铁氧体-微晶玻璃纳米复合材料的结构与性能

采用溶胶-凝胶工艺首先合成了NICuZn铁氧体纳米粉末和MgO－Al₂O₃-SiO₂(MAS)凝胶玻璃粉末,将两种粉末按一定比例均匀混合,烧结后得到了由NiCuZn铁氧体和堇青石微晶体两相共存的铁氧体一微晶玻璃纳米复合材料。该材料具有可调控的电磁性能,其起始磁导率高于3、介电常数低于6、截止频率高于2GHz,可望用作持高频多层片式电感介质材料．     

化学镀镍对BaTiO3基陶瓷PTC效应影响的机理研究

本文通过对比实验，研究了化学镀镍对于ＰＴＣ效应影响的机理。结果表明，对于某些致密的ＰＴＣ半导体陶瓷，化学镀镍后其室温电阻变小、升阻比下降不是由于镀液的渗透，而是与镀镍过程中发生的化学反应有关。首次提出了化学镀过程中产生的初生态氢原子影响ＰＴＣ效应的观点。     

PMN—PZN—PT系弛豫铁电陶瓷的介电老化

对一种满足２５Ｕ电容标准的ＰＭＺＮ陶瓷的个电老化行为特卢、进行了研究，并分析了材料组成、外电场及温度等因素对其老化行为的影响。研究发现，材料老化是由掺杂（ＭｎＯ２、ＭｇＯ）所诱导，其老化行为与正常铁电体有一定差异。     

PTCR型（Sr，Pb）TiO_3陶瓷

ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ_３陶瓷王德君，桂治轮，李龙土（清华大学，北京，１０００８４）（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ_３ＰＴＣＲＣｅｒａｍｉｃｓ￥ＷａｎｇＤｅｊｕｎ；ＧｕｉＺｈｉｌｕｎ；ＬｉＬｏｎｇｔｕ（ＴｓｉｎｇｈｕａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｂｅｉｊｉｎｇ...     

Cu、Zn掺杂对Co2Y软磁铁氧体性能的影响

介绍了通过掺杂Cu、Zn离子对Co2Y(Ba2Co2Fe12O22)型平面六角结构软磁铁氧体的成相及其性能的影响。采用传统的固相反应法制备样品，Ba2Co1.2-xZnxCu0.8Fe12O22(x=0-1.2)的合成温度低，成相温度范围比较宽，易于成相。在甚高频段，对Ba2Co1.2-xZnxCu0.8Fe12O22的磁性能、介电性能及改善进行了深入的探讨。     

溶胶凝胶自燃烧法合成Mn0.6Cu0.2Zn0.2O(Fe2O3)0.98纳米晶铁氧体及其磁性能研究

利用溶胶凝胶自燃烧法 ,在室温下直接合成了 30nm左右的Mn0 .6 Cu0 .2 Zn0 .2 O(Fe2 O3) 0 .98纳米晶铁氧体。借助于DTA -TG ,IR ,XRD和VSM技术 ,对干凝胶的热分解过程 ,自燃烧本质及合成纳米晶的磁性能进行了研究。研究表明 ,由金属的硝酸盐和柠檬酸形成的干凝胶具有自燃烧的特性。自燃烧的实质是在热诱导下的氧化还原反应。XRD结果表明 ,通过自燃烧反应可以直接获得纯的锰铜锌铁氧体相而无Fe2 O3相的存在。当对自燃烧粉进行预烧时 ,随着预烧温度的提高 ,有Fe2 O3相的出现。随着预烧温度的升高 ,Mn0 .6 Cu0 .2 Zn0 .2 O·(Fe2 O3) 0 .98铁氧体粉体的矫顽力由未经预烧时的 9.0 395kA·m- 1 线性下降到经 10 0 0℃预烧后的 4.72 46kA·m- 1 。但是 ,饱和磁化强度的变化却是先下降再升高。所获得的Mn0 .6 Cu0 .2 Zn0 .2 O(Fe2 O3) 0 .98纳米晶铁氧体具有较高的矫顽力和饱和磁化强度     

Ⅱ型高性能片式X7RMLCC瓷料组成,结构与性能研究进展

随着电子设备及元器件向微型,薄层、超微型,混合集成等方向的发展以及集成电路表面安装技术的迅速发展,对高性能MLCC需求与日俱增,高性能与低成本是电子元器件发展的主流。许多电子设备对MLCC温度稳定性的要求越来越高,人们对以X7R,NPO为代表的热稳定型MLCC材料开展了广泛研究,X7R型MLCC是很重要而用量较大的一类片式电容,要求—55～125℃较宽的温度范围内,具有较低的容温变化率≤±15％,其市场约占MLCC总量的40％以上。     

纳米钛酸钡陶瓷的制备及其结构和性能

应用放电等离子烧结(SPS)制备了不同尺寸的纳米钛酸钡陶瓷,考察了不同的晶粒尺寸对钛酸钡陶瓷结构和性能的影响.SEM,XRD和介温谱表明随着晶粒尺寸的减小,钛酸钡陶瓷结构中四方相所占比例逐渐减少;四方-立方相变温度降低,居里点向低温移动;同时纳米钛酸钡陶瓷的Raman光谱声子模也随着晶粒尺寸的变化而变化.     

复合陶瓷薄膜的制备及其分离应用

介绍了复合陶瓷薄膜的制备研究以及它们在气体、液体分离方面的应用。复合陶瓷薄膜继承了单纯组分陶瓷薄膜的优点，并且由于其丰富的表面特性，在表面改性和分离应用方面展现了巨大的潜力。     

多层复相共烧界面的应力形成及其对微结构的影响

对复合对层厚膜共烧体在制备过程中应力的产生及其状态进行了理论分析，得出了厚膜材料不匹配的热力学特性是导致界面应力的重要根源。利用受约束形变的双层膜的应力模型对共烧多层复合陶瓷元器件在不同阶段的应力状态及影响数进行讨论。阐述了改善界面热应力和界面缺陷的工艺措施；研究了界面应力对复相界面微结构的影响。