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全耗尽CMOS/SOI工艺 总被引:9,自引:6,他引:3
对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级环振、2 0 0 0门门海阵列等 ) ,其中 ,n MOS:Vt=0 .7V,Vds=4 .5~ 5 .2 V,μeff=4 6 5 cm2 / (V· s) ,p MOS:Vt=- 0 .8V ,Vds=- 5~ - 6 .3V,μeff=2 6 4 cm2 / (V· s) .当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm环振单级延迟为 4 5 ps 相似文献
53.
混合酸作为水杨酸异丙酯合成催化剂的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了混合酸作为催化剂在水杨酸异丙酯合成中的应用。实验结果表明,混合酸催 有较好的催化活性和选择性,可使催化剂用量减少,总收率提高,生产成本降低。 相似文献
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硼酸催化合成水杨酸异丙酯的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
以硼酸为催化剂合成水杨酸异丙酯,发现硼酸对水杨酸异丙酯的合成具有良好的催化活性,考察并优化了硼酸催化合成水杨酸异丙酯的工艺条件,实验结果表明,采用优化的工艺条件,硼酸催化剂可减少用量,提高总收率,缩短生产周期,降低生成成本。 相似文献
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