性光子集成器件的国内最新研究进展进行了报道。     

反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究

以ＳＦ６／Ｎ２混合气体对Ｓｉ反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法：在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络该当建立干法刻蚀仿真模型,可以预测绘定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比,并且以仿真实验数据训练模型学习,模型具有通用性,与设备无关。     

日本半导体光电子器件研究与开发的新进展

根据对日本九所研究所和大学的实地考察,综述了这些研究机构在光电子器件方面的研究和开发进展,这些光电器件主要包括多波长光源和滤长可选择光源、电吸收调制器与分布反馈激光器的集成、泵浦用大功率激光器、大功率ＧａＮ激光器和平面光波回路等。同时,介绍了日本半导体光电产业的发展现状和趋势。     

平面阵列光学波导模式特性及其光强传输分析

分析了平面阵列波导的模式特性.其导波模式为周期性调幅的平面波(Bloch波).阵列波导输入/输出波导结构是影响其传输特性的重要因素.采用扇形过渡波导结构以提高阵列波导输入/输出端口芯区宽度与波导周期宽度的比值,可降低阵列波导光强的传递损耗.并可改善布里渊区入射/出射波的损耗非均匀性.采用低折射率差的波导芯区/包层结构可降低波导对光波的限制,提高光强的传输效率     

UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学

利用 Si H4 和 Ge H4 作为源气体 ,对 UHV/CVD生长 Si1- x Gex/Si外延层的表面反应机理进行了研究 ,通过 TPD、RHEED等实验观察了 Si( 1 0 0 )表面 Si H4 的饱和吸附、热脱附过程 ,得出 Si H4 的分解应该是每个 Si H4 分子的 4个 H原子全部都吸附到了 Si表面 ,Si H4 的吸附率正比于表面空位的 4次方 ,并分析了 Ge H4 的表面吸附机制 .在此基础上建立了 UHV/CVD生长Si1- x Gex/Si的表面反应动力学模型 ,利用模型对实验结果进行了模拟 ,二者符合得很好     

阵列波导光栅复用/解复用器光栅孔径对器件性能影响的数值分析

阵列波导光栅复用 /解复用器中波导光栅孔径是器件重要的结构参数 .波导光栅孔径数值有限 ,部分光场将因未被耦合进而损失掉 .同时引起输出波导接收端焦场变形 ,增加了器件串扰 .本文详细分析和计算了由于波导光栅孔径有限引起的光场损耗和信号串扰 ,选择适当孔径参数可使其引入的信号损耗和串扰降到足够低 ,以优化设计器件