交流接触器节能专用芯片的设计与实现

在对交流接触器能耗进行分析的基础上,根据交流接触器可用强激磁吸动和弱激磁吸持的特点,将其电磁系统的交流运行方式改为直流运行方式,采用自转换式改变占空比的节能方案,设计开发了一款智能型交流接触器节能专用集成电路芯片ZDLX。此芯片采用0.5μm混合信号CMOS工艺。实测结果表明,此芯片配合交流接触器使用后可将后者功耗降低90%(仅为原功耗的10%)。因此该节能专用芯片ZDLX具有重要的社会和经济价值。     

交流接触器节能专用芯片的设计与实现

大中型交流接触器在正常工作时,交流电通过交流接触器的线圈会消耗一定的能量,同时会产生较大的电磁噪声,还会使线圈温度上升,缩短交流接触器的使用寿命.本文在对交流接触器能耗进行分析的基础上,根据交流接触器可用强激磁吸动和弱激磁吸持的特点,改变其电磁系统的交流运行方式为直流运行方式,采用自转换式改变占空比的节能方案,设计开发了一款智能型交流接触器节能专用集成电路芯片ZDLX.此芯片采用0.5μm混合信号CMOS工艺制程,实测结果表明此芯片配合交流接触器使用后可将后者功耗降低90%(仅为原功耗的10%).交流接触器的使用量大面广,因此该节能专用芯片ZDLX具有重要的社会价值和经济价值.     

20CrMo汽车轴承断裂失效分析

某20CrMo汽车轴承在疲劳检测试验中未达到使用标准就发生了断裂,通过对该失效轴承的化学成分检测、断口宏观观察,并应用光学显微技术和扫描电镜显微技术对汽车轴承疲劳断口进行观察和分析.结果表明,该轴承倒角表面质量不佳以及夹杂物过多是导致轴承断裂的直接原因.     

基于累积前景理论的最优觅食算法求解多目标流水车间调度问题

针对高维多目标置换流水车间调度问题,以最大的完工时间、最大的延迟时间、库存成本和拖期成本为最小化优化目标,提出基于累积前景理论的最优觅食算法(CPT-OFA)求解该问题.算法将灰色关联分析法、信息熵理论和累积前景理论融合,通过设置参照点、确定价值函数和属性权重的方式来建立Pareto解的综合前景价值模型,利用信息熵理论...     

国产与进口纸箱各项性能的对比分析

英国人最初发明瓦楞纸板是为了制作帽子的内衬,而今天瓦楞纸板却在包装领域得到了广泛应用,被制成纸箱、托盘、内撑、隔衬、缓冲结构等。特别是在大力推广“以纸代塑,以纸代木”的背景下,人们还根据瓦楞纸板的性能设计出了展示架、家具等产品形式。随着瓦楞纸板需求量的增大,人们对它的各项性能也给予了很大的关注。     

浅析极简主义的设计风格

极简主义产生于20世纪60年代,它是产生于美国的重要艺术流派。极简主义的设计遵循"少即是多"的设计理念,它的理念对建筑设计、装饰设计、时尚和绘画等诸多艺术领域都产生了深远的影响。谈到当代极简风格的平面设计,最著名的要属德国、北欧以及日本。     

民用涡扇发动机短舱防火设计

民用涡扇发动机短舱作为动力装置火区的外部边界,必须起到火焰的隔离和包容作用,以免火焰窜出短舱蔓延至机翼油箱等重要部位,对飞行安全造成严重威胁。随着民用飞机安全性要求的不断提高,适航当局对动力装置的防火设计提出了越来越严格的要求。文章从火区分类出发,研究短舱火区及可燃液体泄漏区的防火设计。     

半导体器件分析仪高压参数现场校准方法

正半导体器件特性分析仪能够满足器件各项直流特性参数的测试需求,如器件的I-V曲线、C-V曲线、表面漏电流、击穿电压等,在半导体器件的各个环节有着不可替代的关键作用。由于半导体器件分析仪自身体积过大,精度高,拆卸繁琐,送往计量机构过程中难免会遇到磕碰等各种问题,可能会导致测量结果不准确,因此现场计量变得尤为重要。为了实现高压参数的校准,提高测量准确度,设计     

多层热防护结构烧蚀传热模型研究

多层热防护结构由防热层与隔热层等多层热防护材料组成,在气动热作用下存在复杂的烧蚀与传热过程。为准确预示多层热防护结构温度响应特性,建立了气动热环境下防热材料烧蚀模型,提出了烧蚀导致的变厚度多层结构传热数值计算方法,研究了气动热环境下多层热防护结构温度分布随时间变化规律,分析了多层热防护结构厚度分布对防热效果的影响。研究表明,提出的模型能准确预示多层热防护结构烧蚀与传热过程,热量传导至承力结构后,隔热层内温度梯度大于防热层内温度梯度,在满足隔热层温度、烧蚀裕度以及工艺要求前提下,增大隔热层厚度能提高热防护性能。     

10GΩ在片高值电阻溯源实验

为解决在片高值电阻参数的溯源问题,组建了一套可溯源的在片高值电阻测量系统,并提出针对该系统的量值溯源方案,实现了在片高值电阻到常规同轴形式标准高值电阻的溯源。组件的测量系统通过额外的探针和线缆将同轴形式的标准电阻器接口延伸至探针末端,使用在片直通对接线将对应探针短接,形成同轴-在片-同轴形式的测量回路,从而将在片测量值与同轴端测量值联系起来,同时给出了保守的不确定度评估方法。使用组建的测量系统进行在片高值电阻溯源实验,实验数据显示在10GΩ点的相对扩展不确定度为0.3%(k=2)。