原位受控晶化法制备BiBO3晶体的析晶动力学

采用熔融冷淬法制备了Bi2O3.B2O3(30 mol%≤Bi2O3≤60 mol%)二元系统玻璃.运用非等温DSC分析以及S(S)atava和Ozawa-Chen方法研究了Bi2O3-B2O3玻璃的非等温析晶特性,并计算了玻璃的析晶动力学参数.结果表明,在50 mol%≤Bi2O3≤60 mol%范围内,玻璃晶化热处理后可析出针状BiBO3晶体,是原位受控晶化法制备BiBO3晶体的最佳组成范围.添加La2O3和Sm2O3,有助于抑制高聚合度的铋硼酸盐晶体的析出,促进BiBO3晶体的形成;而添加Yb2O3的铋硼酸盐玻璃,晶化热处理后以颗粒状的Bi6810O24晶体为主,不利于BiBO3晶体的析出.对稀土掺杂铋硼酸盐玻璃样品在460～540℃间热处理5 h,可获得表面析晶的透明玻璃样品.     

考虑并网运行微电网故障方向识别的逆变型分布式电源故障控制

微电网具有双向故障电流,其保护的一个关键问题是如何准确判别故障方向.对微电网正序故障附加网络的分析表明,逆变型分布式电源(IIDG)正序故障分量阻抗角所在象限决定了正序故障分量方向元件在并网运行微电网中的适用性.然而,IIDG功率输出策略的多样性和故障后ⅡDG并网点电压变化的不确定性导致ⅡDG正序故障分量阻抗角所在象限...     

混合药剂对受O3伤害烟草的保护作用及生理响应

在控制条件下,喷施甲基托布津和芸苔素内酯处理后,在低温加O3胁迫下诱发烟草气候斑,调查气候斑发生情况,同时测定叶片中叶绿素含量、相对电导率、过氧化物酶(POD)活性、过氧化氧酶(CAT)活性、超氧化物歧化酶(SOD)活性、抗坏血酸过氧化物酶(APX)活性等生理指标.结果表明:喷施甲基托布津和芸苔素内酯混配药剂后,病情指数仅为清水对照的37.78%;在低温加O3胁迫下,经该混配药剂处理能维持叶片相对电导率,与25℃生长条件下没有显著差异(P>0.05),而超氰化物歧化酶(SOD)、抗坏血酸氧化酶(APX)活性均升高,比清水对照分别高232.8%、51.1%,过氧化氢酶(CAT)、过氧化物酶(POD)活性比25℃生长条件下略有下降,但比清水对照高,且有显著差异(P<0.05).     

常压固相反应合成LaB6粉末及其反应机理

以La2O3和B4C为原料,在常压下合成了LaB6粉末.计算了常压合成LaB6的热力学条件,采用XRD、SEM、激光粒度分析表征了不同温度和保温时间合成的LaB6粉末的物相组成、颗粒形貌和粒度分布,探讨了LaB6粉末的合成反应机理.结果表明,常压下1650℃保温2h的产物经酸洗后,能得到纯度为99.22%具有立方体结构的LaB6粉末.当La2O3颗粒尺寸远小于B4C时,合成过程中LaB6首先在B4C表面生成,随温度升高和保温时间延长,未反应的La2O3和LaBO3通过LaB6壳不断扩散到B4C核表面直至反应完全.合成LaB6粉末的初始形貌和尺寸主要取决于反应物B4C原料.     

Deutsch假设的理论证明与应用限制

用数学方法严格证明,在存在空间电荷及其产生的离子流矢量J的无风高压直流(high-voltage direct current,HVDC)系统中,如果离子迁移率为常数,并且离子扩散电流不存在或离子扩散电流平行于漂移电流,离子扩散系数为常数,则稳态时J的方向与该系统不存在空间电荷时的电场矢量E0的方向相同。由于这时J的方向与实际电场矢量E的方向相同,所以E的方向与E0的方向相同,但两者的幅度则不一样,这就是著名的Deutsch(第一)假设。不满足上述条件时,Deutsch假设不能在数学上严格成立。文中还讨论了这些限制条件与HVDC系统结构以及离子流场电气参数的关系。     

RSiC-WC复相陶瓷的性能及烧结机理

以不同配比的粗、细SiC粉体和WC粉体为原料,在2200℃以上烧结得到RSiC-WC复相陶瓷.采用XRD、SEM和EDS对复相陶瓷的物相组成和微观形貌进行分析,并测定其开口气孔率、抗弯强度和电阻率.结果表明RSiC-WC复相陶瓷中以6H-SiC和WC为主晶相,存在少量W2C晶相.烧结产物中SiC颗粒再结晶程度良好,WC在烧结温度下与SiC晶粒润湿性好.RSiC-WC复相陶瓷的最低开口气孔率、最高抗弯强度和最低电阻率分别为19.2%、109MPa和15mΩ·cm.体系中SiC晶粒生长遵循蒸发-凝聚的烧结机理,WC则以W-C液相在SiC晶粒界面处聚集,抑制了SiC晶粒的长大.高温下形成的W-C液相能明显降低复相陶瓷的开口气孔率,使烧结体致密化.因而,添加一定量的WC改善复相陶瓷的力学性能,并对其电学性能起到调节作用.     

真空原位合成SiC-TiC复合粉末及其氧化性能研究

以碳化硅、二氧化钛和炭黑为原料,在真空条件下原位合成SiC-TiC复合粉末。采用XRD、SEM等测试手段对合成SiC-TiC复合粉末的物相组成和显微形貌进行表征,同时对合成的粉末样品的氧化性能进行探讨。实验结果表明:在本实验条件下,SiC-TiC复合粉末适宜的合成条件为在1350℃保温1h。在SiC粉末中原位生成的TiC,以粒径为0.1～0.2μm左右的小颗粒存在。SiC-TiC复合粉末在氧化过程中,在较低温度下TiC优先氧化生成TiO2,在较高温度下(1100℃左右)SiC才开始氧化生成SiO2。     

先驱体浸渍-裂解法制备高密度再结晶碳化硅

分别采用聚碳硅烷(polycarbosilane,PCS)/二甲苯(xylene)溶液和SiC/PCS/xylene浆料浸渍-裂解(precursor impregnation and pyrolysis,PIP)法制备高密度再结晶碳化硅(recrystallized SiC,RSiC)。测量了RSiC的体积密度和抗弯强度。用扫描电镜观察了RSiC样品的显微结构。结果表明:采用PCS/xylene溶液浸渍的裂解产物均匀分布在RSiC的孔隙中,经6次PIP循环后,RSiC的密度从2.74g/cm3提高到约2.90g/cm3,抗弯强度与初始样品相比提高了28.1%。采用SiC/PCS/xylene浆料浸渍后的产物在基体中呈梯度分布,基体表层孔隙填充致密,有利于提高RSiC的抗氧化能力。仅3次PIP循环后,RSiC的密度就可达2.90g/cm3,抗弯强度也可提高37.0%。     

高温氧化对再结晶碳化硅陶瓷断裂强度的影响

研究了在1500℃空气中的高温氧化对再结晶碳化硅(recrystallized silicon carbide,RSiC)陶瓷断裂强度的影响。用X射线衍射仪、扫描电镜分析了RSiC样品氧化后表面的物相组成及显微结构。结果表明:在1500℃下RSiC陶瓷的氧化质量增加遵循抛物线规律,氧化速率常数为3.77×10-5g2/(cm4·h1),其线性相关系数r2为0.998。RSiC陶瓷的室温抗弯强度随氧化时间增加呈现出先升后降的变化趋势,当氧化21h时,材料的室温抗弯强度最高,达到87MPa。氧化初期由于样品表面生成致密的非晶态SiO2,对样品表面的缺陷起到了钝化作用,导致材料室温断裂强度升高;氧化后期由于非晶态SiO2膜的析晶而产生裂纹以及循环氧化导致裂纹扩展,从而使材料的断裂强度降低。     

感潮段老河口建闸技术

温州市鹿城区戍浦江河口大闸枢纽工程系浙江省第一座在感潮河段老河口上修建的大型水利枢纽工程.在建设过程中遇到了一些特殊的技术问题,如;防洪度汛、明渠型式、围堰型式、基坑开挖及口门治理等问题,有关问题经过科学的探索、分析后,采用了一些新的技术方案加以处理.取得了良好的效果.